SEZ推出單晶圓FEOL光阻去除創(chuàng)新解決方案

美國加利福尼亞州舊金山市，SEMICON WEST—2006年7月10日訊—業(yè)界領先的服務于半導體行業(yè)的單晶濕式處理解決方案首要創(chuàng)新者SEZ（瑟思）集團 (瑞士股票交易市場SWX代碼：SEZN)于今日宣布集團己開發(fā)出新型化學制程，將極大地改善前段制程（FEOL）中的光阻去除制程 。SEZ的專有技術Enhanced Sulfuric Acid™ (ESA™) 去除制程能夠利用一系列以硫酸為主的化學試劑，極大地縮減了目前在光阻去除機或者批式環(huán)境中實施的光阻去除制程的步驟：光阻重修、蝕刻植入后和光阻去除以及在等離子光阻去除制程之后的殘留物去除等。在數(shù)個重要客戶的單反應室R&D設備上進行的評估實驗證明，這一全濕式化學方法取得了令人振奮的效果，而且預計在本年度后期，實施在SEZ多反應室FEOL的量產生產設備上時，有望取得更大的進步。

光阻去除是一個耗時、耗成本的制程。在FEOL需要將近20個或更多的步驟來完成，其中植入后的光阻去除需要12到15次。由于在整個濕式清洗過程中，等離子光阻去除導致硅片的氧化和后來的氧化物去除，反復地執(zhí)行這一步驟會導致嚴重的硅片累積損失，進而極大地降低了晶體管的性能。芯片制造商們需要的是能夠應對這些挑戰(zhàn)的清洗制程－在縮減整體步驟的同時，盡可能地減少硅片損失，而且能夠確保更短的制程時間，以及實實在在的成本節(jié)約。 通過與關鍵客戶的緊密合作，SEZ集團充分利用了在單晶圓層面的專家技術，開發(fā)出了靈活的全濕式化學方法，消除了對等離子光阻去除的需求，進而避免了因高溫而產生的缺陷。與批式設備相比，單晶圓設備實現(xiàn)了一系列的優(yōu)勢：更好的缺陷控制（雜質顆粒在晶圓之間或者在晶圓晶背之間的轉移減少）；更好的制程控制（均勻性得以改善，基材損失控制在最?。?；以及更優(yōu)化的耗材利用率（單晶圓設備能夠循環(huán)使用化學試劑）。

SEZ集團執(zhí)行副總裁兼首席運營官Kurt Lackenbucher先生表示：“通過我們的技術，毫無疑問地，我們在FEOL光阻去除應用方面的解決方案能夠充分滿足客戶最直接、最緊迫的需求，而且能夠創(chuàng)造出在FEOL制程范疇內實施單晶圓方法的重要機遇。ESA去除制程和SEZ即將誕生的FEOL平臺的結合將創(chuàng)造出能夠迅速量產的、高性能解決方案，在一個靈活的單晶圓設備上實現(xiàn)了光阻去除和殘留物清除。這一解決方案象征著SEZ集團沿著我們的技術藍圖又邁出了新的戰(zhàn)略性步伐，即專注于可預見的客戶需求，推動單晶圓技術在整個制造環(huán)節(jié)的部署?！?

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SEZ的ESA去除制程利用了一種增強的硫酸清洗，溫度最高可以達到140