大陸韓國(guó)擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)賽 Flash后年產(chǎn)能恐過(guò)剩

　　儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)(NANDFlash)軍備競(jìng)賽再起，南韓存儲(chǔ)大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲(chǔ)產(chǎn)能;紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢廠，也預(yù)定本月底正式動(dòng)土，都為2018年供給過(guò)于求再現(xiàn)，埋下隱憂。

　　目前各市調(diào)機(jī)構(gòu)均看好明年NANDFlash仍處于供不應(yīng)求局面，但南韓存儲(chǔ)大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲(chǔ)廠，在中國(guó)大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴(kuò)充產(chǎn)能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場(chǎng)投下新變數(shù)。

　　稍早三星和美光也都宣布進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)行動(dòng)。三星也正于京畿道平澤建設(shè)新廠，預(yù)定2017年上半啟用，第一期投資額15.6兆韓元(134億美元)，估計(jì)12寸晶圓產(chǎn)量可達(dá)20萬(wàn)片，雖然三星還未敲定生產(chǎn)項(xiàng)目，但市場(chǎng)推測(cè)，因三星DRAM市占已接近跨過(guò)50%門檻，有反托辣斯法要求分割疑慮，應(yīng)仍會(huì)以發(fā)展3DNANDFlash為主。

　　半導(dǎo)體設(shè)備廠透露，目前六大NANDFlash芯片廠都有持續(xù)擴(kuò)充NANDFlash芯片計(jì)劃，不過(guò)在各家從2D轉(zhuǎn)3DNAND芯片，因制程難度高，造成供應(yīng)不足，使今年NAND芯片供應(yīng)短缺，預(yù)料隨3DNAND芯片下半年制程逐步順利，缺貨問題會(huì)逐漸紓解。

　　大陸NANDFLASH狂飆，2020年產(chǎn)能拼增近7倍

　　中國(guó)大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。集邦科技旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報(bào)告顯示，隨著紫光國(guó)芯(原同方國(guó)芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠，以及國(guó)際大廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年大陸當(dāng)?shù)豊ANDFlash月產(chǎn)能達(dá)59萬(wàn)片，相較于2015年成長(zhǎng)近7倍。

　　集邦預(yù)估，2012～2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元成長(zhǎng)率達(dá)47%，其終端消費(fèi)端需求年平均位元成長(zhǎng)率亦高達(dá)46%，顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。拓墣研究經(jīng)理林建宏表示，中國(guó)大陸在突破存儲(chǔ)自制缺口的政策方針下，將發(fā)展NANDFlash晶圓制造，可由NANDFlash產(chǎn)品特性、3DNAND需求、新興市場(chǎng)的成長(zhǎng)空間及國(guó)際半導(dǎo)體大廠在大陸投資四大方向切入。

　　在NANDFlash產(chǎn)品特性部分，產(chǎn)品在消費(fèi)性應(yīng)用下，價(jià)格是主要考量，因此生產(chǎn)成本的控制至為關(guān)鍵。大陸廠商宜透過(guò)折舊認(rèn)列年限調(diào)整、租賃、稅負(fù)與資金成本等因素操作為切入點(diǎn)。

　　在制程微縮部分，NANDFlash在進(jìn)入2x奈米世代后，制程微縮帶來(lái)的成本優(yōu)勢(shì)越來(lái)越不明顯，推遲國(guó)際NANDFlash大廠技術(shù)進(jìn)程，因此3DNANDFlash成為成本繼續(xù)降低的重要方法。林建宏指出，產(chǎn)品由2D走到3D，需有新的技術(shù)領(lǐng)域加入，若能整合跨領(lǐng)域人才和技術(shù)，能成為大陸廠商追趕的機(jī)會(huì)。

　　在市場(chǎng)需求上，雖然NANDFlash產(chǎn)業(yè)短期仍處于供過(guò)于求，但長(zhǎng)期而言新興市場(chǎng)仍有成長(zhǎng)空間。大陸隨著一帶一路政策發(fā)展的策略，對(duì)開發(fā)其周遭新興市場(chǎng)需求有相當(dāng)助益，妥善安排資源與發(fā)揮對(duì)新興國(guó)家的影響力，將是大陸?yīng)氂械膬?yōu)勢(shì)所在，也可創(chuàng)造出更多元的NANDFlash需求。

　　另外，國(guó)際半導(dǎo)體廠商積極投入大陸市場(chǎng)，在當(dāng)?shù)嘏囵B(yǎng)有經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)的人才，支持廠房運(yùn)維的高度需求，有助降低大陸當(dāng)?shù)貥I(yè)者發(fā)展自主NANDFlash制造的門檻。大陸透過(guò)廣大的人力和市場(chǎng)成功吸引國(guó)際廠商的進(jìn)駐，為大陸發(fā)展NANDFlash產(chǎn)業(yè)帶來(lái)最好機(jī)會(huì)。

　　目前在大陸當(dāng)?shù)厣a(chǎn)NANDFlash的業(yè)者以三星為主，英特爾已決定將大連廠改為NANDFlash廠，預(yù)計(jì)自今年第4季加入生產(chǎn)行列。在當(dāng)?shù)貥I(yè)者部分，武漢新芯已決定新建存儲(chǔ)晶圓廠，將從3月底開始進(jìn)行建廠工程，目標(biāo)最快在2018年年初開始生存儲(chǔ)芯片，初期規(guī)畫將以目前最先進(jìn)的3D-NANDFlash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來(lái)中國(guó)大陸極力發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢(shì)下，將開始進(jìn)入新的里程碑。