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DDR4加速退場,DDR5成為主流

- 三星已向其供應鏈傳達消息,多款基于1y nm(第二代10nm級別)工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn),以及1z nm(第三代10nm級別)工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時,美光已通知客戶將停產(chǎn)服務器用的舊版DDR4模塊,而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內存制造商正加速產(chǎn)品過渡,把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度:DDR4帶寬為25.6GB/s,DDR5帶寬為32GB/s;· 芯片密度:DDR4芯片密度為
- 關鍵字: DDR4 DDR5 三星 SK海力士 內存 HBM
Google AI芯片通知撤換 三星HBM3E認證再傳卡關

- 三星電子(Samsung Electronics)近來重兵部署在HBM先進制程,但供應鏈傳出,三星HBM3E認證進度再遭卡關,由于Google投入自行設計AI服務器芯片,原打算搭配三星HBM3E,并送交臺積電進行CoWoS封裝,但日前卻突然通知三星HBM遭撤下。據(jù)了解,事發(fā)源頭是來自三星HBM3E未能通過NVIDIA認證,Google為求保險起見,可能改換美光(Micron)產(chǎn)品遞補供應,相關市場消息近日在業(yè)界傳得沸沸揚揚。對此,消息源向三星求證,三星回復無法評論客戶相關事宜,相關開發(fā)計劃仍按照進度執(zhí)行。
- 關鍵字: Google AI芯片 三星 HBM3E 認證
沖刺新品市占 三星擬停產(chǎn)舊規(guī)HBM
- 三星對此消息表示,無法確認。 但法人認為,HBM市場年復合成長率超過45%,三星傳停產(chǎn)舊規(guī)格的HBM,應有助于三星加快技術迭代,并鞏固其與SK海力士、美光的「三強爭霸」地位。與此同時,陸廠加快進攻高階存儲器市場。 長鑫存儲宣布16nm DDR5 DRAM已量產(chǎn),性能超越SK海力士12nm產(chǎn)品,并計劃2025年將產(chǎn)能擴至每月18萬片晶圓,目標2026年切入LPDDR5與車用DRAM,為未來進軍HBM鋪路。長江存儲則靠Xtacking混合鍵合技術快速追趕,量產(chǎn)全球首款270層3D NAND Flash,與三星
- 關鍵字: 三星 HBM
三大內存廠持續(xù)減產(chǎn)DDR4
- 三大原廠紛紛縮減舊制程產(chǎn)能,除三星電子已傳宣布4月終止1y nm及1z nm制程的DDR4生產(chǎn),美光亦通知客戶停產(chǎn)服務器用舊制程DDR4模組,SK海力士據(jù)傳也將DDR4產(chǎn)出比重降至20%。法人認為,市場景氣低迷,上游存儲器廠加速產(chǎn)品迭代,降低單位成本以提升獲利,同時將資源轉向高帶寬記憶體(HBM)及DDR5等高階產(chǎn)品。短期內內存價格受到關稅備貨與供給控制支撐,但整體環(huán)境不確定性高,未來基本面仍存隱憂。三星已通知供應鏈,1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4內存將于2025年4月停止生產(chǎn)(EOL)
- 關鍵字: DDR4 三星 SK海力士 美光
全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)新變局
- 復雜國際形勢疊加終端需求冰火兩重天的景象之下,晶圓代工產(chǎn)業(yè)迎來調整時期,人事變動、整合傳聞屢見不鮮。與此同時,先進制程正加速沖刺,2nm芯片在今年將實現(xiàn)量產(chǎn)/試產(chǎn),開啟半導體技術新紀元。三星晶圓代工部門調整,加強HBM業(yè)務競爭力近期,媒體報道三星電子DS部門針對代工部門人員發(fā)布了“定期招聘”公告,三星計劃把超過兩位數(shù)的晶圓代工事業(yè)部人員調往存儲器制造技術中心、半導體研究院以及全球制造及基礎設施總部。業(yè)界透露,三星此次調整主要是為了加強HBM領域競爭實力,其中三星半導體研究所招募人員是為了“加強HBM和封裝
- 關鍵字: 晶圓代工 2納米 臺積電 三星 英特爾
三星已組建專注于1nm芯片開發(fā)的團隊 量產(chǎn)目標定于2029年
- 2nm GAA 工藝進展被傳順利,但三星的目標是通過推出自己的 1nm 工藝來突破芯片開發(fā)的技術限制。一份新報告指出,該公司已經(jīng)成立了一個團隊來啟動這一工藝。然而,由于量產(chǎn)目標定于 2029 年,我們可能還需要一段時間才能看到這種光刻技術的應用。1nm 晶圓的開發(fā)需要“高 NA EUV 曝光設備”,但目前尚不清楚三星是否已訂購這些機器。另一方面,臺積電也正在推出 2 納米以下芯片,據(jù)報道,這家臺灣半導體巨頭已于 4 月初開始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星,在其 2 納米 GAA 技術的試產(chǎn)過程中
- 關鍵字: 三星 1nm 芯片 臺積電 NA EUV
美光、SK海力士跟隨中!三星對內存、閃存產(chǎn)品提價3-5%:客戶已開始談判新合同
- 4月7日消息,據(jù)國外媒體報道稱,三星公司領導層將對主要全球客戶提高內存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來,“需求大幅增長”導致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價格上漲,預計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導體業(yè)內人士表示:去年全年供應過剩,但隨著主要公司開始減產(chǎn),供應量最近有所下降,目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外,人工智能 (AI) 設備在中國接連出現(xiàn),由于工業(yè)自動化,對半導體的需求正在逐漸增加。市場研究機構DRAMeXchange給出的統(tǒng)計顯示,
- 關鍵字: 內存 DRAM NAND HBM 三星 美光 SK海力士
Intel、臺積電、三星激戰(zhàn)2nm!三巨頭先進工藝制程進度一覽
- 4月3日消息,日前舉辦的Vision 2025大會上,Intel正式宣布18A工藝制程技術已進入風險生產(chǎn)階段。預計今年下半年首發(fā)該工藝的Panther Lake處理器將進行大批量生產(chǎn)。此舉為“四年五個節(jié)點(5N4Y)”計劃立下關鍵里程碑。按照Intel的愿景,18A將是其反超臺積電、重奪半導體工藝世界第一的關鍵節(jié)點。值得關注的是,此為新任華人CEO陳立武接棒后首度公開亮相,業(yè)界解讀Intel此舉在向臺積電、三星等競爭對手展示技術肌肉。Intel 18A工藝將全球首次同時采用PowerVia背面供電和Rib
- 關鍵字: 英特爾 臺積電 三星
傳三星下一代2納米移動SoC有望更名 將停止使用“Exynos”命名
- 上周末,Jukanlosreve 通過社交媒體透露“ 三星Exynos 2600(移動 SoC)肯定會回歸,它將用于 Galaxy S26 系列。但芯片數(shù)量非常有限,可能會與Exynos 990 的情況類似。我不確定 SF2 是否真的有用?!?3 月中旬,這位半導體行業(yè)狀況的敏銳觀察家認為三星的代工業(yè)務可能會放棄 1.4 納米(SF1.4)工藝節(jié)點。據(jù)業(yè)內人士稱,SF2(又名 2 納米 GAA)的研發(fā)和制造工作似乎處于更有希望的狀態(tài)——這要歸功于傳聞中的外部 AI 專家合作伙伴的幫助。據(jù)稱,下一代
- 關鍵字: 三星 2納米 移動SoC Exynos Galaxy S26
CounterPoint 報告 2024 全球折疊手機出貨量:三星同比降 33%
- 4 月 1 日消息,市場調查機構 CounterPoint Research 于 3 月 28 日發(fā)布博文,報道稱 2024 年全球折疊屏手機市場僅增長 2.9%,增速放緩,并預估 2025 年將首次出現(xiàn)個位數(shù)負增長,但 2026 年有望因蘋果入局和小折疊機型復興迎來強勁反彈。根據(jù) Counterpoint Research 最新報告,2024 年全球折疊屏手機出貨量同比增長僅 2.9%,增長乏力。盡管多家廠商實現(xiàn)兩位數(shù)甚至三位數(shù)增長,但三星第四季度銷量驟減,OPPO 削減低價翻蓋折疊屏產(chǎn)量,
- 關鍵字: CounterPoint 折疊手機 出貨量 三星 蘋果 折疊屏面板
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