spi nor flash 文章進(jìn)入spi nor flash技術(shù)社區(qū)

復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲(chǔ)器新品

4月27日，上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會(huì)，推出FM25/FM29系列SLC NAND，F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車(chē)規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲(chǔ)新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿足6萬(wàn)次擦寫(xiě)次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車(chē)載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、
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英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品

【2023 年 04 月 10日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品。這種存儲(chǔ)器經(jīng)過(guò)專門(mén)優(yōu)化，適合在電池供電的小型電子設(shè)備中使用。健身追蹤器、智能耳機(jī)、健康監(jiān)測(cè)儀、無(wú)人機(jī)和 GPS 導(dǎo)航等新型可穿戴應(yīng)用及工業(yè)應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，有助于實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)跟蹤、記錄關(guān)鍵信息、增強(qiáng)安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進(jìn)的功能和使用場(chǎng)景要求在體積更小的電子設(shè)備中配備更大容量的存儲(chǔ)器。據(jù)Omdia 數(shù)據(jù)顯示，藍(lán)牙耳
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如何優(yōu)化MCU SPI驅(qū)動(dòng)程序以實(shí)現(xiàn)高ADC吞吐速率

隨著技術(shù)的進(jìn)步，低功耗物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和邊緣/云計(jì)算需要更精確的數(shù)據(jù)傳輸。圖1展示的無(wú)線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)是一個(gè)帶有24位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的高精度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。在此我們通常會(huì)遇到這樣一個(gè)問(wèn)題，即微控制單元(MCU)能否為數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器提供高速的串行接口。本文描述了設(shè)計(jì)MCU和ADC之間的高速串行外設(shè)接口(SPI)關(guān)于數(shù)據(jù)事務(wù)處理驅(qū)動(dòng)程序的流程，并簡(jiǎn)要介紹了優(yōu)化SPI驅(qū)動(dòng)程序的不同方法及其ADC與MCU配置。本文還詳細(xì)介紹了SPI和直接存儲(chǔ)器訪問(wèn)(DMA)關(guān)于數(shù)據(jù)事務(wù)處理的示例代碼。最后，本文演示了在不同MCU（AD
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預(yù)估第二季NAND Flash均價(jià)續(xù)跌5~10%，能否止跌端看下半年需求

即便原廠持續(xù)進(jìn)行減產(chǎn)，然需求端如服務(wù)器、智能手機(jī)、筆電等需求仍未見(jiàn)起色，NAND Flash市場(chǎng)仍處在供給過(guò)剩狀態(tài)，故TrendForce集邦咨詢預(yù)估，第二季NAND Flash均價(jià)仍將持續(xù)下跌，環(huán)比下跌幅度收斂至5~10%。而后續(xù)恢復(fù)供需平衡的關(guān)鍵在于原廠是否有更大規(guī)模的減產(chǎn)，TrendForce集邦咨詢認(rèn)為若目前需求端未再持續(xù)下修，NAND Flash均價(jià)有機(jī)會(huì)在第四季止跌反彈，反之，若旺季需求端持續(xù)疲弱，均價(jià)反彈時(shí)間恐再延后。Client SSD方面，目前PC OEM零部件庫(kù)存去化已見(jiàn)成
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NAND Flash 大降價(jià)，固態(tài)硬盤(pán)取代機(jī)械硬盤(pán)指日可待

相信有很多小伙伴已經(jīng)注意到了，目前市場(chǎng)上很多固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤(pán)所需的 NAND 芯片降價(jià)導(dǎo)致的。根據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示，NAND Flash 市場(chǎng)自 2022 年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫(kù)存加以應(yīng)對(duì)，此情況導(dǎo)致第四季 NAND Flash 合約價(jià)格下跌 20-25%，其中 Enterprise SSD（企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)）是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約 23-28%。這對(duì)于 NAND 芯片廠商來(lái)說(shuō)并不是什么好消息，但對(duì)于普通消費(fèi)者來(lái)說(shuō)，我們確實(shí)能買(mǎi)到更便宜的固態(tài)
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存儲(chǔ)器廠商Q1虧損恐難逃

由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續(xù)跌，加上庫(kù)存水位過(guò)高，終端消費(fèi)支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國(guó)三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫(kù)存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價(jià)導(dǎo)致?tīng)I(yíng)收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，三星電子3月19日提交給韓國(guó)金融監(jiān)督院的申報(bào)文件中指出，截至去年第四季，整體庫(kù)存資產(chǎn)達(dá)到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠(yuǎn)高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營(yíng)收比重最高的半導(dǎo)
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存儲(chǔ)大廠展示300層NAND Flash，預(yù)計(jì)最快2024年問(wèn)世

近日，在第70屆IEEE國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器預(yù)定兩年內(nèi)上市，有望打破紀(jì)錄。外媒報(bào)導(dǎo)，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲(chǔ)存等級(jí)的第八代3D NAND Flash開(kāi)發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁(yè)容量、四個(gè)平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達(dá)194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
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均價(jià)跌幅擴(kuò)大，2022年第四季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌25%

TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，NAND Flash市場(chǎng)自2022年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫(kù)存加以應(yīng)對(duì)，此情況導(dǎo)致第四季NAND Flash合約價(jià)格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約23~28%。在原廠積極降價(jià)求量的同時(shí)，客戶為避免零部件庫(kù)存再攀高，備貨態(tài)度消極，使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長(zhǎng)僅5.3%，平均銷售單價(jià)環(huán)比減少22.8%，2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比下跌25.0%，達(dá)
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NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成

消費(fèi)性固態(tài)硬盤(pán)（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過(guò)去二年作為推動(dòng)全球NAND Flash需求位成長(zhǎng)的要角，市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦預(yù)估，2022年消費(fèi)性SSD在筆電的滲透率達(dá)92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場(chǎng)，加上總經(jīng)不佳導(dǎo)致消費(fèi)性電子需求急凍，未來(lái)消費(fèi)性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長(zhǎng)受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費(fèi)性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費(fèi)性SSD在近期迅速跌價(jià)后，已與半年前256GB報(bào)價(jià)相近，甚至
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基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，越來(lái)越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來(lái)進(jìn)行大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據(jù)NAND FLASH的特點(diǎn)，需要識(shí)別NAND FLASH芯片的壞塊并進(jìn)行管理。FPGA對(duì)壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進(jìn)行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設(shè)計(jì)方法，利用FPGA中RAM模塊，設(shè)計(jì)了狀態(tài)機(jī)電路，靈活地實(shí)現(xiàn)壞塊表的建立、儲(chǔ)存和管理，并且對(duì)該設(shè)計(jì)進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證。
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集邦：第四季NAND Flash價(jià)格續(xù)跌15～20％

根據(jù)集邦科技研究顯示，目前NAND Flash正處于供過(guò)于求，下半年起買(mǎi)方著重去化庫(kù)存而大幅減少采購(gòu)量，賣(mài)方開(kāi)出破盤(pán)價(jià)以鞏固訂單，使第三季NAND晶圓（wafer）價(jià)格跌幅達(dá)30～35％，但各類NAND Flash終端產(chǎn)品仍疲弱，原廠庫(kù)存因此急速上升，預(yù)期將導(dǎo)致第四季NAND Flash總體平均價(jià)格跌幅擴(kuò)大至15～20％。集邦表示，因?yàn)樾枨蟮兔詫?dǎo)致NAND Flash下半年價(jià)格大跌，多數(shù)原廠的NAND Flash產(chǎn)品銷售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供貨商在運(yùn)營(yíng)陷入虧損的壓力下，對(duì)于采取減產(chǎn)以降低虧
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應(yīng)需而生！兆易創(chuàng)新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25UF系列。該系列在數(shù)據(jù)傳輸速度、供電電壓、讀寫(xiě)功耗等關(guān)鍵性能指標(biāo)上均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，在針對(duì)智能可穿戴設(shè)備、健康監(jiān)測(cè)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備或其它單電池供電的應(yīng)用中，能顯著降低運(yùn)行功耗，有效延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，新一代智能可穿戴設(shè)備需要擁有更豐富的功能來(lái)滿足消費(fèi)者的需求，這種空間敏感型產(chǎn)品對(duì)系統(tǒng)功耗提出了更嚴(yán)苛的要求，希
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兆易創(chuàng)新1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列問(wèn)世

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝，最大厚度僅為0.4mm，在如此緊湊、輕薄的空間內(nèi)，其功耗、電壓范圍等方面均實(shí)現(xiàn)了進(jìn)一步提升，為消費(fèi)電子、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)以及便攜式健康監(jiān)測(cè)設(shè)備等對(duì)電池壽命和緊湊型設(shè)計(jì)有著嚴(yán)苛需求的應(yīng)用提供了理想選擇。如今，隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、AI等技術(shù)的不斷迭代，在筆記本攝像頭、智能遙控器、智能健康手環(huán)等采用電池
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累計(jì)出貨190億顆！兆易創(chuàng)新NOR閃存高居全球第三

在國(guó)產(chǎn)化Flash閃存領(lǐng)域，NAND閃存的領(lǐng)軍當(dāng)屬長(zhǎng)江存儲(chǔ)，NOR閃存的代表則是兆易創(chuàng)新?！　?月30日，兆易創(chuàng)新官方宣布，旗下Flash閃存產(chǎn)品累計(jì)出貨量已經(jīng)超過(guò)190億顆，其中NOR閃存的市場(chǎng)份額更是排名全球前三?！　≌滓讋?chuàng)新還透露，正在在超低功耗、超小封裝等技術(shù)工藝上持續(xù)打磨產(chǎn)品，比如采用WLCSP超小封裝的NOR閃存產(chǎn)品已經(jīng)上市，可大大縮減系統(tǒng)PCB面積；比如主打超低功耗的1.2V NOR產(chǎn)品即將面世，可顯著延長(zhǎng)電池壽命?！　OR閃存可廣泛用于智能手表、智能手環(huán)、無(wú)線耳機(jī)、XR眼鏡/頭顯等智能穿
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2022年Nor Flash產(chǎn)值將增長(zhǎng)21%至35億美元

Nor Flash在2021年僅占整體閃存市場(chǎng)總額的4%，但Nor Flash產(chǎn)品的銷售額飆升63%至29億美元，Nor Flash出貨量增長(zhǎng)了33%，平均售價(jià)則上漲23%。預(yù)計(jì)Nor Flash市場(chǎng)將在2022年再增長(zhǎng)21%至35億美元。 Nor Flash市場(chǎng)由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng)新3家廠商主導(dǎo)，市占率共達(dá)91%。去年華邦電Nor Flash銷售額達(dá)10億美元，市占率以35%居冠。華邦電從2011年來(lái)，采用58納米制程生產(chǎn)大多數(shù)的NOR產(chǎn)品，但2021年大多數(shù)已轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程。
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