三星樂觀看待智慧手表市場成長趨勢，今日宣布推出全新Galaxy Watch FE，集結耐用的藍寶石玻璃設計及亮眼外型、完善的運動追蹤與全方位健康監(jiān)測功能，以親民價格即享眾多優(yōu)異體驗。Galaxy Watch FE（藍牙版）共推出「曜石黑」、「玫瑰金」、「星夜銀」三款顏色，建議售價NT$5,990，自6月下旬起于全臺各大通路正式上市，消費者凡于7月16日前在全通路購買三星不限型號手機或平板，即可現折NT$1,000加購Galaxy Watch FE，五千有找輕松入手，開啟嶄新智慧生態(tài)圈體驗。三星電子行動通訊
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6月14日消息，高通公司首席執(zhí)行官Cristiano Amon近日在接受采訪時表示，公司正在認真評估臺積電、三星雙源生產戰(zhàn)略。據悉，高通驍龍8 Gen4將在今年10月登場，這顆芯片完全交由臺積電代工，采用臺積電N3E節(jié)點，這是臺積電第二代3nm制程。因蘋果、聯發(fā)科等科技巨頭都采用臺積電3nm工藝，出于對臺積電產能有限的考慮，高通有意考慮雙代工廠策略。此前有消息稱驍龍8 Gen4原本計劃采用雙代工模式，但是三星3nm產能擴張計劃趨于保守，加上良品率并不穩(wěn)定，最終高通選擇延后執(zhí)行該計劃。不過高通并未放棄雙代工
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美中貿易戰(zhàn)沖突未歇，傳出美國將再次出手打擊大陸半導體產業(yè)，針對最新的環(huán)繞閘極場效晶體管（GAA）技術祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術的能力，換言之，美國將防堵大陸取得先進芯片，擴大受管制的范圍。 美國財經媒體引述知情人士消息報導，拜登政府考慮新一波的半導體限制措施，以避免大陸能夠提升技術，進而增強軍事能力，有可能限制大陸取得GAA技術，但確切狀況仍得等官方進一步說明，且不清楚官員何時會宣布新措施。若此事成真，大陸發(fā)展先進半導體將大受打擊。目前三星從3納米開始使用GAA技術，臺積電則從2納米
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據彭博社報道，當地時間6月13日，三星電子在其年度代工論壇上公布了芯片制造技術路線圖，以增強其在AI人工智能芯片代工市場的競爭力。三星預測，到2028年，其人工智能相關客戶名單將擴大五倍，收入將增長九倍。報道指出，三星電子公布了對未來人工智能相關芯片的一系列布局。在其公布的技術路線圖中，一項重要的創(chuàng)新是采用了背面供電網絡技術。據三星介紹，該技術與傳統(tǒng)的第一代2納米工藝相比，在功率、性能和面積上均有所提升，同時還能顯著降低電壓降。三星還強調了其在邏輯、內存和先進封裝方面的綜合能力。三星認為，這將有助于公司贏
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IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當地時間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產，回擊了此前的媒體傳聞。三星表示其 1.4nm 級工藝準備工作進展順利，預計可于 2027 年在性能和良率兩方面達到量產里程碑。此外，三星電子正在通過材料和結構方面的創(chuàng)新，積極研究后 1.4nm 時代的先進邏輯制程技術，實現三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認，其仍計劃在 2024 下半年量產第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統(tǒng)的
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IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在北京時間今日凌晨舉行的三星代工論壇 2024 北美場上宣布，其首個采用 BSPDN（背面供電網絡）的制程節(jié)點 SF2Z 將于 2027 年量產推出。BSPDN 技術將芯片的供電網絡轉移至晶圓背面，與信號電路分離。此舉可簡化供電路徑，大幅降低供電電路對互聯信號電路的干擾。三大先進制程代工廠目前均將背面供電視為工藝下一步演進的關鍵技術：英特爾將于今年率先在其 Intel 20A 制程開始應用其背面供電解決方案 PowerVia；臺積電則稱搭載其 Super
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近日，英偉達(NVIDIA)執(zhí)行長黃仁勛在2024年中國臺北國際電腦展上對三星HBM因過熱問題而未能通過測試的報道進行了反駁。他表示，英偉達正在努力測試三星和美光生產的HBM芯片，但目前尚未通過測試，因為還有更多的工程工作要做。其中特別針對三星HBM產品的質量問題，黃仁勛表示，認證三星HBM需要更多工作和充足耐心，而并非部分媒體所報道的因芯片過熱問題未通過質量測試。他重申，英偉達與三星的合作進展順利。此前，三星也堅決否認有關其高帶寬存儲（HBM）產品未能達到英偉達質量標準的報道。三星電子在一份聲明中表示，
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2024年折疊手機出貨量約1,780萬部，占智能手機市場僅約1.5%，由于高維修率、高售價的問題待解決，預計至2028年占比才有機會達到4.8%。三星（Samsung）初入市場作為折疊手機的先驅之姿，在2022年占據了超過八成市場份額，從2023到2024年間，開始面臨隨著多家智慧型手機品牌廠加入競爭，市場份額從六成降到了五成保衛(wèi)戰(zhàn)。今年折疊手機的重要角色華為（Huawei），在2023年推出4G吸睛小折Pocket S，市場銷量成績優(yōu)異，推動了華為2023年其折疊手機市占率首次突破雙位數，達12%。20
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近日，三星電子對外表示，8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成，正按計劃逐步推進制程升級。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術，屬于面向嵌入式領域的MRAM（磁阻存儲器）。與傳統(tǒng)DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數據，同時寫入速度是NAND的1000倍數?；谏鲜鎏匦?，業(yè)界看好eMRAM未來前景，尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產商之一，致力于推動eMRAM在汽車領域的應用。三
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根據Counterpoint Research的最新報告，2024年第一季度，全球可折疊智能手機市場同比增長49%，創(chuàng)下了六個季度以來的最高增速。出貨量前十名分別為華為、三星、榮耀、摩托羅拉，各自的市場份額分別為35%、23%、12%、11%；從出貨量的同比變化來看，華為同比增長257%，三星同比減少42%，榮耀同比增長460%，摩托羅拉同比增長1473%。華為折疊屏手機的銷量猛增257%，市場份額的增長主要得益于首次推出支持5G的折疊屏手機：例如上市即熱銷的小折疊華為Pocket 2和大折疊華為Mate
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6月4日消息，據engadget報道，隨著三星Galaxy Ring智能戒指的發(fā)布日期逐漸臨近，該公司已采取法律行動，對智能戒指制造商Oura提起訴訟。Samsung三星在訴訟中指出，Oura利用其專利組合對多個規(guī)模較小的可穿戴技術競爭對手提起訴訟，并暗示可能對三星這一行業(yè)巨頭采取相似法律行動?！癘ura的一系列行為和公開聲明顯示，他們有可能會繼續(xù)指控包括三星在內的其他進入美國智能戒指市場的公司侵犯其專利權，”訴訟文件中寫道，該訴訟最早由科技新聞網站The Verge報道。“Oura對Galaxy Rin
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據外媒報道，三星計劃在今年6月召開的2024年晶圓代工論壇上，正式公布其1nm制程工藝計劃，并計劃將1nm的量產時間從原本的2027年提前到2026年。據了解，三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產3nm晶圓代工，并計劃在2024年開始量產其第二代3nm工藝。根據三星之前的路線圖，2nm SF2 工藝將于2025年亮相，與 3nm SF3 工藝相比，同等情況下能效可提高25%，性能可提高12%，同時芯片面積減少5%。報道中稱，三星加速量產1nm工藝的信心，或許來自于“Gate-All-Around（
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Canalys最新數據顯示，2024年第一季度，全球可穿戴腕帶設備的出貨量達4120萬臺，與去年同期基本持平。廠商方面，2024年第一季度，蘋果持續(xù)兩位數的下滑，但依舊以18%的份額穩(wěn)坐第一；小米依托其腕帶類豐富的產品組合和海外的快速擴張，同比增長38%，以15%的份額位列第二；華為憑借Watch GT4在國內的強勢出貨，同比增長46%，以13%的市場份額位列第三。三星進軍入門級設備，推出新品手環(huán)Galaxy Fit3，同比實現4%增長，以7%的份額位列第四；Noise受印度市場整體市場表現不佳的影響，一
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瑞銀舉辦亞洲投資論壇，首席環(huán)球股市分析師Andrew Garthwaite看好生成式人工智能技術從2028年起，每年提升生產力至少1%，同時他也看好臺積電與三星，其中臺積電技術領先中國大陸同業(yè)5年、美國同業(yè)2年，為長期最具吸引力的投資選擇。香港經濟日報報導，瑞銀亞洲投資論壇在香港登場，會中暢談全球經濟脈動與股市發(fā)展，提到目前最熱門的人工智能議題，Andrew Garthwaite表示，生成式人工智能技術屬于輕資本，且目前已經有20%的個人計算機開放支持，擁有前所未有的覆蓋率，預估2028年開始，生成式人工
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據外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實現pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據三星電子高管預測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
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