反激式DC/DC電源的集成化研究

圖3 啟動電路圖

該啟動電路由雙極性晶體管Q1，穩(wěn)壓二極管D1,D3和二極管D2以及電容C1構(gòu)成。在電路啟動的初期，輸入的直流電源通過雙極性晶體管Q1給電容C1充電，使電路開始工作。等到反饋的電壓值Feedback比電路中的穩(wěn)壓二極管D1的穩(wěn)壓值大時，雙極性晶體管Q1被關(guān)斷，該電路停止工作。PWM比較器的工作電壓由Feedback信號提供。這種電路的優(yōu)點(diǎn)是可以有效地減小損耗，而很多國外產(chǎn)品的啟動電路是由大電阻和電容構(gòu)成，因而在電阻上將會有一定的損耗。

在圖1的驅(qū)動控制電路中，我們還可以看到，該電路有逐周電流檢測功能。逐周的峰值漏極電流限制電路以原邊電流的采樣電阻作為檢測電阻。器件內(nèi)部的PI調(diào)節(jié)器的輸出值設(shè)有＋5V的電壓限制，而采樣電阻上的電壓值放大5倍后與PI調(diào)節(jié)器的輸出值進(jìn)行比較，故設(shè)計電路時就可以精確地計算出電流峰值，通過選定采樣電阻值和原副邊的匝數(shù)比來進(jìn)行電流限制。當(dāng)MOSFET的漏極電流太大使采樣電阻上的壓降放大后超過＋5V的閾值時，MOSFET就會被關(guān)斷，直到下一個時鐘周期開始。

3 動態(tài)性能試驗

1）負(fù)載變化時輸出電壓的動態(tài)特性

當(dāng)負(fù)載變化時，輸出電壓也在瞬間變化，然后反饋到控制引腳，器件內(nèi)部的控制電路就會做出相應(yīng)的調(diào)整，改變MOSFET器件開關(guān)的占空比，以實現(xiàn)輸出電壓穩(wěn)定的目的。

圖4（a）是負(fù)載變小時輸出電壓波形的變化情況。負(fù)載變小，輸出電壓變大，導(dǎo)致電壓反饋的誤差放大值變小，脈寬調(diào)制器的輸出波形的占空比變小，使輸出電壓變小，最終使輸出電壓趨向于穩(wěn)定值。此時，輸出電壓的反饋值為＋5V。

圖4（b）是負(fù)載變大時的輸出電壓波形。同理，可以分析出輸出電壓的變化過程。

圖4 負(fù)載變化時輸出電壓的動態(tài)特性圖

在同一個輸入電壓不同負(fù)載情況下MOSFET器件的uDS的波形如圖5所示。

圖5 負(fù)載變化時開關(guān)管的uds波形