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用結(jié)點(diǎn)溫度評(píng)估器件可靠性的案例分析

　　工程師在設(shè)計(jì)一款產(chǎn)品時(shí)用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計(jì)算分析后，換成了一顆5A的MOS管，問(wèn)題解決。為什么用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢?　　工程師在設(shè)計(jì)的過(guò)程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設(shè)計(jì)，案例分析我們放到最后說(shuō)，為了幫助理解，我們先引入一個(gè)概念：　　其中Tc為芯片的外殼溫度，PD為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結(jié)點(diǎn)溫度，目前大多數(shù)芯片的結(jié)點(diǎn)溫度為150℃，Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻，Rcs表示外殼至散熱片的熱阻，Rsa表示散熱片到
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開(kāi)關(guān)電源變壓器溫升過(guò)高問(wèn)題改善方法

在開(kāi)關(guān)電源變壓器的工作過(guò)程中，工程師不僅需要綜合考慮其設(shè)計(jì)構(gòu)造的合理性問(wèn)題，還需要嚴(yán)格把控其溫升范圍，以免出現(xiàn)溫升過(guò)高導(dǎo)致工作效率下降的問(wèn)題
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路詳解

使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也
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必藏！小功率 MOS管選型手冊(cè)

絕對(duì)要收藏的小功率 MOS管選型手冊(cè)。KD2300 N-Channel SOT23-3 封裝、電壓20V、內(nèi)阻28mOmega;、電流6A、可兼容、代用、代換、替換市面上各類型的23
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MOS管入門——只談應(yīng)用，不談原理

　　1、三個(gè)極怎么判定　　G極(gate)—柵極，不用說(shuō)比較好認(rèn)　　S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是　　D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊　　
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用MOS管防止電源反接的原理？

一般可以使用在電源的正極串入一個(gè)二極管解決，不過(guò)，由于二極管有壓降，會(huì)給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場(chǎng)合，本來(lái)電池電壓就3.7V，你就用
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如何確保MOS管工作在安全區(qū)？

電源工程師最怕什么?炸機(jī)!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問(wèn)題了呢?這一切都和SOA相關(guān)。我們知道開(kāi)關(guān)電源中MOSFE
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MOS管功率損耗竟然還可以這么測(cè)

　　MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC?MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢?　　1.1功率損耗的原理圖和實(shí)測(cè)圖　　一般來(lái)說(shuō)，開(kāi)關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖?1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過(guò)程”和“關(guān)閉過(guò)程”，小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”，而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以忽略不計(jì)?！　?? 　　圖?1開(kāi)關(guān)管工作的功
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電流檢測(cè)電路設(shè)計(jì)圖詳解 —電路圖天天讀（150）

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經(jīng)典電源保護(hù)電子電路設(shè)計(jì)精華盤點(diǎn) —電路圖天天讀（199）

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這幾個(gè)在LED驅(qū)動(dòng)電路中會(huì)常犯的錯(cuò)誤一定要避免！雙層電容LED電路解析

這幾個(gè)在LED驅(qū)動(dòng)電路中會(huì)常犯的錯(cuò)誤一定要避免！雙層電容LED電路解析-耐壓600V的MOSFET比較便宜，很多認(rèn)為L(zhǎng)ED燈具的輸入電壓一般是220V，所以耐壓600V足夠了，但是很多時(shí)候電路電壓會(huì)到340V，在有的時(shí)候，600V的MOSFET很容易被擊穿，從而影響了LED燈具的壽命，實(shí)際上選用600VMOSFET可能節(jié)省了一些成本但是付出的卻是整個(gè)電路板的代價(jià)，所以，不要選用600V耐壓的MOSFET，最好選用耐壓超過(guò)700V的MOSFET。
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LED溫度保護(hù)電路和最基本的照明LED設(shè)計(jì)方案解析

LED溫度保護(hù)電路和最基本的照明LED設(shè)計(jì)方案解析-隨著LED照明應(yīng)用的發(fā)展，國(guó)內(nèi)外廠家推出了很多用于驅(qū)動(dòng)LED的器件。其中美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司推出的LM3404及系列產(chǎn)品就是一款非常適用于中小功率LED光源的恒流驅(qū)動(dòng)芯片。
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低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計(jì)方案

低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計(jì)方案-本文研究了襯底驅(qū)動(dòng)MOS管技術(shù)和運(yùn)用這一技術(shù)進(jìn)行低電壓低功耗模擬電路設(shè)計(jì)的方法，并且運(yùn)用這種技術(shù)設(shè)計(jì)低電壓低功耗襯底驅(qū)動(dòng)跨導(dǎo)運(yùn)算放大器和電流差分跨導(dǎo)放大器。
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MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿？

MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿？-MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電（少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（想想U(xiǎn)=Q/C）將管子損壞），又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。
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防止電源反接的原理

防止電源反接的原理-　一般可以使用在電源的正極串入一個(gè)二極管解決，不過(guò)，由于二極管有壓降，會(huì)給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場(chǎng)合，本來(lái)電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得電池使用時(shí)間大減。
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mos管介紹

　　mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細(xì) ]