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GaN功率芯片走向成熟,納微GaNSense開啟智能集成時代

- GaN(氮化鎵)作為新興的第三代寬禁帶半導體材料,以高頻、高壓等為特色。但是長期以來,在功率電源領(lǐng)域,處于常規(guī)的Si(硅)和熱門的SiC(碳化硅)應用夾縫之間。GaN產(chǎn)品的市場前景如何?GaN技術(shù)有何新突破?不久前,消費類GaN(氮化鎵)功率解決方案供應商——納微半導體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片,采用了專利的GaNSense?技術(shù)。值此機會,電子產(chǎn)品世界的記者采訪了銷售營運總監(jiān)李銘釗、高級應用總監(jiān)黃秀成、高級研發(fā)總監(jiān)徐迎春。圖 從左至右:納微半導體級的高級應用總監(jiān)黃秀成、銷售營運總監(jiān)李銘
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蘋果證實:新上架的 140W 電源適配器為其首款 GaN 充電器

- 10月19日消息,據(jù)The Verge報道,蘋果公司向其證實,新上架的140W USB-C電源適配器是蘋果首款GaN充電器。 與傳統(tǒng)充電器相比,GaN充電器的更小、更輕,同時支持大功率?! 〈送?,蘋果公司還確認,140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標準,這意味著該充電器可以為其他支持該標準的設(shè)備充電?! ⌒碌?40W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線現(xiàn)已在蘋果中國官網(wǎng)上架?! ∑渲?,140W USB-C電源適配器的價格為729元,USB-C轉(zhuǎn)MagSa
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InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度

- 2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數(shù)字控制電源(PPS)適配器應用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案,不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護等卓越性能,同時還能顯著減少BOM,非常適合要求具備超薄小巧外形的應用設(shè)計?! ⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝,內(nèi)部集成
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集邦咨詢:新能源車需求助攻GaN功率元件
- TrendForce集邦咨詢表示,2021年隨著各國于5G通訊、消費性電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換及新能源車等需求拉升,驅(qū)使如基站、能源轉(zhuǎn)換器(Converter)及充電樁等應用需求大增,使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中,以GaN功率元件成長幅度最高,預估今年營收將達8,300萬美元,年增率高達73%。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究,GaN功率元件,其主要應用大宗在于消費性產(chǎn)品,至2025年市場規(guī)模將達8.5億美元,年復合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源車20
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ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)

- 氮化鎵(GaN)是一種III/V族寬能隙化合物半導體材料,能隙為3.4eV,電子遷移率為1,700 cm2/Vs,而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此,GaN的固有特性,讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻,亦即相較于同尺寸的硅基組件,GaN可處理更大的負載、效能更高,而且物料清單成本更低。在過去的十多年里,產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預測,GaN功率開關(guān)組件的黃金時期即將到來。相較于應用廣泛的MOSFET硅功率組件,GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力,這
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德州儀器宣布與中車株洲所簽署升級聯(lián)合設(shè)計實驗室合作備忘錄
- 德州儀器(TI)今日宣布與中國領(lǐng)先的軌道交通設(shè)備制造商中車株洲電力機車研究所有限公司(后簡稱“株洲所”)簽署諒解備忘錄,升級共同運營的聯(lián)合設(shè)計實驗室,實現(xiàn)更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車株洲所運用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品和技術(shù),加速包括軌道交通,電動汽車等方面的應用設(shè)計以助力中國新基建關(guān)鍵領(lǐng)域建設(shè)。合作還將拓展至太陽能和風能等可再生能源方面的應用,以響應中國在2060年實現(xiàn)碳中和的宏偉目標。德州儀器(TI)與中車株洲電力機車研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動中國城際軌道交通系統(tǒng)的快速
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Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行
- 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比,新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS),特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應用

- GaN(氮化鎵)作為新一代半導體材料,正有越來越廣泛的應用。近日,德州儀器(TI)宣布其首款帶集成驅(qū)動器、內(nèi)部保護和有源電源管理的GaN FET,分別面向車用充電器和工業(yè)電源,可以實現(xiàn)2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機會?此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么?為此,電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應用產(chǎn)品業(yè)務部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
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第三代芯片徹底火了!45家公司實證涉足三代半導體
- 延續(xù)9月4日以來的火熱行情,9月17日,A股第三代半導體概念股持續(xù)強勁,雙良節(jié)能、易事特漲停,多只概念股個股漲超7%。證券時報·e公司記者梳理發(fā)現(xiàn),截至9月17日,已通過深交所互動易或公告形式披露公司確有第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈業(yè)務,或已積累相關(guān)技術(shù)專利等的A股公司共有45家,其中23家上市公司在第三代半導體方面有實際業(yè)務,或已出貨相關(guān)產(chǎn)品,但多數(shù)為小批量出貨,銷售收入占上市公司比例較小。三代半導體概念持續(xù)火熱近段時間以來,以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)概念股異軍突起,成為低迷震蕩行情下一道亮
- 關(guān)鍵字: 第三代芯片 三代半導體 GaN
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