計劃上半年流片，英特爾18A制程準備就緒

近日，英特爾宣布，其18A制程節(jié)點（1.8納米）已經準備就緒，并計劃在今年上半年開始設計定案。

該制程將導入多項先進半導體技術。18A制程相較于英特爾3nm制程，可將芯片密度提升30%，并提高每瓦性能約15%。英特爾計劃將18A制程應用于即將推出的Panther Lake筆電處理器與Clearwater Forest服務器CPU，這兩款產品預計將于年底前上市。

18A制程的一大突破是PowerVia背面供電技術。該技術透過將粗間距金屬層與凸塊移至芯片背面，并采用納米級硅穿孔（through-silicon vias，TSV），以提高供電效率。英特爾表示，這項技術可提升ISO功耗效能4%，并增加標準單元利用率5%至10%。

另一項關鍵技術是RibbonFET，這是英特爾的全柵極晶體管（GAA）設計。與傳統(tǒng)鰭式場效晶體管（FinFET）相比，RibbonFET可更精細地控制電流流動，并有效降低功耗與漏電，這對于高密度、小型化的芯片來說尤為重要。

提起英特爾，外界大多會想到近年來該公司面臨重大財務壓力，英特爾在2024年的財務報告中顯示虧損了130億美元。由于英特爾連年虧損，市場上關于該公司可能進行業(yè)務拆分或出售部分代工業(yè)務的猜測不斷增加。

隨著美國政府推動半導體本土化，英特爾18A制程的成敗，將成為美國半導體產業(yè)競爭力的重要指標。