SEMI保守預(yù)測(cè)未來(lái)兩年全球晶圓產(chǎn)能

　　根據(jù) SEMI 發(fā)布的最新全球晶圓廠預(yù)測(cè)(World Fab Forecast)，預(yù)估全球晶圓產(chǎn)能在2010和2011年將分別有8%的成長(zhǎng)，而2012年將成長(zhǎng)9%;相較于2003~2007年的每年兩位數(shù)成長(zhǎng)，SEMI對(duì)明后年的預(yù)估相對(duì)審慎保守。

　　若從產(chǎn)業(yè)區(qū)隔來(lái)觀察2004年以來(lái)的產(chǎn)能年成長(zhǎng)率， LED產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)最突出，過(guò)去六年來(lái)都以兩位數(shù)的速度疾速成長(zhǎng)。而過(guò)去由內(nèi)存產(chǎn)業(yè)帶領(lǐng)產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的局面已經(jīng)改變，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)率由過(guò)去是晶圓代工廠的兩倍，到2012年將維持和晶圓代工廠相當(dāng)。

　　在制程技術(shù)升級(jí)和持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)的需求驅(qū)動(dòng)下，晶圓廠支出在2011年將成長(zhǎng)18.3%，2012年再成長(zhǎng)9.5%。其中又以內(nèi)存、晶圓代工和MPU支出最為明顯。2011年的晶圓廠投資中，在建廠方面的支出減少11%，由于各家廠商目前沒(méi)有宣布明確的新廠建置計(jì)劃，2012年的建廠支出尚未明朗。

　　相對(duì)于建廠支出的減少，2011年晶圓廠在制程相關(guān)設(shè)備的投資金額預(yù)估將提高23%，達(dá)到400億美元，超越2007年的水準(zhǔn)，創(chuàng)下19年來(lái)的最高紀(jì)錄。2010年半導(dǎo)體設(shè)備支出前三名的領(lǐng)域別則為內(nèi)存、晶圓廠和MPU。

　　但是報(bào)告也指出，未來(lái)兩年半導(dǎo)體新廠的建置計(jì)劃明顯銳減， SEMI 資深產(chǎn)業(yè)研究經(jīng)理曾瑞榆表示：“由于新廠需要18~24個(gè)月的規(guī)劃、建置、設(shè)備裝機(jī)、認(rèn)證和試營(yíng)運(yùn)，如果上線時(shí)間太慢，擔(dān)心兩年后半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)動(dòng)能可能會(huì)不足。”

　　值得注意的是，消費(fèi)者對(duì)于許多新應(yīng)用和電子裝置的需求讓NAND成為成長(zhǎng)最快速的市場(chǎng)之一，NAND的價(jià)格下降則更加速市場(chǎng)需求和成長(zhǎng)。