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南芯科技推出內(nèi)置MOS管的高集成度升降壓充電芯片

近日，南芯科技宣布推出全集成同步雙向升降壓充電芯片 SC8911，該芯片配備 I2C 接口，專為常見的 2 串電池 30W 充電寶應(yīng)用進行了效率優(yōu)化，可有效降低外殼溫升，為用戶提供更安全、更高效的充電體驗。SC8911 可支持 OTG 反向升壓功能，兼容涓流充電、預(yù)充電、恒流充電、恒壓充電、自動終止等多種模式，助力客戶實現(xiàn)更高的效率、更低的 BOM 成本和更小的 BOM 尺寸。集成MOS方案，兼具三大亮點在傳統(tǒng)升降壓控制器搭配外置 MOS 的方案中，由于布板限制，PCB 走線往往過長，導(dǎo)致功率管驅(qū)動速率受
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MOS管防護電路解析

功率MOS管自身擁有眾多優(yōu)點，但是MOS管具有較脆弱的承受短時過載能力，特別是在高頻的應(yīng)用場合，所以在應(yīng)用功率MOS管對必須為其設(shè)計合理的保護電路來提高器件的可靠性。功率MOS管保護電路主要有以下幾個方面：1）防止柵極 di/dt過高：由于采用驅(qū)動芯片，其輸出阻抗較低，直接驅(qū)動功率管會引起驅(qū)動的功率管快速的開通和關(guān)斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩，或者有可能造成功率管遭受過高的di/dt而引起誤導(dǎo)通。為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生，通常在MOS驅(qū)動器的輸出與MOS管的柵極之間串聯(lián)一個電阻(R509)，電阻的大
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MOS管GS電阻有什么作用？

MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。MOS管內(nèi)部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數(shù)1.MOS管的米勒效應(yīng)MOS管驅(qū)動之理想與現(xiàn)實理想的MOS管驅(qū)動波形應(yīng)是方波，當Cgs達到門檻電壓之后， MOS管就會進入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。而實際上在MOS管的柵極驅(qū)動過程中，會存在一個米勒平臺。米勒平臺實際上就是MOS管處于“放大區(qū)”的
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MOS管又毀了？看看是不是這些原因

MOS管可能會遭受與其他功率器件相同的故障，例如過電壓（半導(dǎo)體的雪崩擊穿）、過電流（鍵合線或者襯底熔化）、過熱（半導(dǎo)體材料由于高溫而分解）。更具體的故障包括柵極和管芯其余部分之前的極薄氧化物擊穿，這可能發(fā)生在相對于漏極或者源極的任何過量柵極電壓中，可能是在低至10V-15V 時發(fā)生，電路設(shè)計必須將其限制在安全水平；還有可能是功率過載，超過絕對最大額定值和散熱不足，都會導(dǎo)致MOS管發(fā)生故障。接下來就來看看所有可能導(dǎo)致失效的原因。01. 過電壓MOS管對過壓的耐受性非常小，即使超出額定電壓僅幾納秒，也可能導(dǎo)致
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主副電源，MOS管自動切換電路分析

先看一下這個電路：USB外接電源與鋰電池自動切換電路設(shè)計如果主副輸入電壓相等，同時要求輸出也是同樣的電壓，不能有太大的壓降，怎么設(shè)計？這個電路巧妙的利用了MOS管導(dǎo)通的時候低Rds的特性，相比二極管的方式，在成本控制較低的情況下，極大的提高了效率。本電路實現(xiàn)了，當Vin1 = 3.3V時，不管Vin2有沒有電壓，都由Vin1通過Q3輸出電壓，當Vin1斷開的時候，由Vin通過Q2輸出電壓。因為選用MOS管的Rds非常小，產(chǎn)生的壓降差不多為數(shù)十mV，所以Vout基本等于Vin。原理分析1、如果Vin1 =
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一個高溫引發(fā)的悲劇，你永遠想象不到用戶把你的產(chǎn)品用在哪里？

曾經(jīng)的我呢還一個單純的小攻城獅，當自己設(shè)計完的電路板通過了功能測試、性能測試、環(huán)境實驗后，我就可以開開心心的玩耍了，但是永遠也想想不到用戶會把你的產(chǎn)品用在什么地方（客戶你們考慮過產(chǎn)品的感受嗎）。具體是這樣的一個很簡單的串口RS485電路，具體電路如下圖所示，用了這個電路后就不要單獨信號去管理485芯片的收發(fā)分時了（是不是很方便，我也這么想的）。問題就是出現(xiàn)這這個電路上，我們做環(huán)境實驗的時候是在55度做的一點點問題都木有，該收收該發(fā)發(fā)，但是一到了用戶那里工作一小會就掛了，啥也木的了，經(jīng)過本人的現(xiàn)場排查（踩點
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MOS管常見的幾種應(yīng)用電路

一、開關(guān)和放大器MOS管最常見的電路可能就是開關(guān)和放大器。1. 開關(guān)電路G極作為普通開關(guān)控制MOS管。2. 放大電路讓MOS管工作在放大區(qū)，具體仿真結(jié)果可在上節(jié)文章看到。二、時序電路中作為反相器使用下圖示例電路中，芯片1正常工作時，PG端口高電平。如果芯片1、芯片2有時序要求，在芯片1正常工作后，使能芯片2。可以看到芯片2的使能端初始連接VCC為高電平，當芯片1輸出高電平后，(關(guān)注公眾號：硬件筆記本）MOS管導(dǎo)通，芯片2的使能端被拉低為低電平，芯片2開始正常工作。這時MOS管起到的就是反相的作用。三、雙向
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8種開關(guān)電源MOS管的工作損耗計算

MOSFET 的工作損耗基本可分為如下幾部分：1、導(dǎo)通損耗Pon導(dǎo)通損耗,指在 MOSFET 完全開啟后負載電流（即漏源電流） IDS(on)(t) 在導(dǎo)通電阻 RDS(on) 上產(chǎn)生之壓降造成的損耗。導(dǎo)通損耗計算：先通過計算得到 IDS(on)(t) 函數(shù)表達式并算出其有效值 IDS(on)rms ，再通過如下電阻損耗計算式計算：Pon=IDS(on)rms2 × RDS(on) × K × Don說明：計算 IDS(on)rms 時使用的時期僅是導(dǎo)通時間 Ton ，而不是整個工作周期 Ts ；RDS(
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MOS管開關(guān)電路設(shè)計，用三極管控制會燒壞？

三極管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N溝道和P溝道的，三極管的三個引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E，而MOS管的三個引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。對于MOS管，我們在電路設(shè)計中都會遇到，那么應(yīng)該如何設(shè)計一個MOS管的開關(guān)電路呢？MOS管開關(guān)電路我們一般會用一個三極管去控制，如下圖！MOS管開關(guān)電路但是這個電路的缺點也是顯而易見，由于MOS管有一個寄生的二極管，如果CD5V的濾波電容過大，或者后端有別的電壓串進來，會把前端給燒壞！電流路徑如下：后端電流路徑如何改善這個問題呢？有兩個方式，一種
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MOS管開關(guān)電路設(shè)計，用三極管控制會容易燒壞？

三極管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N溝道和P溝道的，三極管的三個引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E，而MOS管的三個引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。對于MOS管，我們在電路設(shè)計中都會遇到，那么應(yīng)該如何設(shè)計一個MOS管的開關(guān)電路呢？MOS管開關(guān)電路我們一般會用一個三極管去控制，如下圖！MOS管開關(guān)電路但是這個電路的缺點也是顯而易見，由于MOS管有一個寄生的二極管，如果CD5V的濾波電容過大，或者后端有別的電壓串進來，會把前端給燒壞！電流路徑如下：后端電流路徑如何改善這個問題呢？有兩個方式，一種
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MOS管及其外圍電路設(shè)計

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【干貨】使用 MOS管構(gòu)建雙向邏輯電平轉(zhuǎn)換器

今天可以大家分享的是：使用 MOS 管構(gòu)建一個簡單的雙向邏輯電平轉(zhuǎn)換器電路邏輯電壓電平的變化范圍很大，從1.8V-5V。標準邏輯電壓為5V、3.3V、1.8V等。但是，使用 5V邏輯電平的系統(tǒng)/控制器（如Arduino）如何與使用3.3V邏輯電平的另一個系統(tǒng)（如ESP8266）通信呢？這個時候就需要用到邏輯電平轉(zhuǎn)換器，這里還將介紹 MOS管構(gòu)建一個簡單的雙向邏輯電平轉(zhuǎn)換器電路。一、高電平和低電平輸入電壓從微處理器/微控制器方面來看，邏輯電平的值不是固定的，對此有一定的耐受性，例如，5V邏輯電平微控制器可以
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MOS管在BMS中的應(yīng)用方案

BMS確保電池高效安全運行，MOS管檢測過充、過放、過流等。電池電壓高低與MOS管選型相關(guān)，選擇時需注意熱設(shè)計、RDS(ON)和雪崩能量。微碧專注MOS產(chǎn)品20余年，適用于高性能BMS場景。BMS（電池管理系統(tǒng)）負責監(jiān)控、控制和保護電池，以確保電池的高效運行和安全性。MOS管在其中起到了檢測過充電，過放電，充放電過流等作用。在充電狀態(tài)時，當電池充電后過壓時，充電控制端會由高電平轉(zhuǎn)為低電平，從而使MOS管Q1關(guān)斷，充電回路被切斷，進入過電壓保護。當電池通過負載放電，電池電壓低于設(shè)定值時，放電控制端由高電平轉(zhuǎn)
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MOS管在LED非隔離器中的應(yīng)用方案

MOS管在LED非隔離電源中調(diào)節(jié)亮度和電流，確保LED穩(wěn)定工作并延長壽命。它作為開關(guān)元件、電流驅(qū)動器和保護器，提高電源穩(wěn)定性和安全性。選型時需注意額定電壓、電流、導(dǎo)通電阻和耐壓能力。推薦微碧半導(dǎo)體的MOS管產(chǎn)品，具有穩(wěn)定性和可靠性，適用于LED非隔離電源等場景。MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）被廣泛應(yīng)用于LED中，主要用于調(diào)節(jié)LED的亮度和電流，實現(xiàn)對LED的高效控制。在LED非隔離電源的應(yīng)用方案中，MOS管（絕緣柵場效應(yīng)管）扮演著關(guān)鍵性角色，提升LED非隔離電源的穩(wěn)定性和安全性。LED非隔離設(shè)計
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MOS管在汽車LED 中的應(yīng)用方案

LED汽車燈采用LED技術(shù)，提供外部照明和舒適光源。設(shè)計中需解決熱極限、EMC等挑戰(zhàn)。有源紋波補償Buck電路是關(guān)鍵，可提升LED驅(qū)動電源的可靠性與壽命。選擇適合的MOSFET可降低開關(guān)損耗，提高電源效率。選型時考慮功率、電壓、電流承受、開關(guān)速度、熱特性和封裝類型。微碧半導(dǎo)體的MOSFET產(chǎn)品具有卓越性能和可靠性，為汽車LED驅(qū)動提供解決方案。摘要由作者通過智能技術(shù)生成有用MOS管在汽車LED 中的應(yīng)用方案LED汽車燈已成為車輛照明領(lǐng)域的一大亮點，其采用LED技術(shù)，既能提供外部照明，又能為車內(nèi)帶來舒適的光
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mos管介紹

　　mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細 ]