spi nor flash 文章 進(jìn)入spi nor flash技術(shù)社區(qū)
NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢(shì)明顯 價(jià)格走揚(yáng)
- 第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)。 TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示,第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng),而近一個(gè)月漲幅開始增加。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆琋AND Flash原廠持續(xù)降低對(duì)于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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基于SoC+FPGA平臺(tái)快速動(dòng)態(tài)加載驅(qū)動(dòng)開發(fā)及實(shí)現(xiàn)
- 以TI公司的OMAP-L138型號(hào)雙核處理器單片系統(tǒng)(SoC)與ALTERA公司 EP3C80F484型號(hào)FPGA為核心的嵌入式硬件平臺(tái),介紹了SoC與FPGA通過高速SPI接口實(shí)現(xiàn)固件動(dòng)態(tài)加載的方法,以及基于Linux的SoC對(duì)FPGA快速動(dòng)態(tài)加載驅(qū)動(dòng)程序開發(fā)的原理及步驟。實(shí)際測(cè)試基于高速SPI接口的FPGA固件動(dòng)態(tài)加載功能快速穩(wěn)定,對(duì)同類型嵌入式平臺(tái)的FPGA固件動(dòng)態(tài)加載驅(qū)動(dòng)開發(fā)具有借鑒意義。
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下半年NAND Flash一定缺貨,且會(huì)非常缺
- 全球儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應(yīng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示,固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格已到甜蜜點(diǎn),今年出貨將大爆發(fā),成為成長(zhǎng)最強(qiáng)勁的記憶體產(chǎn)品;法人預(yù)估臺(tái)廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等,可望掀比價(jià)效應(yīng)。 慧榮是以臺(tái)灣為研發(fā)重心,立足全球的國(guó)際公司,上周五(20日)股價(jià)以每股42.19美元?jiǎng)?chuàng)2005年6月在美國(guó)那斯達(dá)克掛牌以來新高,市值達(dá)1.48億美元(約新臺(tái)幣48.5億元),同創(chuàng)歷史新高。 茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會(huì)后,針對(duì)今年NAND Fl
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發(fā)展Flash晶圓制造的四大投資方向
- 中國(guó)大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展,成為中國(guó)大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。 某研究所最新研究報(bào)告顯示,隨著紫光國(guó)芯(原同方國(guó)芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠,及國(guó)際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預(yù)估2020年中國(guó)大陸國(guó)內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬片,相較于2015年增長(zhǎng)近7倍。 預(yù)估2012~2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元增長(zhǎng)率達(dá)47%,其最終消費(fèi)端需求年平均位增長(zhǎng)率亦高達(dá)46%,顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。 拓墣
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TrendForce:2020年中國(guó)大陸國(guó)內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬片
- 中國(guó)大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展,成為中國(guó)大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報(bào)告顯示,隨著紫光國(guó)芯(原同方國(guó)芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠,及國(guó)際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預(yù)估2020年中國(guó)大陸國(guó)內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬片,相較于2015年增長(zhǎng)近7倍。 TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長(zhǎng)率達(dá)47%,其最終消費(fèi)端需求年平均位增長(zhǎng)率亦高達(dá)46%,顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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Flash芯片你都認(rèn)識(shí)嗎?
- Flash存儲(chǔ)器,簡(jiǎn)稱Flash,它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處,不僅具備電子可擦除可編程的性能,還不會(huì)因斷電而丟失數(shù)據(jù),具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點(diǎn);在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場(chǎng)上,F(xiàn)lash總類可謂繁多,功能各異,而你對(duì)它了解有多少呢? 為了讓大家更深入了解Flash,今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結(jié)合Flash的特點(diǎn),給大家一個(gè)全新認(rèn)識(shí)。 一、IIC?EEPROM IIC?EEPROM,采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點(diǎn):簡(jiǎn)單的兩條總線線路,一條串行數(shù)據(jù)線(SDA)
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Flash與SAS硬碟價(jià)格2015年恐現(xiàn)死亡交叉
- 資料儲(chǔ)存解決方案大廠NetApp表示,經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅(qū)動(dòng),讓近年IT基礎(chǔ)架構(gòu)進(jìn)入新一波的轉(zhuǎn)型期,其中2016年經(jīng)由融合式基礎(chǔ)架構(gòu)(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統(tǒng)工具應(yīng)用性竄升,將讓2016年成為IT的精簡(jiǎn)之年。 此外值得注意的是,TLC架構(gòu)的Flash存儲(chǔ)器借由需求性提升及單位成本快速下降,預(yù)期今年每GB的FLash價(jià)格也將較SAS硬碟更低,并讓All Flash資料中心的將進(jìn)入主流儲(chǔ)存領(lǐng)
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手機(jī)標(biāo)稱16G內(nèi)存,為何實(shí)際卻少于16G
- 摘要:現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲(chǔ)介質(zhì),就是各類移動(dòng)終端及手機(jī)的主要存儲(chǔ)介質(zhì)。兩者有何區(qū)別,存儲(chǔ)芯片的實(shí)際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢? 我們總是在說手機(jī)內(nèi)存,那到底是用什么介質(zhì)存儲(chǔ)的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲(chǔ)介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機(jī)興起后,為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的,是NAND Flash的升級(jí)版,他的結(jié)構(gòu)如下: 我們接觸到的16G、32G等手機(jī),為何實(shí)際存儲(chǔ)容量卻總是小于這些值呢?難道
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中國(guó)下個(gè)購(gòu)并標(biāo)的:NAND Flash控制芯片
- 中國(guó)政府近來積極透過中資集團(tuán)陸續(xù)收購(gòu)或入資海外半導(dǎo)體公司,期建立自有半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?,F(xiàn)階段,邏輯晶片從設(shè)計(jì)、制造到封裝測(cè)試皆已具雛型,反觀記憶體領(lǐng)域則為主要發(fā)展缺口。資策會(huì)MIC認(rèn)為,中資集團(tuán)下一波購(gòu)并目標(biāo)將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者,并設(shè)法取得大規(guī)模制造產(chǎn)能,以補(bǔ)強(qiáng)記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 資策會(huì)MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼主任洪春暉表示,中國(guó)近期積極透過購(gòu)并,來改善半導(dǎo)體自制比例過低的情形,現(xiàn)今中國(guó)在本土邏輯IC設(shè)計(jì)、晶圓代工、邏輯IC封測(cè)等產(chǎn)業(yè)鏈上,已有一定程度的發(fā)展,上述領(lǐng)域皆具有本土廠商或已與外商
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賽普拉斯推出業(yè)內(nèi)最快、支持?jǐn)U展溫度范圍的64Mb Quad SPI NOR閃存
- 嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日發(fā)布一款配備四串行外設(shè)接口(Quad SPI)的1.8V 、64Mb NOR閃存產(chǎn)品。借助Quad SPI接口,賽普拉斯FS-S NOR閃存家族中的這個(gè)最新成員能夠提供業(yè)內(nèi)最高的讀取帶寬和最快的編程速度,同時(shí)具備小巧的PCB布局,是視頻電子游戲機(jī)、高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、汽車儀表盤及信息娛樂系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和機(jī)頂盒等高性能應(yīng)用的理想選擇?! 「咝阅芟到y(tǒng)需要最高的讀取帶寬來執(zhí)行程序,同時(shí)需要小尺寸低引腳數(shù)的
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TrendForce:經(jīng)濟(jì)前景未明,2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長(zhǎng)有限
- 全球經(jīng)濟(jì)依舊前景不明,各項(xiàng)NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對(duì)保守,TrendForce旗下存儲(chǔ)事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,由于終端設(shè)備平均搭載量與固態(tài)硬盤(SSD)需求增長(zhǎng),2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長(zhǎng)44%,然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求,NAND Flash廠商將會(huì)加速3D-NAND Flash的開發(fā),整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長(zhǎng)率將大幅增長(zhǎng)50%。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?016年NAND Fl
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掌握ECC/壞區(qū)塊管理眉角 NAND Flash嵌入式應(yīng)用效能增
- NAND Flash記憶體在出廠時(shí)是允許部分晶片含有壞區(qū)塊,或者好的區(qū)塊中含有一些錯(cuò)誤位元,因此在實(shí)際應(yīng)用時(shí),須搭配使用控制器,透過硬體與軟體進(jìn)行壞區(qū)塊管理,以及利用錯(cuò)誤更正編碼(ECC)演算法修正錯(cuò)誤位元,方能提升嵌入式系統(tǒng)儲(chǔ)存效能。 NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術(shù)演進(jìn)快速,平均每1∼2年就前進(jìn)一個(gè)制程世代來降低成本,在售價(jià)大幅下降情況下,愈來愈多嵌入式系統(tǒng),例如:藍(lán)光播放器、電視、數(shù)位相機(jī)、印表機(jī)等應(yīng)用均采用NAND低成本的優(yōu)勢(shì),取代原本使用的NOR型快閃記
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中國(guó)NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整
- 研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示,隨著清華紫光投資NAND Flash儲(chǔ)存相關(guān)公司的腳步加快,以及中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整,中國(guó)業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來越關(guān)鍵。 TrendForce 旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,雖然NAND Flash短期內(nèi)受到供過于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局,但長(zhǎng)遠(yuǎn)來看,NAND Flash的相關(guān)應(yīng)用成長(zhǎng)依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見度越來愈高,NAND Flash成為未來儲(chǔ)存
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臺(tái)半導(dǎo)體整并再一樁,晶豪科 2016 年中并宜揚(yáng)
- 隨著全球半導(dǎo)體大者恒大的趨勢(shì)底定,加以紅色供應(yīng)鏈頻頻發(fā)動(dòng)并購(gòu),不少臺(tái)半導(dǎo)體廠也紛紛開始整合,尋求新的可能,從聯(lián)發(fā)科今年一舉并購(gòu)四臺(tái)廠,到日月光收購(gòu)矽品股份的動(dòng)作可見一斑。尤有甚者,利基型記憶體 IC 設(shè)計(jì)廠商晶豪科與旗下 NOR Flash IC 設(shè)計(jì)公司宜揚(yáng)也宣告合并,整合資源。 晶豪科在 2011 年即取得宜揚(yáng) 19.94% 股份,10 日更進(jìn)一步宣布將與宜揚(yáng)換股進(jìn)行整并,以晶豪科為存續(xù)公司、宜揚(yáng)為消滅公司。換股比例暫訂為宜揚(yáng)普通股 2.55 股換晶豪科普通股 1 股。為合并宜揚(yáng)晶豪科也將增
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