消息稱三星 1b nm 移動內(nèi)存良率欠佳，影響 Galaxy S25 系列手機(jī)開發(fā)

IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達(dá)了對面向 Galaxy S25 系列手機(jī)的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級） LPDDR 內(nèi)存樣品供應(yīng)延誤的擔(dān)憂。

三星電子于 2023 年 5 月啟動 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)，后又在當(dāng)年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內(nèi)部推進(jìn) 1b nm LPDDR 移動內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)工作。

然而該韓媒此前就在今年 6 月 11 日宣稱，三星電子的 1b nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品當(dāng)時良率不足五成。

▲ 三星電子 LPDDR 內(nèi)存產(chǎn)品線

韓媒今日報道指出，三星電子 DS 部門本應(yīng)在 8 月之前就向 MX 部門供應(yīng)一定規(guī)模的 12Gb、16Gb 容量 1b nm LPDDR 內(nèi)存樣品，用于 Galaxy S25 系列手機(jī)開發(fā)。但 DS 部門未能按時提供足夠數(shù)量樣品。

知情人士透露，三星電子的 1b nm LPDDR 良率不及預(yù)期，影響了企業(yè)內(nèi)部的供貨時間表，MX 部門已就此提出抗議，并正在重新審視 Galaxy S25 系列手機(jī)的 DRAM 供應(yīng)計劃。

根據(jù) DRAM 產(chǎn)業(yè)一般規(guī)律，要想實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定且經(jīng)濟(jì)的大規(guī)模生產(chǎn)與供應(yīng)，內(nèi)存良率至少需要達(dá)到 80%。目前看來三星電子的 1b nm LPDDR 即使在企業(yè)內(nèi)部供應(yīng)中也存在不足問題，意味著該產(chǎn)品良率遠(yuǎn)低于 80% 的目標(biāo)。