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東芝推出新款MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC,助力縮小設(shè)備尺寸

—— TCK42xG系列支持外部N溝道MOSFET的背對(duì)背連接
作者: 時(shí)間:2022-02-10 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出其面向20V電源線路的新款“TCK42xG系列”MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC中的首款產(chǎn)品---“TCK421G”。該系列器件專門(mén)用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓(基于輸入電壓),同時(shí)具備過(guò)壓鎖定功能。新產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/202202/431230.htm

通過(guò)與背對(duì)背連接的外部N溝道MOSFET相配合,TCK421G適用于配置具有反向電流阻斷功能的電源多路復(fù)用器電路或負(fù)載開(kāi)關(guān)電路。它內(nèi)置電荷泵電路,支持2.7V至28V的寬輸入電壓范圍,經(jīng)過(guò)間歇操作,為外部MOSFET的柵極-源極電壓提供穩(wěn)定電壓。這種方式允許大電流的切換。

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TCK421G采用WCSP6G[1]封裝,是行業(yè)最小的封裝之一[2]。這便于TCK421G在可穿戴設(shè)備和智能手機(jī)等小型設(shè)備上實(shí)現(xiàn)高密度貼裝,從而縮小上述設(shè)備的尺寸。

東芝將繼續(xù)開(kāi)發(fā)TCK42xG系列,并計(jì)劃推出總共六款產(chǎn)品。TCK42xG系列的過(guò)壓鎖定將支持5V至24V的輸入電壓??商峁?.6V和10V兩種類型的柵極輸出電壓,用于外部MOSFET中不同的柵源電壓。過(guò)壓鎖定和柵極輸出電壓可以根據(jù)用戶具體設(shè)備進(jìn)行選擇。

■   應(yīng)用:

-   可穿戴設(shè)備

-   智能手機(jī)

-   筆記本電腦、平板電腦

-   存儲(chǔ)設(shè)備等

■   新產(chǎn)品系列特性:

-   內(nèi)置電荷泵電路,柵極-源極電壓(5.6V、10V)取決于輸入電壓

-   過(guò)壓鎖定支持5V至24V

-   低輸入關(guān)斷電流:當(dāng)VIN=5V,Ta=-40℃至85℃時(shí),IQ(OFF)=0.5μA(最大值)

■   主要規(guī)格:

(除非另有說(shuō)明,Ta=25℃)

器件型號(hào)

TCK421G

封裝

名稱

WCSP6G

尺寸(mm)

1.2×0.8(典型值)

厚度=0.35(最大值)

工作范圍

輸入電壓VIN(V)

當(dāng)Ta=-40℃至85℃時(shí)

2.7至28

電氣特性

VIN UVLO閾值,Vout下降

VIN_UVLO典型值/最大值(V)

當(dāng)Ta=-40℃至85℃時(shí),VIN_UVLO最大值

2.0/2.5

VIN UVLO滯后

VIN_UVhyst典型值(V)

0.2

VIN OVLO閾值,

Vout下降

VIN_OVLO最小值/最大值(V)

當(dāng)Ta=-40℃至85℃時(shí)

22.34/24.05

VIN OVLO滯后

VIN_OVhyst典型值(V)

0.12

輸入靜態(tài)電流

(通態(tài))[3]

IQ(ON)典型值(μA)

當(dāng)VIN=5V時(shí)

140

當(dāng)VIN=12V時(shí)

185

待機(jī)電流(關(guān)斷)

IQ(OFF)最大值(μA)

當(dāng)VIN=5V,Ta=-40℃至85℃時(shí)

0.5

當(dāng)VIN=12V,Ta=-40℃至85℃時(shí)

0.9

柵極驅(qū)動(dòng)電壓

(VGATE1-VIN

(VGATE2-VIN

VGS最小值/典型值/最大值(V)

當(dāng)VIN=2.7V時(shí)

8/9.2/10

當(dāng)VIN=5V時(shí)

9/10/11

當(dāng)VIN=9V時(shí)

9/10/11

當(dāng)VIN=12V時(shí)

9/10/11

當(dāng)VIN=20V時(shí)

9/10/11

VGS導(dǎo)通時(shí)間

tON典型值(ms)

當(dāng)VIN=5V時(shí),

CGATE1,2=4000pF

2.9

VGS關(guān)斷時(shí)間

tOFF典型值(μs)

VIN=5V,

當(dāng)CGATE1,2=4000pF時(shí)

52

OVLO VGS關(guān)斷時(shí)間

tOVP典型值(μs)

當(dāng)CGATE1,2=4000pF時(shí)

34

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注:

[1] 1.2mm×0.8mm

[2] 在MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC中。截至2022年2月的東芝調(diào)查。

[3] 不含控制端電流(ICT)。



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