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spi nor flash 文章 最新資訊

大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展，對存儲設(shè)備的要求也日益增強(qiáng)。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
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使用SPI找到無鉛制造缺陷的根本原因

  • 錫膏印刷在無鉛制造質(zhì)量中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，為印刷過程SMT組裝流程的后續(xù)環(huán)節(jié)部分提供了關(guān)鍵的基礎(chǔ)。為使制造商能夠處理回流焊后焊點的相關(guān)問題，根據(jù)錫膏沉積特定的根本原因,對無鉛對生產(chǎn)線最終質(zhì)量的影響是至關(guān)重要
  • 關(guān)鍵字： SPI  無鉛  缺陷  制造    

如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用

  • 　　被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板等數(shù)碼設(shè)備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進(jìn)行有效的利用，從而滿足我們的應(yīng)用需求，讓壞塊不“壞”。 　　要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點是當(dāng)編程或者擦除這個塊時，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤，這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
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基于數(shù)字電位計的X射線探測器偏壓調(diào)節(jié)

  • 針對某X射線探測器輸出信號增益需不斷調(diào)節(jié)以滿足后續(xù)信號采集電路的輸入范圍，其偏置電壓需要精細(xì)調(diào)節(jié)，文章采用數(shù)字電位計和FPGA設(shè)計了X射線探測器偏置電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)。闡述了所選數(shù)字電位計的參數(shù)、特點及內(nèi)部結(jié)構(gòu)，在此基礎(chǔ)上給出了系統(tǒng)的設(shè)計方案。文章中FPGA采用SPI通信方式對數(shù)字電位計進(jìn)行配置實現(xiàn)電阻100KΩ共256檔的調(diào)節(jié)，最終給出實際測試結(jié)果，驗證了采用數(shù)字電位計實現(xiàn)偏壓調(diào)節(jié)的靈活性。
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STM32再學(xué)習(xí) -- 工程師眼中的SPI

  • 前些天，有位網(wǎng)友談到通過FPGA來實現(xiàn)SPI通訊。通過帖子的回復(fù)發(fā)現(xiàn)好多網(wǎng)友對SPI通訊還有些疑惑，于是今天就帶著大家從SPI的標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議，SPI在STM32單片機(jī)上的配置及在74HC595邏輯芯片通訊的實例來全方面認(rèn)識一下這個既
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提高M(jìn)SP430G 系列單片機(jī)的Flash 擦寫壽命的方法

  • 摘要在嵌入式設(shè)計中，許多應(yīng)用設(shè)計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機(jī)中并不具備E
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關(guān)于單片機(jī)中的flash和eeprom

  • FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同，F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設(shè)計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設(shè)計往往只有 FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
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NAND FLASH扇區(qū)管理

  • 首先需要了解NAND FLASH的結(jié)構(gòu)。如圖：以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖)以4個扇區(qū)(sector)組成1個頁(page)，64個頁(page)組成1個塊(block)，4096個塊(block)構(gòu)成整個Flash存儲器;由于每個扇區(qū)
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JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)S FDP對串行Flash在系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個可供查詢的描述串行Flash功能的參數(shù)表。文章主要介紹了這個串行Flash功能參數(shù)表的結(jié)構(gòu)、功能和作用，并給出其在系統(tǒng)設(shè)計中的具體應(yīng)用。
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一種UART＆SPI接口驗證工具的設(shè)計與實現(xiàn)

  • 一種UART＆SPI接口驗證工具的設(shè)計與實現(xiàn),摘要：隨著WLAN(無線局域網(wǎng))的普及，各種接口的WLAN網(wǎng)卡層出不窮，像UART，SPI，USB等。為了驗證接口的功能、性能和兼容性是否符合需求，在此提出了一種支持UARTSPI接口的驗證工具。傳統(tǒng)的接口驗證采用手動驗證的方
  • 關(guān)鍵字： UART  SPI  接口驗證  自動化  

TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動加載的設(shè)計

  • TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動加載的設(shè)計,摘要 為實現(xiàn)數(shù)字信號處理器的加栽，介紹了TMS320C6455的各種加載模式，尤其是對外部ROM的引導(dǎo)方式，以及一種無需數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換即可通過數(shù)據(jù)加載將用戶程序?qū)懭隖lash的方法。以TMS320C6455為例，同時結(jié)合LED燈閃爍實例驗證
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SST25VF080B SPI接口FLASH STM32驅(qū)動

  • 　　所有的FLASHA 都一樣只能從1變0，要想從0變1 只有擦除一個頁扇， SST25VF080B 最小可以擦除4KB的頁 速度也不錯 50MHz 容量1MB 挺夠用的 10萬次的擦寫壽命。最低2.7V 就可正常工作。 　　Flexible Erase Capability 　　– Uniform 4 KByte sectors 　　– Uniform 32 KByte overlay blocks 　　– Uniform 64 KByte overlay b
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三星、東芝競擴(kuò)產(chǎn)，NAND Flash恐跌三成

  • 全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求，預(yù)估NAND Flash今年底報價將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli最
  • 關(guān)鍵字： 三星  東芝  NAND  Flash   

NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

  • 我們使用的智能手機(jī)除了有一個可用的空間(如蘋果8G、16G等)，還有一個RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢，這就是我
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DSP硬件設(shè)計需要知道的注意事項

  • 數(shù)字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時鐘性能超過100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
  • 關(guān)鍵字： 硬件設(shè)計  FlaSh  DSP  
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spi nor flash介紹

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