反激式DC/DC電源的集成化研究

圖5上半部分是負(fù)載為40Ω時(shí)的波形，圖5下半部分是負(fù)載為30Ω時(shí)的波形。由圖5可知，在不同負(fù)載下，MOSFET器件開(kāi)關(guān)的占空比是不相同的，負(fù)載大則MOSFET器件的導(dǎo)通時(shí)間長(zhǎng)。

2）輸入電壓變化時(shí)輸出電壓的動(dòng)態(tài)特性

當(dāng)輸入電壓發(fā)生變化時(shí)，輸出電壓也會(huì)在瞬間隨著發(fā)生變化，由于輸入電壓的變化直接導(dǎo)致輸入電流的變化，在電流采樣電阻上的壓降的上升斜率隨著變化，可以直接導(dǎo)致輸出占空比的改變，同時(shí)，輸出電壓的反饋環(huán)節(jié)同樣起著調(diào)節(jié)作用。圖6為輸入電壓變化時(shí)輸出電壓的變化情況。

圖6（a）為輸入電壓由200V減小到150V時(shí)的輸出電壓的波形。從圖中可以看出，經(jīng)過(guò)短暫的時(shí)間調(diào)整后，輸出電壓重新趨向于穩(wěn)定值，并且輸出電壓的變化非常小。

圖6（b）為輸入電壓由150V變到200V時(shí)的輸出電壓波形。

圖6 輸入電壓變化時(shí)輸出電壓的動(dòng)態(tài)特性

4 結(jié)語(yǔ)

本文在給出反激電路拓?fù)涞幕A(chǔ)上，通過(guò)實(shí)際的分立元器件搭構(gòu)實(shí)現(xiàn)該拓?fù)?。給出多組試驗(yàn)波形，以此分析了驅(qū)動(dòng)控制電路的特點(diǎn)以及工作性能。試驗(yàn)證明，這種電路控制方法簡(jiǎn)潔，性能優(yōu)良。該電路不僅可以應(yīng)用于反激式電路，也可以應(yīng)用于正激式和其它DC/DC電路中。由于所有元器件由分立元器件搭構(gòu)，這就為將來(lái)的集成化，以至最終研制芯片提供了基礎(chǔ)，驗(yàn)證了可行性。