華為發(fā)布業(yè)界首個(gè)全液冷兆瓦快充，碳化硅芯片受關(guān)注

4月22日舉辦的“2025華為智能電動(dòng)&智能充電網(wǎng)絡(luò)發(fā)布會(huì)"上，華為重磅發(fā)布了業(yè)界首個(gè)全液冷兆瓦快充解決方案。僅15分就能讓300度的電池包完成滿電循環(huán)，補(bǔ)能效率較傳統(tǒng)快充樁提升近4倍。搭載自主研發(fā)的碳化硅芯片，能量密度是傳統(tǒng)硅基器件的3倍，配合智能功率分配算法，可動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)輸出功率，避免對(duì)電網(wǎng)造成沖擊。國元證券表示，2025年新能源汽車銷量和滲透率有望持續(xù)攀高，中低端車型受競(jìng)爭(zhēng)激烈?guī)?dòng)價(jià)格下沉，及智能駕駛下沉中低端車型市場(chǎng)，將有望帶動(dòng)IGBT在汽車上的出貨需求。隨著30萬以上純電動(dòng)車型比重提升、400V向800V升級(jí)，疊加碳化硅整體成本持續(xù)下降，將推動(dòng)碳化硅模組在中高端車型上的滲透率持續(xù)提升。未來隨著碳化硅襯底產(chǎn)能和良率的提升，疊加8英寸襯底量產(chǎn)，成本持續(xù)下降，預(yù)計(jì)2026年碳化硅模組與IGBT模組的價(jià)差從2-3倍收窄至1.5倍以下，屆時(shí)將有望打開規(guī)?；瘧?yīng)用空間。