spi nor flash 文章進(jìn)入spi nor flash技術(shù)社區(qū)

中國(guó)存儲(chǔ)三大勢(shì)力成形各自進(jìn)擊

　　早前報(bào)導(dǎo)，中國(guó)存儲(chǔ)三大勢(shì)力成形，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)、晉華集成已積極展開(kāi)建廠、布建產(chǎn)能，就差合肥團(tuán)隊(duì)還未有相關(guān)消息，現(xiàn)在相關(guān)招募信息與環(huán)評(píng)結(jié)果曝光，也透露更多發(fā)展信息。　　中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)成三路進(jìn)擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢(shì)力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國(guó)主導(dǎo)的合肥長(zhǎng)鑫合作下也蠢蠢欲動(dòng)，現(xiàn)在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長(zhǎng)鑫的環(huán)評(píng)公告，也可一窺其在合肥的布局。　　合肥將發(fā)展存儲(chǔ)的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達(dá)前社長(zhǎng)坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) Flash

基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究

摘要：德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構(gòu)的最高性能的DSP器件，是市場(chǎng)上應(yīng)用廣泛的C6455高端處理平臺(tái)升級(jí)的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
關(guān)鍵字： C6678 DSP flash boot 多核boot I2C引導(dǎo) SRIO 網(wǎng)絡(luò)

基于ARM和以太網(wǎng)的遠(yuǎn)程電參數(shù)測(cè)量技術(shù)研究

摘要針對(duì)目前各地用電及收費(fèi)管理不便的問(wèn)題，文中研究了基于ARM和以太網(wǎng)的遠(yuǎn)程電參數(shù)測(cè)量技術(shù)。該技術(shù)主要用于對(duì)電參數(shù)的采集和存貯。主控制器采用32位的ARM微處理器STM32F103V，接口硬件設(shè)計(jì)配合上位機(jī)顯示電參數(shù)
關(guān)鍵字： ARM 以太網(wǎng) 電參數(shù) SPI LabVIEW DataSocket

FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲(chǔ)器上的改進(jìn)設(shè)計(jì)

嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲(chǔ)在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構(gòu)建一個(gè)適合管理NAND Flash存儲(chǔ)器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設(shè)計(jì)思想。
關(guān)鍵字： Flash NAND FAT 文件系統(tǒng)

便攜式數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中ADC的選用指南

真實(shí)世界的應(yīng)用需要真實(shí)世界的物理連接，一般來(lái)說(shuō)，這意味著模擬信號(hào)要在系統(tǒng)內(nèi)的某處被數(shù)字化處理，以便于微處理器、ASIC或FPGA采集數(shù)據(jù)并做出決策?；具x用標(biāo)準(zhǔn)當(dāng)選擇一款模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)時(shí)，大多數(shù)設(shè)計(jì)師似
關(guān)鍵字：模數(shù)轉(zhuǎn)換器 SPI ASIC ADC

TMS320C6727 DSP兩種引導(dǎo)方式設(shè)計(jì)

摘要：文中詳細(xì)描述了TMS320C6727DSP兩種引導(dǎo)方式，并給出了在工程應(yīng)用的實(shí)現(xiàn)方法。這兩種方法都避免了在設(shè)計(jì)過(guò)程中使用外部程序存儲(chǔ)芯片，節(jié)約了布線空間和設(shè)計(jì)成本。在引導(dǎo)過(guò)程中，主機(jī)能夠驗(yàn)證寫(xiě)入DSP芯片的數(shù)據(jù)，
關(guān)鍵字： DSP HPI SPI 引導(dǎo)

大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的要求也日益增強(qiáng)。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
關(guān)鍵字： Flash NAND 02A 1FT

使用SPI找到無(wú)鉛制造缺陷的根本原因

錫膏印刷在無(wú)鉛制造質(zhì)量中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，為印刷過(guò)程SMT組裝流程的后續(xù)環(huán)節(jié)部分提供了關(guān)鍵的基礎(chǔ)。為使制造商能夠處理回流焊后焊點(diǎn)的相關(guān)問(wèn)題，根據(jù)錫膏沉積特定的根本原因,對(duì)無(wú)鉛對(duì)生產(chǎn)線最終質(zhì)量的影響是至關(guān)重要
關(guān)鍵字： SPI 無(wú)鉛缺陷制造

如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用

　　被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板等數(shù)碼設(shè)備中的Nand Flash由于工藝原因無(wú)法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進(jìn)行有效的利用，從而滿足我們的應(yīng)用需求，讓壞塊不“壞”。　　要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點(diǎn)是當(dāng)編程或者擦除這個(gè)塊時(shí)，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時(shí)的錯(cuò)誤，這種錯(cuò)誤可以通過(guò)狀態(tài)寄存器的值反映出來(lái)。這些無(wú)效塊無(wú)法確定編程時(shí)
關(guān)鍵字： Nand Flash 寄存器

基于數(shù)字電位計(jì)的X射線探測(cè)器偏壓調(diào)節(jié)

針對(duì)某X射線探測(cè)器輸出信號(hào)增益需不斷調(diào)節(jié)以滿足后續(xù)信號(hào)采集電路的輸入范圍，其偏置電壓需要精細(xì)調(diào)節(jié)，文章采用數(shù)字電位計(jì)和FPGA設(shè)計(jì)了X射線探測(cè)器偏置電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)。闡述了所選數(shù)字電位計(jì)的參數(shù)、特點(diǎn)及內(nèi)部結(jié)構(gòu)，在此基礎(chǔ)上給出了系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案。文章中FPGA采用SPI通信方式對(duì)數(shù)字電位計(jì)進(jìn)行配置實(shí)現(xiàn)電阻100KΩ共256檔的調(diào)節(jié)，最終給出實(shí)際測(cè)試結(jié)果，驗(yàn)證了采用數(shù)字電位計(jì)實(shí)現(xiàn)偏壓調(diào)節(jié)的靈活性。
關(guān)鍵字： X射線探測(cè)器反向偏壓調(diào)節(jié) 數(shù)字電位計(jì) SPI FPGA

STM32再學(xué)習(xí) -- 工程師眼中的SPI

前些天，有位網(wǎng)友談到通過(guò)FPGA來(lái)實(shí)現(xiàn)SPI通訊。通過(guò)帖子的回復(fù)發(fā)現(xiàn)好多網(wǎng)友對(duì)SPI通訊還有些疑惑，于是今天就帶著大家從SPI的標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議，SPI在STM32單片機(jī)上的配置及在74HC595邏輯芯片通訊的實(shí)例來(lái)全方面認(rèn)識(shí)一下這個(gè)既
關(guān)鍵字： STM32 SPI

提高M(jìn)SP430G 系列單片機(jī)的Flash 擦寫(xiě)壽命的方法

摘要在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒(méi)有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機(jī)中并不具備E
關(guān)鍵字： MSP430G 單片機(jī) Flash

關(guān)于單片機(jī)中的flash和eeprom

FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同，F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲(chǔ)器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設(shè)計(jì)會(huì)集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲(chǔ)器，而廉價(jià)型設(shè)計(jì)往往只有 FLASH，早期可電擦寫(xiě)型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
關(guān)鍵字：單片機(jī) flash eeprom

NAND FLASH扇區(qū)管理

首先需要了解NAND FLASH的結(jié)構(gòu)。如圖：以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖)以4個(gè)扇區(qū)(sector)組成1個(gè)頁(yè)(page)，64個(gè)頁(yè)(page)組成1個(gè)塊(block)，4096個(gè)塊(block)構(gòu)成整個(gè)Flash存儲(chǔ)器;由于每個(gè)扇區(qū)
關(guān)鍵字： Flash NAND 扇區(qū)管理

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)S FDP對(duì)串行Flash在系統(tǒng)中的應(yīng)用

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個(gè)可供查詢的描述串行Flash功能的參數(shù)表。文章主要介紹了這個(gè)串行Flash功能參數(shù)表的結(jié)構(gòu)、功能和作用，并給出其在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的具體應(yīng)用。
關(guān)鍵字： JEDEC Flash JESD