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SPI、I2C、UART三種串行總線協(xié)議的區(qū)別和SPI接口介紹，以及SPI接口詳解

  • SPI、I2C、UART三種串行總線協(xié)議的區(qū)別和SPI接口介紹，以及SPI接口詳解-SPI接口在Master控制下產(chǎn)生的從器件使能信號和時鐘信號，兩個雙向移位寄存器按位傳輸進行數(shù)據(jù)交換，傳輸數(shù)據(jù)高位在前，低位在后（MSB）。在SCK的下降沿上數(shù)據(jù)改變，上升沿一位數(shù)據(jù)被存入移位寄存器。
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一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門必懂知識

  • 一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門必懂知識-如果有幾個設置參數(shù)需要存儲到Flash中，我們一般會怎么存儲呢？將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中，還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時寫入一次呢？將參數(shù)存儲到固定的地址，則每個參數(shù)都將占用Flash的一個塊。而將全部參數(shù)捆綁一起存入Flash塊中，那么只有一個參數(shù)修改時，也需要將全部參數(shù)一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎？
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時序一致性測試解決方案

  • 　　在某產(chǎn)品測試過程中，工程師反饋偶爾會出現(xiàn)數(shù)據(jù)異常，經(jīng)過系統(tǒng)性的分析，致遠電子測試團隊推測可能是ADC芯片的SPI通信總線的時序存在偶發(fā)異常，但由于異常出現(xiàn)概率很低，該如何對SPI通信總線偶發(fā)的時序問題進行定位呢?　　一、搭建測試環(huán)境　　SPI總線測試點位于主機的主板底部，時鐘頻率大約為33MHz，屬高頻信號，所以對探頭的端接方式比較講究;為了方便測試，如圖1所示，用短線將測試點引出，探頭的地線也從前端自繞線引出，這樣可以提高信號完整性，減少示波器采樣對時序分析過程的影響。　　  
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stm8s開發(fā)（七） SPI的使用：SPI主機通信！

  • 　　科普SPI：是一種高速的，全雙工，同步的通信總線，并且在芯片的管腳上只占用四根線，分別是：SCK(時鐘)、MOSI(主機發(fā)送數(shù)據(jù))、MISO(主機接收數(shù)據(jù))、NSS(片選)，其中NSS的片選信號，大部分情況下我們使用的是軟件NSS，即為使用一個GPIO進行軟件控制片選。值得注意的是，其中SPI有4中模式：分別是空閑時SCLK的電平高\低、MISO采樣時第1\2個變化沿?！　tm8s的SPI結(jié)構(gòu)如下圖，　　    　　如果用形象的比喻的話：SCK像一個發(fā)條齒輪，只有當發(fā)
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單線SPI的在線編程方案

  • 　　“串口下載”是大多數(shù)工程師最早接觸的程序下載方式，尤其是一開始使用51單片機的工程師們。隨著硬件集成度越來越高，芯片資源不斷被壓縮，工程師也想到了另一種“串口下載”方式，只需一根數(shù)據(jù)線即可?！　‰S著半導體行業(yè)的飛速發(fā)展，芯片集成度越來越高，隨之研發(fā)設計出來的PCBA大小已經(jīng)能和硬幣比肩，功能卻一點都沒有受到影響，是如何做到的呢?在不影響功能的情況下盡量裁剪硬件資源，這是每個工程師都頭疼的問題，關(guān)鍵在于裁剪后如何保證編程能夠正常進行?！　【幊探涌诙喾N多樣，包括工程師們熟悉的UART、I2C、SPI、SW
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全球NOR Flash市場供不應求 兆易創(chuàng)新/華邦電動作不斷

  • 隨著各大供應商對NOR Flash的不斷加大投入，未來其市場將會逐漸趨于飽和，利潤也會越來越小，至于整體趨勢還有待觀察。
  • 關(guān)鍵字： NOR  兆易創(chuàng)新  

第二季PC DRAM合約價漲逾一成，全球DRAM營收季增16.9%

  • 　　集邦咨詢內(nèi)存儲存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2017年第二季的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看，由于客戶端已經(jīng)將庫存水位逐步往上提升，第二季供不應求狀況雖不至于像第一季度嚴重，但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標準型內(nèi)存與服務器用內(nèi)存第二季價格上漲逾一成，行動式內(nèi)存則因中國品牌手機廠下修出貨數(shù)量，價格僅小幅上漲5%內(nèi)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，觀察市場面，受惠于平均銷售單價的上揚與新制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進，大規(guī)模的擴張產(chǎn)能至今年年底仍未見，全球DRAM市場第二
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硅晶圓漲價 NOR FLASH大廠淡出行業(yè)重新洗牌

  • 曾經(jīng)飛索的破產(chǎn)和三星的退出使NOR FLASH行業(yè)重新洗牌，同年美光稱霸，臺灣廠商崛起，NOR FLASH漲價，行業(yè)迎來一波反彈。
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硅晶圓漲價 NOR FLASH大廠淡出行業(yè)重新洗牌

  • 　　供給端：原材料價格調(diào)漲，大廠退出 　　原材料漲價 　　今年以來半導體硅晶圓市場出現(xiàn)八年以來首度漲價情況，其主要原因在于供需失衡。晶圓代工大廠臺積電、三星電子、英特爾等提高制程，20nm以下先進工藝占比不斷提高，加大對高質(zhì)量大硅片的需求。三星、SK海力士、英特爾、美光、東芝等全力轉(zhuǎn)產(chǎn)3D NAND，投資熱潮刺激300mm大硅片的需求。同時工業(yè)與汽車半導體、CIS、物聯(lián)網(wǎng)等IC芯片開始快速增長，大陸半導體廠商大舉建廠擴產(chǎn)，帶來新的硅片需求增量。供給方面，硅片廠集中在日韓臺，前六大廠商市占98%，在硅片
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1970-2017 DRAM芯片市場的生死搏殺

  • 自1970年，美國英特爾的半導體晶體管DRAM內(nèi)存上市以來，已經(jīng)過去47年，美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手，懷揣巨額籌碼，高高興興地走進來，卻在輸光光之后黯然離場。目前，只有韓國三星和海力士，占據(jù)絕對壟斷地位，在DRAM市場呼風喚雨，賺得盆滿缽滿。
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NOR Flash行業(yè)趨勢解讀：供不應求或成常態(tài) 大陸存儲雄心勃勃

  • 　　這個時間點我們討論Nor Flash行業(yè)趨勢與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業(yè)績即將公布，而相關(guān)公司一季度業(yè)績沒有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關(guān)標的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預期大賣以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會反饋意見等)，同時我們調(diào)高AMOLED與TDDI Nor的需求拉動預期，詳細測算供需缺口，以求對未來趨勢定性、定量研究; 　　汽車電子與工控拉動行業(yè)趨勢反轉(zhuǎn) TDDI+AMOLED新需求錦上添花 　　1、汽車與工控拉動2016趨勢反轉(zhuǎn) 　　從各方面驗證，2016年是NOR
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Flash產(chǎn)能不給力 UFS稱霸江湖夢碎

  • UFS普及并不缺乏機會，F(xiàn)lash產(chǎn)能的困境能否早日抒解，成為真正影響UFS茁壯的關(guān)鍵因素了。
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被傳產(chǎn)線遭受重大化學污染 武漢新芯發(fā)聲明回應

  • 　　如今某些網(wǎng)絡新聞媒體缺乏基本的職業(yè)道德，為博眼球胡謅瞎報，誤導群眾，損人又害己，更有可能會影響NOR Flash行業(yè)良性發(fā)展。 　　歪曲報道如下： 　　武漢新芯廠內(nèi)傳出化學污染事件，雖然沒有造成人員傷亡，但是造成NOR Flash產(chǎn)線制程污染，影響產(chǎn)能在9000片左右，市場預料，將造成NOR Flash產(chǎn)能缺口。 　　由于美光及賽普拉斯(Cypress)相繼退出中低容量的NOR Flash市場，使中低容量產(chǎn)品全球供給量遭遇缺口，現(xiàn)在武漢新芯受到化學污染，有望再度推升NOR Flash報價，市場最
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基于ZigBee技術(shù)的家居智能無線網(wǎng)絡系統(tǒng)

  • 介紹了一種基于ZigBee技術(shù)的智能家居無線網(wǎng)絡系統(tǒng)。重點闡述了該系統(tǒng)的組成、通訊協(xié)議以及無線節(jié)點的軟硬件設計。
  • 關(guān)鍵字： UART  ZigBee  ACLK  Flash  
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spi nor flash介紹

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