spi nor flash 文章進(jìn)入spi nor flash技術(shù)社區(qū)

Linux SPI總線和設(shè)備驅(qū)動(dòng)架構(gòu)之一：系統(tǒng)概述

　　SPI是"Serial Peripheral Interface" 的縮寫(xiě)，是一種四線制的同步串行通信接口，用來(lái)連接微控制器、傳感器、存儲(chǔ)設(shè)備，SPI設(shè)備分為主設(shè)備和從設(shè)備兩種，用于通信和控制的四根線分別是：　　CS 片選信號(hào)　　SCK 時(shí)鐘信號(hào)　　MISO 主設(shè)備的數(shù)據(jù)輸入、從設(shè)備的數(shù)據(jù)輸出腳　　MOSI 主設(shè)備的數(shù)據(jù)輸出、從設(shè)備的數(shù)據(jù)輸入腳　　因?yàn)樵诖蠖鄶?shù)情況下，CPU或SOC一側(cè)通常都是工作在主設(shè)備模式，所
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為滿足NAND Flash市場(chǎng)需求 SK海力士建新廠

　　SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲(chǔ)器晶圓廠，滿足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開(kāi)始設(shè)計(jì)外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。　　SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)，以及引導(dǎo)向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個(gè)半導(dǎo)體工廠需要超過(guò)2年，所以提前做好準(zhǔn)備。　　SK海力士曾在20
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Flash數(shù)據(jù)為何不翼而飛

　　芯片貼板后跑不起來(lái)?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過(guò)程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無(wú)法正常運(yùn)行，從而造成整個(gè)系統(tǒng)崩潰，下面我們來(lái)看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化?！　?nbsp; 　　1、用戶代碼對(duì)Flash的誤操作不當(dāng)引起程序丟失或被錯(cuò)誤改寫(xiě)　　例如，在有對(duì)Flash寫(xiě)入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調(diào)用了寫(xiě)入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或?qū)懭牒瘮?shù)，這自然會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或改變。針對(duì)以上情況，可以在程序中設(shè)置多個(gè)允許操作的變量，當(dāng)執(zhí)行寫(xiě)入或擦除操作時(shí)，對(duì)
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NAND Flash供不應(yīng)求，第三季品牌商營(yíng)收大幅季成長(zhǎng)19.6%

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于智能手機(jī)需求強(qiáng)勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開(kāi)始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠營(yíng)收季成長(zhǎng)19.6%，營(yíng)業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，第四季各?xiàng)終端設(shè)備出貨進(jìn)入今年最高峰，預(yù)估整體NAND Flash供不應(yīng)求的市況將更為顯著，各項(xiàng)NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)漲幅將更高，廠商的營(yíng)收
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Flash缺貨，存儲(chǔ)器成為三星的搖錢(qián)樹(shù)

　　NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社) 　　根據(jù)DIGITIMES的報(bào)導(dǎo)，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計(jì)2017年DRAM供應(yīng)量成長(zhǎng)率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，F(xiàn)lash則約9兆韓元，遠(yuǎn)不如原
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中國(guó)存儲(chǔ)三大勢(shì)力成形各自進(jìn)擊

　　早前報(bào)導(dǎo)，中國(guó)存儲(chǔ)三大勢(shì)力成形，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)、晉華集成已積極展開(kāi)建廠、布建產(chǎn)能，就差合肥團(tuán)隊(duì)還未有相關(guān)消息，現(xiàn)在相關(guān)招募信息與環(huán)評(píng)結(jié)果曝光，也透露更多發(fā)展信息。　　中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)成三路進(jìn)擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢(shì)力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國(guó)主導(dǎo)的合肥長(zhǎng)鑫合作下也蠢蠢欲動(dòng)，現(xiàn)在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長(zhǎng)鑫的環(huán)評(píng)公告，也可一窺其在合肥的布局。　　合肥將發(fā)展存儲(chǔ)的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達(dá)前社長(zhǎng)坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) Flash

基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究

摘要：德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構(gòu)的最高性能的DSP器件，是市場(chǎng)上應(yīng)用廣泛的C6455高端處理平臺(tái)升級(jí)的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
關(guān)鍵字： C6678 DSP flash boot 多核boot I2C引導(dǎo) SRIO 網(wǎng)絡(luò)

基于ARM和以太網(wǎng)的遠(yuǎn)程電參數(shù)測(cè)量技術(shù)研究

摘要針對(duì)目前各地用電及收費(fèi)管理不便的問(wèn)題，文中研究了基于ARM和以太網(wǎng)的遠(yuǎn)程電參數(shù)測(cè)量技術(shù)。該技術(shù)主要用于對(duì)電參數(shù)的采集和存貯。主控制器采用32位的ARM微處理器STM32F103V，接口硬件設(shè)計(jì)配合上位機(jī)顯示電參數(shù)
關(guān)鍵字： ARM 以太網(wǎng) 電參數(shù) SPI LabVIEW DataSocket

FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲(chǔ)器上的改進(jìn)設(shè)計(jì)

嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲(chǔ)在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構(gòu)建一個(gè)適合管理NAND Flash存儲(chǔ)器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設(shè)計(jì)思想。
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便攜式數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中ADC的選用指南

真實(shí)世界的應(yīng)用需要真實(shí)世界的物理連接，一般來(lái)說(shuō)，這意味著模擬信號(hào)要在系統(tǒng)內(nèi)的某處被數(shù)字化處理，以便于微處理器、ASIC或FPGA采集數(shù)據(jù)并做出決策?；具x用標(biāo)準(zhǔn)當(dāng)選擇一款模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)時(shí)，大多數(shù)設(shè)計(jì)師似
關(guān)鍵字：模數(shù)轉(zhuǎn)換器 SPI ASIC ADC

TMS320C6727 DSP兩種引導(dǎo)方式設(shè)計(jì)

摘要：文中詳細(xì)描述了TMS320C6727DSP兩種引導(dǎo)方式，并給出了在工程應(yīng)用的實(shí)現(xiàn)方法。這兩種方法都避免了在設(shè)計(jì)過(guò)程中使用外部程序存儲(chǔ)芯片，節(jié)約了布線空間和設(shè)計(jì)成本。在引導(dǎo)過(guò)程中，主機(jī)能夠驗(yàn)證寫(xiě)入DSP芯片的數(shù)據(jù)，
關(guān)鍵字： DSP HPI SPI 引導(dǎo)

大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的要求也日益增強(qiáng)。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
關(guān)鍵字： Flash NAND 02A 1FT

使用SPI找到無(wú)鉛制造缺陷的根本原因

錫膏印刷在無(wú)鉛制造質(zhì)量中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，為印刷過(guò)程SMT組裝流程的后續(xù)環(huán)節(jié)部分提供了關(guān)鍵的基礎(chǔ)。為使制造商能夠處理回流焊后焊點(diǎn)的相關(guān)問(wèn)題，根據(jù)錫膏沉積特定的根本原因,對(duì)無(wú)鉛對(duì)生產(chǎn)線最終質(zhì)量的影響是至關(guān)重要
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如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用

　　被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板等數(shù)碼設(shè)備中的Nand Flash由于工藝原因無(wú)法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進(jìn)行有效的利用，從而滿足我們的應(yīng)用需求，讓壞塊不“壞”。　　要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點(diǎn)是當(dāng)編程或者擦除這個(gè)塊時(shí)，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時(shí)的錯(cuò)誤，這種錯(cuò)誤可以通過(guò)狀態(tài)寄存器的值反映出來(lái)。這些無(wú)效塊無(wú)法確定編程時(shí)
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基于數(shù)字電位計(jì)的X射線探測(cè)器偏壓調(diào)節(jié)

針對(duì)某X射線探測(cè)器輸出信號(hào)增益需不斷調(diào)節(jié)以滿足后續(xù)信號(hào)采集電路的輸入范圍，其偏置電壓需要精細(xì)調(diào)節(jié)，文章采用數(shù)字電位計(jì)和FPGA設(shè)計(jì)了X射線探測(cè)器偏置電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)。闡述了所選數(shù)字電位計(jì)的參數(shù)、特點(diǎn)及內(nèi)部結(jié)構(gòu)，在此基礎(chǔ)上給出了系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案。文章中FPGA采用SPI通信方式對(duì)數(shù)字電位計(jì)進(jìn)行配置實(shí)現(xiàn)電阻100KΩ共256檔的調(diào)節(jié)，最終給出實(shí)際測(cè)試結(jié)果，驗(yàn)證了采用數(shù)字電位計(jì)實(shí)現(xiàn)偏壓調(diào)節(jié)的靈活性。
關(guān)鍵字： X射線探測(cè)器反向偏壓調(diào)節(jié) 數(shù)字電位計(jì) SPI FPGA