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主副電源，MOS管自動(dòng)切換電路分析

先看一下這個(gè)電路：USB外接電源與鋰電池自動(dòng)切換電路設(shè)計(jì)如果主副輸入電壓相等，同時(shí)要求輸出也是同樣的電壓，不能有太大的壓降，怎么設(shè)計(jì)？這個(gè)電路巧妙的利用了MOS管導(dǎo)通的時(shí)候低Rds的特性，相比二極管的方式，在成本控制較低的情況下，極大的提高了效率。本電路實(shí)現(xiàn)了，當(dāng)Vin1 = 3.3V時(shí)，不管Vin2有沒(méi)有電壓，都由Vin1通過(guò)Q3輸出電壓，當(dāng)Vin1斷開(kāi)的時(shí)候，由Vin通過(guò)Q2輸出電壓。因?yàn)檫x用MOS管的Rds非常小，產(chǎn)生的壓降差不多為數(shù)十mV，所以Vout基本等于Vin。原理分析1、如果Vin1 =
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一個(gè)高溫引發(fā)的悲劇，你永遠(yuǎn)想象不到用戶(hù)把你的產(chǎn)品用在哪里？

曾經(jīng)的我呢還一個(gè)單純的小攻城獅，當(dāng)自己設(shè)計(jì)完的電路板通過(guò)了功能測(cè)試、性能測(cè)試、環(huán)境實(shí)驗(yàn)后，我就可以開(kāi)開(kāi)心心的玩耍了，但是永遠(yuǎn)也想想不到用戶(hù)會(huì)把你的產(chǎn)品用在什么地方（客戶(hù)你們考慮過(guò)產(chǎn)品的感受嗎）。具體是這樣的一個(gè)很簡(jiǎn)單的串口RS485電路，具體電路如下圖所示，用了這個(gè)電路后就不要單獨(dú)信號(hào)去管理485芯片的收發(fā)分時(shí)了（是不是很方便，我也這么想的）。問(wèn)題就是出現(xiàn)這這個(gè)電路上，我們做環(huán)境實(shí)驗(yàn)的時(shí)候是在55度做的一點(diǎn)點(diǎn)問(wèn)題都木有，該收收該發(fā)發(fā)，但是一到了用戶(hù)那里工作一小會(huì)就掛了，啥也木的了，經(jīng)過(guò)本人的現(xiàn)場(chǎng)排查（踩點(diǎn)
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MOS管常見(jiàn)的幾種應(yīng)用電路

一、開(kāi)關(guān)和放大器MOS管最常見(jiàn)的電路可能就是開(kāi)關(guān)和放大器。1. 開(kāi)關(guān)電路G極作為普通開(kāi)關(guān)控制MOS管。2. 放大電路讓MOS管工作在放大區(qū)，具體仿真結(jié)果可在上節(jié)文章看到。二、時(shí)序電路中作為反相器使用下圖示例電路中，芯片1正常工作時(shí)，PG端口高電平。如果芯片1、芯片2有時(shí)序要求，在芯片1正常工作后，使能芯片2?？梢钥吹叫酒?的使能端初始連接VCC為高電平，當(dāng)芯片1輸出高電平后，(關(guān)注公眾號(hào)：硬件筆記本）MOS管導(dǎo)通，芯片2的使能端被拉低為低電平，芯片2開(kāi)始正常工作。這時(shí)MOS管起到的就是反相的作用。三、雙向
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8種開(kāi)關(guān)電源MOS管的工作損耗計(jì)算

MOSFET 的工作損耗基本可分為如下幾部分：1、導(dǎo)通損耗Pon導(dǎo)通損耗,指在 MOSFET 完全開(kāi)啟后負(fù)載電流（即漏源電流） IDS(on)(t) 在導(dǎo)通電阻 RDS(on) 上產(chǎn)生之壓降造成的損耗。導(dǎo)通損耗計(jì)算：先通過(guò)計(jì)算得到 IDS(on)(t) 函數(shù)表達(dá)式并算出其有效值 IDS(on)rms ，再通過(guò)如下電阻損耗計(jì)算式計(jì)算：Pon=IDS(on)rms2 × RDS(on) × K × Don說(shuō)明：計(jì)算 IDS(on)rms 時(shí)使用的時(shí)期僅是導(dǎo)通時(shí)間 Ton ，而不是整個(gè)工作周期 Ts ；RDS(
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MOS管開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)，用三極管控制會(huì)燒壞？

三極管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N溝道和P溝道的，三極管的三個(gè)引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E，而MOS管的三個(gè)引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。對(duì)于MOS管，我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中都會(huì)遇到，那么應(yīng)該如何設(shè)計(jì)一個(gè)MOS管的開(kāi)關(guān)電路呢？MOS管開(kāi)關(guān)電路我們一般會(huì)用一個(gè)三極管去控制，如下圖！MOS管開(kāi)關(guān)電路但是這個(gè)電路的缺點(diǎn)也是顯而易見(jiàn)，由于MOS管有一個(gè)寄生的二極管，如果CD5V的濾波電容過(guò)大，或者后端有別的電壓串進(jìn)來(lái)，會(huì)把前端給燒壞！電流路徑如下：后端電流路徑如何改善這個(gè)問(wèn)題呢？有兩個(gè)方式，一種
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MOS管開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)，用三極管控制會(huì)容易燒壞？

三極管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N溝道和P溝道的，三極管的三個(gè)引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E，而MOS管的三個(gè)引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。對(duì)于MOS管，我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中都會(huì)遇到，那么應(yīng)該如何設(shè)計(jì)一個(gè)MOS管的開(kāi)關(guān)電路呢？MOS管開(kāi)關(guān)電路我們一般會(huì)用一個(gè)三極管去控制，如下圖！MOS管開(kāi)關(guān)電路但是這個(gè)電路的缺點(diǎn)也是顯而易見(jiàn)，由于MOS管有一個(gè)寄生的二極管，如果CD5V的濾波電容過(guò)大，或者后端有別的電壓串進(jìn)來(lái)，會(huì)把前端給燒壞！電流路徑如下：后端電流路徑如何改善這個(gè)問(wèn)題呢？有兩個(gè)方式，一種
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MOS管及其外圍電路設(shè)計(jì)

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【干貨】使用 MOS管構(gòu)建雙向邏輯電平轉(zhuǎn)換器

今天可以大家分享的是：使用 MOS 管構(gòu)建一個(gè)簡(jiǎn)單的雙向邏輯電平轉(zhuǎn)換器電路邏輯電壓電平的變化范圍很大，從1.8V-5V。標(biāo)準(zhǔn)邏輯電壓為5V、3.3V、1.8V等。但是，使用 5V邏輯電平的系統(tǒng)/控制器（如Arduino）如何與使用3.3V邏輯電平的另一個(gè)系統(tǒng)（如ESP8266）通信呢？這個(gè)時(shí)候就需要用到邏輯電平轉(zhuǎn)換器，這里還將介紹 MOS管構(gòu)建一個(gè)簡(jiǎn)單的雙向邏輯電平轉(zhuǎn)換器電路。一、高電平和低電平輸入電壓從微處理器/微控制器方面來(lái)看，邏輯電平的值不是固定的，對(duì)此有一定的耐受性，例如，5V邏輯電平微控制器可以
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MOS管在BMS中的應(yīng)用方案

BMS確保電池高效安全運(yùn)行，MOS管檢測(cè)過(guò)充、過(guò)放、過(guò)流等。電池電壓高低與MOS管選型相關(guān)，選擇時(shí)需注意熱設(shè)計(jì)、RDS(ON)和雪崩能量。微碧專(zhuān)注MOS產(chǎn)品20余年，適用于高性能BMS場(chǎng)景。BMS（電池管理系統(tǒng)）負(fù)責(zé)監(jiān)控、控制和保護(hù)電池，以確保電池的高效運(yùn)行和安全性。MOS管在其中起到了檢測(cè)過(guò)充電，過(guò)放電，充放電過(guò)流等作用。在充電狀態(tài)時(shí)，當(dāng)電池充電后過(guò)壓時(shí)，充電控制端會(huì)由高電平轉(zhuǎn)為低電平，從而使MOS管Q1關(guān)斷，充電回路被切斷，進(jìn)入過(guò)電壓保護(hù)。當(dāng)電池通過(guò)負(fù)載放電，電池電壓低于設(shè)定值時(shí)，放電控制端由高電平轉(zhuǎn)
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MOS管在LED非隔離器中的應(yīng)用方案

MOS管在LED非隔離電源中調(diào)節(jié)亮度和電流，確保LED穩(wěn)定工作并延長(zhǎng)壽命。它作為開(kāi)關(guān)元件、電流驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)器，提高電源穩(wěn)定性和安全性。選型時(shí)需注意額定電壓、電流、導(dǎo)通電阻和耐壓能力。推薦微碧半導(dǎo)體的MOS管產(chǎn)品，具有穩(wěn)定性和可靠性，適用于LED非隔離電源等場(chǎng)景。MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）被廣泛應(yīng)用于LED中，主要用于調(diào)節(jié)LED的亮度和電流，實(shí)現(xiàn)對(duì)LED的高效控制。在LED非隔離電源的應(yīng)用方案中，MOS管（絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管）扮演著關(guān)鍵性角色，提升LED非隔離電源的穩(wěn)定性和安全性。LED非隔離設(shè)計(jì)
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MOS管在汽車(chē)LED 中的應(yīng)用方案

LED汽車(chē)燈采用LED技術(shù)，提供外部照明和舒適光源。設(shè)計(jì)中需解決熱極限、EMC等挑戰(zhàn)。有源紋波補(bǔ)償Buck電路是關(guān)鍵，可提升LED驅(qū)動(dòng)電源的可靠性與壽命。選擇適合的MOSFET可降低開(kāi)關(guān)損耗，提高電源效率。選型時(shí)考慮功率、電壓、電流承受、開(kāi)關(guān)速度、熱特性和封裝類(lèi)型。微碧半導(dǎo)體的MOSFET產(chǎn)品具有卓越性能和可靠性，為汽車(chē)LED驅(qū)動(dòng)提供解決方案。摘要由作者通過(guò)智能技術(shù)生成有用MOS管在汽車(chē)LED 中的應(yīng)用方案LED汽車(chē)燈已成為車(chē)輛照明領(lǐng)域的一大亮點(diǎn)，其采用LED技術(shù)，既能提供外部照明，又能為車(chē)內(nèi)帶來(lái)舒適的光
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MOS管驅(qū)動(dòng)電流估算

例：FDH45N50F如下參數(shù)：有人可能會(huì)這樣計(jì)算：開(kāi)通電流帶入數(shù)據(jù)得關(guān)斷電流帶入數(shù)據(jù)得于是乎得出這樣的結(jié)論，驅(qū)動(dòng)電流只需 250mA左右即可。仔細(xì)想想這樣計(jì)算對(duì)嗎？這里必須要注意這樣一個(gè)條件細(xì)節(jié)，RG=25Ω。所以這個(gè)指標(biāo)沒(méi)有什么意義。應(yīng)該怎么計(jì)算才對(duì)呢？其實(shí)應(yīng)該是這樣的，根據(jù)產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)速度來(lái)決定開(kāi)關(guān)電流。根據(jù)I=Q/t，獲得了具體MOS管Qg數(shù)據(jù)，和我們線(xiàn)路的電流能力，就可以獲得Ton= Qg/I。比如45N50，它在Vgs=10V，VDS=400V，Id=48A的時(shí)候，Qg=105nC。如果用1A的
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MOS管基礎(chǔ)及選型指南

MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢(shì)，在開(kāi)關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來(lái)越普遍的應(yīng)用。▉ 場(chǎng)效應(yīng)管分類(lèi)場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型（JFET）和金屬-氧化物-半導(dǎo)體型（MOSFET）兩種類(lèi)型。JFET的英文全稱(chēng)是Junction Field-Effect Transistor，也
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MOS管的三個(gè)極怎么判定？

相信很多工程師在使用電子測(cè)量?jī)x器的時(shí)候大家都了解MOS管，下面一起看看MOS管究竟是什么。1. MOS的三個(gè)極怎么判定？MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳，辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方：G極，不用說(shuō)比較好認(rèn)。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線(xiàn)相交的就是。D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線(xiàn)的那邊。2. 是N溝道還是P溝道？三個(gè)腳的極性判斷完后，接下就該判斷是P溝道還是N溝道了：當(dāng)然也可以先判斷溝道類(lèi)型，再判斷三個(gè)腳極性。判斷溝道之后，再判斷三個(gè)腳極性。3. 寄生二極管的方向如何判定？接下來(lái)，是寄生二極管的方向判斷：它的
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MOS驅(qū)動(dòng)好不好，波形一看就知道

如何從MOS管的驅(qū)動(dòng)波形來(lái)判斷驅(qū)動(dòng)好不好，到底是哪里出了問(wèn)題？本文分享幾種常見(jiàn)的MOS管驅(qū)動(dòng)波形。基礎(chǔ)知識(shí)一般認(rèn)為三極管是電流驅(qū)動(dòng)型，所以驅(qū)動(dòng)三極管，要在基極提供一定的電流。一般認(rèn)為MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型，所以驅(qū)動(dòng)MOS管，只需要提供一定的電壓，不需要提供電流。實(shí)際是這樣嗎？由于MOS管的制作工藝，決定了本身GS之間有結(jié)電容以及GD之間有彌勒電容，DS也有寄生電容，這使得MOS管的驅(qū)動(dòng)變得不那么簡(jiǎn)單。備注：如下圖為軟件繪制，示意圖僅供參考，便于理解。1、MOS正常驅(qū)動(dòng)波形描述：MOS一般是慢開(kāi)快關(guān)，上升沿相
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mos管介紹

　　mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管?；蛘叻Q(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細(xì) ]