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MOS管驅(qū)動電流估算

例：FDH45N50F如下參數(shù)：有人可能會這樣計算：開通電流帶入數(shù)據(jù)得關(guān)斷電流帶入數(shù)據(jù)得于是乎得出這樣的結(jié)論，驅(qū)動電流只需 250mA左右即可。仔細想想這樣計算對嗎？這里必須要注意這樣一個條件細節(jié)，RG=25Ω。所以這個指標(biāo)沒有什么意義。應(yīng)該怎么計算才對呢？其實應(yīng)該是這樣的，根據(jù)產(chǎn)品的開關(guān)速度來決定開關(guān)電流。根據(jù)I=Q/t，獲得了具體MOS管Qg數(shù)據(jù)，和我們線路的電流能力，就可以獲得Ton= Qg/I。比如45N50，它在Vgs=10V，VDS=400V，Id=48A的時候，Qg=105nC。如果用1A的
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MOS管基礎(chǔ)及選型指南

MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢，在開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來越普遍的應(yīng)用。▉ 場效應(yīng)管分類場效應(yīng)管分為結(jié)型（JFET）和金屬-氧化物-半導(dǎo)體型（MOSFET）兩種類型。JFET的英文全稱是Junction Field-Effect Transistor，也
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MOS管的三個極怎么判定？

相信很多工程師在使用電子測量儀器的時候大家都了解MOS管，下面一起看看MOS管究竟是什么。1. MOS的三個極怎么判定？MOS管符號上的三個腳，辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方：G極，不用說比較好認(rèn)。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是。D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨引線的那邊。2. 是N溝道還是P溝道？三個腳的極性判斷完后，接下就該判斷是P溝道還是N溝道了：當(dāng)然也可以先判斷溝道類型，再判斷三個腳極性。判斷溝道之后，再判斷三個腳極性。3. 寄生二極管的方向如何判定？接下來，是寄生二極管的方向判斷：它的
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MOS驅(qū)動好不好，波形一看就知道

如何從MOS管的驅(qū)動波形來判斷驅(qū)動好不好，到底是哪里出了問題？本文分享幾種常見的MOS管驅(qū)動波形。基礎(chǔ)知識一般認(rèn)為三極管是電流驅(qū)動型，所以驅(qū)動三極管，要在基極提供一定的電流。一般認(rèn)為MOS管是電壓驅(qū)動型，所以驅(qū)動MOS管，只需要提供一定的電壓，不需要提供電流。實際是這樣嗎？由于MOS管的制作工藝，決定了本身GS之間有結(jié)電容以及GD之間有彌勒電容，DS也有寄生電容，這使得MOS管的驅(qū)動變得不那么簡單。備注：如下圖為軟件繪制，示意圖僅供參考，便于理解。1、MOS正常驅(qū)動波形描述：MOS一般是慢開快關(guān)，上升沿相
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MOS(場效應(yīng)管)最常用的方法

MOS管使用方法1、NMOS管的主回路電流方向為D→S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高）；2、PMOS管的主回路電流方向為S→D，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5~-10V（S電位比G電位高）。1、使用NMOS當(dāng)下管，S極直接接地（為固定值），只需將G極電壓固定值6V即可導(dǎo)通；2、若使用NMOS當(dāng)上管，D極接正電源，而S極的電壓不固定，無法確定控制NMOS導(dǎo)通的G極電壓，因為S極對地的電壓有兩種狀態(tài)，MOS管截止時為低電平，導(dǎo)通時接近高電平VCC。當(dāng)然NMOS也是
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為什么MOS管需要提升關(guān)斷速度？如何解決這個問題？

今天咱們來聊聊為啥mos管開關(guān)得快點兒，還有怎么才能快點開關(guān)。mos管驅(qū)動有幾種方法，我們知道，其中有一種是用專門的驅(qū)動芯片驅(qū)動，我們就以這個驅(qū)動設(shè)計為主。說起mos管關(guān)斷，通常電壓會比開通時高，所以關(guān)斷的損失也會比開通時大，所以我們自然希望電路關(guān)斷的速度能更快些。那么，咱咋能讓mos管快些開關(guān)呢？咱們看看這張圖在mos管開通時，電阻R1和R4限制了電流，這樣就能給mos管電容充電；要注意的這兒，R1和R4的電阻值并非固定，而且，R1通常小于R4。當(dāng)mos管關(guān)斷時，R4電阻上的電壓被限制在0.7V，一旦超
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MOS管的導(dǎo)通條件和MOS驅(qū)動電流計算

**1. 關(guān)于MOS管的極限參數(shù)說明：**在以上圖中，我們需要持續(xù)關(guān)注的參數(shù)主要有：a. **ID（持續(xù)漏極電流）**：該參數(shù)含義是mos可以持續(xù)承受的電流值，在設(shè)計中，產(chǎn)品的實際通過電流值應(yīng)遠小于該值，至少應(yīng)小于1/3以下，例：該mos管的使用持續(xù)電流應(yīng)小于50A。b. **PD（mos管的最大耗散功率）**：該參數(shù)是指設(shè)計中，實際通過mos管的電流與漏源兩端的電壓差值乘積，不應(yīng)大于該值。所以該值的很大程度取決于mos管中實際流過的電流值。c. **Vgs（柵源電壓范圍）**：該值表示在mos管的實際
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碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用

三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構(gòu)為四個功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負(fù)載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個信號產(chǎn)生源，一個是固定幅值的三角波（調(diào)制波）發(fā)生器，一個為正弦波發(fā)生器，利用三角波對正弦波進行調(diào)制，就會得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列，調(diào)制比不同，一個正弦周期脈沖列數(shù)等于調(diào)制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言三相逆變是指轉(zhuǎn)換出的交流電壓為三相，
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MOS管G極與S極之間的電阻作用

MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。MOS管內(nèi)部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數(shù)1.MOS管的米勒效應(yīng)MOS管驅(qū)動之理想與現(xiàn)實理想的MOS管驅(qū)動波形應(yīng)是方波，當(dāng)Cgs達到門檻電壓之后， MOS管就會進入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。而實際上在MOS管的柵極驅(qū)動過程中，會存在一個米勒平臺。米勒平臺實際上就是MOS管處于“放大區(qū)”的
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MOS管驅(qū)動電路設(shè)計

MOS管因為其導(dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管，其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。電源IC直接驅(qū)動電源IC直接驅(qū)動是最簡單的驅(qū)動方式，應(yīng)該注意幾個參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。· 查看電源IC手冊的最大驅(qū)動峰值電流，因為不同芯片，驅(qū)動能力很多時候是不一樣的?！?了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大，MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒有比較大的驅(qū)動峰值電流，那么管子導(dǎo)通的速度就比較慢，就達
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MOS管系列在服務(wù)器電源上的應(yīng)用

服務(wù)器電源是指使用在服務(wù)器上的電源（POWER），它和PC電源一樣，都是一種開關(guān)電源，指能夠?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為服務(wù)器所需直流電的電源。一、前言服務(wù)器電源是指使用在服務(wù)器上的電源（POWER），它和PC電源一樣，都是一種開關(guān)電源，指能夠?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為服務(wù)器所需直流電的電源。服務(wù)器電源按照標(biāo)準(zhǔn)可以分為ATX電源和SSI電源等。ATX標(biāo)準(zhǔn)使用較為普遍，主要用于臺式機、工作站和低端服務(wù)器；而SSI標(biāo)準(zhǔn)是隨著服務(wù)器技術(shù)的發(fā)展而產(chǎn)生的，適用于各種檔次的機架式服務(wù)器。二、產(chǎn)品應(yīng)用及工作原理
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MOS管輸入電阻很高，為什么一遇到靜電就不行

MOS管輸入電阻很高，為什么一遇到靜電就不行了？MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿一般分為兩種類型：電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。MOS管被擊穿的原因及解決方案？· MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)
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MOS管驅(qū)動電路設(shè)計，如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉？

關(guān)于MOS管驅(qū)動電路設(shè)計，本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉。一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單。下圖的3個電容為MOS管的結(jié)電容，電感為電路走線的寄生電感：如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好。因為開關(guān)時間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動電路的好壞直接決定了電源的效率。怎么做到MOS管的快速開啟和關(guān)閉呢？對于一個
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【干貨】拋開教材，從實用的角度聊聊MOS管

我們把單片機的一個IO口接到這個MOS管的gate端口，就可以控制這個燈泡的亮滅了。當(dāng)然別忘了供電。當(dāng)這個單片機的IO口輸出為高的時候，NMOS就等效為這個被閉合的開關(guān)，指示燈光就會被打開；那輸出為低的時候呢，這個NMOS就等效為這個開關(guān)被松開了，那此時這個燈光就被關(guān)閉，是不很簡單。當(dāng)說到MOS管的時候呢，你的腦子里可能是一團糨糊的。DIAN CHAO在大部分的教材里都會告訴你長長的一段話：MOS管全稱金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，英文名Metal-Oxide-Semiconductor Field-Eff
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晶體管、MOS管、IGBT辨別與區(qū)分

　　晶體管、MOS管、IGBT管是常見的電力電子控制器件。電流觸發(fā)晶體管只能控制開啟，不能控制關(guān)閉屬于半可控件;電壓觸發(fā)MOS管、IGBT管既可以控制開啟，也可以控制關(guān)斷屬于全可控件。搞懂控件的特點對電力電子器件維修尤為重要，小編根據(jù)所學(xué)及理解做如下總結(jié)，希望能給大家一些幫助。一、晶閘管　　1、別名：可控硅是一種大功率半導(dǎo)體器件，常用做交流開關(guān)，觸發(fā)電流>50毫安　　2、特點：體積小、重量輕、無噪聲、壽命長、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率　　3、主要應(yīng)用領(lǐng)域：整流、逆變、變頻、斬波（直流-
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mos管介紹

　　mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細 ]