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MOS(場效應管)最常用的方法

  • MOS管使用方法1、NMOS管的主回路電流方向為D→S，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高）；2、PMOS管的主回路電流方向為S→D，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5~-10V（S電位比G電位高）。1、使用NMOS當下管，S極直接接地（為固定值），只需將G極電壓固定值6V即可導通；2、若使用NMOS當上管，D極接正電源，而S極的電壓不固定，無法確定控制NMOS導通的G極電壓，因為S極對地的電壓有兩種狀態(tài)，MOS管截止時為低電平，導通時接近高電平VCC。當然NMOS也是
  • 關鍵字： MOS管  電路設計  

為什么MOS管需要提升關斷速度？如何解決這個問題？

  • 今天咱們來聊聊為啥mos管開關得快點兒，還有怎么才能快點開關。mos管驅動有幾種方法，我們知道，其中有一種是用專門的驅動芯片驅動，我們就以這個驅動設計為主。說起mos管關斷，通常電壓會比開通時高，所以關斷的損失也會比開通時大，所以我們自然希望電路關斷的速度能更快些。那么，咱咋能讓mos管快些開關呢？咱們看看這張圖在mos管開通時，電阻R1和R4限制了電流，這樣就能給mos管電容充電；要注意的這兒，R1和R4的電阻值并非固定，而且，R1通常小于R4。當mos管關斷時，R4電阻上的電壓被限制在0.7V，一旦超
  • 關鍵字： MOS管  電路設計  

MOS管的導通條件和MOS驅動電流計算

  • **1. 關于MOS管的極限參數(shù)說明：**在以上圖中，我們需要持續(xù)關注的參數(shù)主要有：a. **ID（持續(xù)漏極電流）**：該參數(shù)含義是mos可以持續(xù)承受的電流值，在設計中，產(chǎn)品的實際通過電流值應遠小于該值，至少應小于1/3以下，例：該mos管的使用持續(xù)電流應小于50A。b. **PD（mos管的最大耗散功率）**：該參數(shù)是指設計中，實際通過mos管的電流與漏源兩端的電壓差值乘積，不應大于該值。 所以該值的很大程度取決于mos管中實際流過的電流值。c. **Vgs（柵源電壓范圍）**：該值表示在mos管的實際
  • 關鍵字： MOS管  電路設計  

碳化硅MOS管在三相逆變器上的應用

  • 三相逆變器的定義是將直流電能轉換為交流電能的轉換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構為四個功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個信號產(chǎn)生源，一個是固定幅值的三角波（調(diào)制波）發(fā)生器，一個為正弦波發(fā)生器，利用三角波對正弦波進行調(diào)制，就會得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列，調(diào)制比不同，一個正弦周期脈沖列數(shù)等于調(diào)制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言 三相逆變是指轉換出的交流電壓為三相，
  • 關鍵字： RS瑞森半導體  碳化硅  MOS管  

MOS管G極與S極之間的電阻作用

  • MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。MOS管內(nèi)部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數(shù)1.MOS管的米勒效應MOS管驅動之理想與現(xiàn)實理想的MOS管驅動波形應是方波，當Cgs達到門檻電壓之后， MOS管就會進入飽和導通狀態(tài)。而實際上在MOS管的柵極驅動過程中，會存在一個米勒平臺。米勒平臺實際上就是MOS管處于“放大區(qū)”的
  • 關鍵字： MOS管  

MOS管驅動電路設計

  • MOS管因為其導通內(nèi)阻低，開關速度快，因此被廣泛應用在開關電源上。而用好一個MOS管，其驅動電路的設計就很關鍵。下面分享幾種常用的驅動電路。電源IC直接驅動電源IC直接驅動是最簡單的驅動方式，應該注意幾個參數(shù)以及這些參數(shù)的影響?！?查看電源IC手冊的最大驅動峰值電流，因為不同芯片，驅動能力很多時候是不一樣的?！?了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大，MOS管導通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒有比較大的驅動峰值電流，那么管子導通的速度就比較慢，就達
  • 關鍵字： MOS管  驅動  電路  設計  

MOS管系列在服務器電源上的應用

  • 服務器電源是指使用在服務器上的電源（POWER），它和PC電源一樣，都是一種開關電源，指能夠將交流電轉換為服務器所需直流電的電源。一、前言 服務器電源是指使用在服務器上的電源（POWER），它和PC電源一樣，都是一種開關電源，指能夠將交流電轉換為服務器所需直流電的電源。服務器電源按照標準可以分為ATX電源和SSI電源等。ATX標準使用較為普遍，主要用于臺式機、工作站和低端服務器；而SSI標準是隨著服務器技術的發(fā)展而產(chǎn)生的，適用于各種檔次的機架式服務器。 二、產(chǎn)品應用及工作原理 
  • 關鍵字： 瑞森半導體  MOS管  

MOS管輸入電阻很高，為什么一遇到靜電就不行

  • MOS管輸入電阻很高，為什么一遇到靜電就不行了？MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿一般分為兩種類型：電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。MOS管被擊穿的原因及解決方案？· MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應
  • 關鍵字： MOS管  電阻  靜電  

MOS管驅動電路設計，如何讓MOS管快速開啟和關閉？

  • 關于MOS管驅動電路設計，本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關閉。一般認為MOSFET（MOS管）是電壓驅動的，不需要驅動電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結電容存在，這個電容會讓驅動MOS變的不那么簡單。下圖的3個電容為MOS管的結電容，電感為電路走線的寄生電感：如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關速度越快越好。因為開關時間越短，開關損耗越小，而在開關電源中開關損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅動電路的好壞直接決定了電源的效率。怎么做到MOS管的快速開啟和關閉呢？對于一個
  • 關鍵字： MOS管  驅動電路  設計  

【干貨】拋開教材，從實用的角度聊聊MOS管

  • 我們把單片機的一個IO口接到這個MOS管的gate端口，就可以控制這個燈泡的亮滅了。當然別忘了供電。當這個單片機的IO口輸出為高的時候，NMOS就等效為這個被閉合的開關，指示燈光就會被打開；那輸出為低的時候呢，這個NMOS就等效為這個開關被松開了，那此時這個燈光就被關閉，是不很簡單。當說到MOS管的時候呢，你的腦子里可能是一團糨糊的。DIAN CHAO在大部分的教材里都會告訴你長長的一段話：MOS管全稱金屬氧化半導體場效應晶體管，英文名Metal-Oxide-Semiconductor Field-Eff
  • 關鍵字： MOS管  

晶體管、MOS管、IGBT辨別與區(qū)分

  • 　　晶體管、MOS管、IGBT管是常見的電力電子控制器件。電流觸發(fā)晶體管只能控制開啟，不能控制關閉屬于半可控件;電壓觸發(fā)MOS管、IGBT管既可以控制開啟，也可以控制關斷屬于全可控件。搞懂控件的特點對電力電子器件維修尤為重要，小編根據(jù)所學及理解做如下總結，希望能給大家一些幫助。一、晶閘管　　1、別名：可控硅是一種大功率半導體器件，常用做交流開關，觸發(fā)電流>50毫安　　2、特點：體積小、重量輕、無噪聲、壽命長、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率　　3、主要應用領域：整流、逆變、變頻、斬波（直流-
  • 關鍵字： IGBT  晶體管  MOS管  

PFC電路MOS管應用電路振蕩問題分析

  • 本文介紹了傳統(tǒng)PFC電路MOS管在應用過程中產(chǎn)生振蕩的機理，通過具體的案例詳細分析了因MOS振蕩引起損壞的原因，并結合實際應用給出具體的解決措施和方案，通過實驗及大批量的生產(chǎn)驗證表明，措施有效，穩(wěn)定且可靠，對PFC電路MOS管應用電路及參數(shù)匹配具有重要的借鑒和參考意義。
  • 關鍵字： 202008  PFC電路  MOS管  振蕩  MOSFET  202008  

使用MOS管的注意事項

  • MOS管由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^7~10^12Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
  • 關鍵字： MOS管  互補MOS  

萬用表測試MOS管使用及更換總是很難？看看這個吧！（二）

  • 　　現(xiàn)在由于生產(chǎn)工藝的進步，出廠的篩選、檢測都很嚴格，我們一般判斷只要判斷MOS管不漏電、不擊穿短路、內(nèi)部不斷路、能放大就可以了，方法極為簡單：　　采用萬用表的R×10K擋;R×10K擋內(nèi)部的電池一般是9V加1.5V達到10.5V這個電壓一般判斷PN結點反相漏電是夠了，萬用表的紅表筆是負電位(接內(nèi)部電池的負極)，萬用表的黑表筆是正電位(接內(nèi)部電池的正極)，如上圖所示?！　?)測試步驟：　　把紅表筆接到MOS管的源極S;把黑表筆接到MOS管的漏極D，此時表針指示應該為無窮大，如下圖所示。如果有歐姆指數(shù)，說明
  • 關鍵字： MOS管  萬用表  

六個可能讓MOS管失效的原因分析

  • 　　目前在市場應用方面，排名第一的是消費類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應用領域排名第二的是計算機主板、NB、計算機類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品，隨著國情的發(fā)展計算機主板、計算機類適配器、LCD顯示器對MOS管的需求有要超過消費類電子電源適配器的現(xiàn)象了?！　〉谌木蛯倬W(wǎng)絡通信、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設備領域了，這些產(chǎn)品對于MOS管的需求也是很大的，特別是現(xiàn)在汽車電子對于MOS管的需求直追消費類電子了?！　　　∠旅鎸OS失效的原因總結以下六點，然后對1，2重點進行分析：　　雪崩失效(電壓失效)，也就
  • 關鍵字： MOS管  
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mos管介紹

　　mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。 　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細 ]

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