KLA－TENCOR推出最新電子束晶圓檢查系統(tǒng)

    KLA-Tencor今天發(fā)布了其最新一代在線電子束（e-beam）晶圓檢查系統(tǒng)eS31，它能夠滿足芯片制造商對65nm和以下節(jié)點的工程分析和生產(chǎn)線監(jiān)控應(yīng)用方面的高靈敏度檢查需要。eS31采用了KLA-Tencor的經(jīng)過生產(chǎn)驗證的23xx光明場檢查平臺，以及若干能夠比前一代電子束檢查設(shè)備在擁有成本（CoO）方面提升六倍之多的若干硬件和軟件。利用eS31，芯片制造商可以發(fā)現(xiàn)電路缺陷，并在工藝開發(fā)階段及時解決這些問題，使他們的先進產(chǎn)品更迅速地進入市場，與此同時，在生產(chǎn)過程中對電性缺陷異常增高的監(jiān)控能夠?qū)崿F(xiàn)更高的產(chǎn)量，并降低其每個成品硅片的成本。

    隨機攜帶的mLoop技術(shù)縮短了數(shù)星期的工藝開發(fā)時間eS31是eS3x產(chǎn)品系列中第一個集成了該公司專有的mLoop（“Micro Loop”）技術(shù)的系統(tǒng)，它可以在早期發(fā)現(xiàn)以前使用電路探針需要花幾個星期才能發(fā)現(xiàn)的對良率有關(guān)鍵影響的電性缺陷。自從KLA-Tencor推出了前一代eS20XP檢查系統(tǒng)以來，mLoop已經(jīng)被全球領(lǐng)先的芯片制造商采用，以加速他們先進工藝的良率學(xué)習(xí)周期。mLoop采用獨特的優(yōu)化電壓對比測試結(jié)構(gòu)，有助于芯片制造商確定電路缺陷的精確位置。利用eS31的mLoop技術(shù)可以在一個小時內(nèi)完成整個晶圓區(qū)的檢查。mLoop最初是為生產(chǎn)線后端（BEOL）工藝加速良率學(xué)習(xí)周期設(shè)計的，它也能發(fā)現(xiàn)生產(chǎn)線前端（FEOL）工藝中的重要缺陷，例如多晶硅間微小殘留，為SRAM結(jié)構(gòu)提供先進電路的檢驗。這尤其適用于微調(diào)光刻板/光掩膜，以改善線寬。

    新型缺陷推動著新型檢查解決方案的需求向小型設(shè)計標(biāo)準的轉(zhuǎn)變、新材料和更大的晶圓尺寸導(dǎo)致了缺陷類型的顯著增加，這些問題利用電子束檢查才能發(fā)現(xiàn)。在銅的雙重鑲嵌工藝中，更小的線寬導(dǎo)致了新的隱蔽的缺陷——銅空洞——用光學(xué)檢查系統(tǒng)是難以發(fā)現(xiàn)的。新材料，例如鈷化物和鎳化物，其隱蔽的電路缺陷也在增加。漏電對先進邏輯器件性能的影響日益加大，也已成為人們越來越關(guān)注的一個焦點。此外，先進存儲器件的極大的高寬比比（＞40∶1）結(jié)構(gòu)也推動著電子束檢查的需求，因為光學(xué)檢查設(shè)備不能發(fā)現(xiàn)這些結(jié)構(gòu)底部形成的蝕刻下缺陷。eS31是專門用來發(fā)現(xiàn)以上這些和影響器件電路性能的許多其他重要缺陷類型的方法。

    基準靈敏度和生產(chǎn)價值
    eS31具有所需的發(fā)現(xiàn)極小（50nm以下）的物理缺陷和電壓對比缺陷的靈敏度。eS31系統(tǒng)擴展的光學(xué)設(shè)備使之具備了提高數(shù)據(jù)處理速度和基于規(guī)則的分類（RBB）生產(chǎn)能力，這比同類電子束檢查設(shè)備提高了六倍。此外，eS31可作為KLA-Tencor業(yè)界領(lǐng)先的23xx光場檢查平臺，它已被整個代工行業(yè)廣泛采用。通過共用一個通用的平臺，eS31有助于降低設(shè)備操作人員的培訓(xùn)成本，并改善了使用和格式設(shè)置的易用性。不同于同類電子束檢查平臺，eS31也簡化了電子束的基本檢測參數(shù)設(shè)置，同時利用一個自動化程序進行設(shè)備校準，使工程師可以把更多的精力集中在實驗設(shè)計（DOE）和工藝的改進方面。 
    KLA-Tencor公司電子束檢查部門副總裁兼總經(jīng)理Paul Marella表示：“自從十幾年前率先涉足電子束檢查領(lǐng)域以來，我們不斷利用我們擁有的技術(shù)專長，通過與用戶的密切合作，為他們解決了最重要的生產(chǎn)良率問題。eS31可以為我們的用戶提供一個從65nm工藝開發(fā)到生產(chǎn)全過程的真正的解決方案，幫助他們跟上摩爾定律的進程，并降低生產(chǎn)成本?！?