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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> spi nor flash

一種UART＆SPI接口驗(yàn)證工具的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  • 一種UART＆SPI接口驗(yàn)證工具的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),摘要：隨著WLAN(無(wú)線局域網(wǎng))的普及，各種接口的WLAN網(wǎng)卡層出不窮，像UART，SPI，USB等。為了驗(yàn)證接口的功能、性能和兼容性是否符合需求，在此提出了一種支持UARTSPI接口的驗(yàn)證工具。傳統(tǒng)的接口驗(yàn)證采用手動(dòng)驗(yàn)證的方
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TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動(dòng)加載的設(shè)計(jì)

  • TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動(dòng)加載的設(shè)計(jì),摘要 為實(shí)現(xiàn)數(shù)字信號(hào)處理器的加栽，介紹了TMS320C6455的各種加載模式，尤其是對(duì)外部ROM的引導(dǎo)方式，以及一種無(wú)需數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換即可通過數(shù)據(jù)加載將用戶程序?qū)懭隖lash的方法。以TMS320C6455為例，同時(shí)結(jié)合LED燈閃爍實(shí)例驗(yàn)證
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SST25VF080B SPI接口FLASH STM32驅(qū)動(dòng)

  • 　　所有的FLASHA 都一樣只能從1變0，要想從0變1 只有擦除一個(gè)頁(yè)扇， SST25VF080B 最小可以擦除4KB的頁(yè) 速度也不錯(cuò) 50MHz 容量1MB 挺夠用的 10萬(wàn)次的擦寫壽命。最低2.7V 就可正常工作。 　　Flexible Erase Capability 　　– Uniform 4 KByte sectors 　　– Uniform 32 KByte overlay blocks 　　– Uniform 64 KByte overlay b
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三星、東芝競(jìng)擴(kuò)產(chǎn)，NAND Flash恐跌三成

  • 全球NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長(zhǎng)持續(xù)大于需求，預(yù)估NAND Flash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成，且跌勢(shì)恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli最
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NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

  • 我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋果8G、16G等)，還有一個(gè)RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢，這就是我
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DSP硬件設(shè)計(jì)需要知道的注意事項(xiàng)

  • 數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來(lái)越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
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串行外設(shè)接口(SPI)總線時(shí)序詳解

  • SPI，是一種高速的，全雙工，同步的通信總線，并且在芯片的管腳上只占用四根線，節(jié)約了芯片的管腳，同時(shí)為PCB的布局上節(jié)省空間，提供方便，正是
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從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例

  • 使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡(jiǎn)單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運(yùn)行這些代碼。示例展示了ARM構(gòu)架中中斷是如何操作
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基于ARM的分布式干擾機(jī)控制單元設(shè)計(jì)

  • 基于ARM的分布式干擾機(jī)控制單元設(shè)計(jì), 目前常見的干擾機(jī)一般都采用上位機(jī)作為控制單元，優(yōu)點(diǎn)是接口和整個(gè)單元開發(fā)均較為方便，但缺點(diǎn)是無(wú)法脫離計(jì)算機(jī)獨(dú)立工作。本文采用ARM及大尺寸觸摸屏作為平臺(tái)開發(fā)的分布式干擾機(jī)控制單元，ARM與干擾機(jī)可集成為一體，
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NAND Flash合約價(jià) 恐一路跌到年底

  • 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，第4季各項(xiàng)NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫(kù)存水位依舊偏高，采購(gòu)意愿薄弱，
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如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn)

  • 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶頭疼的難點(diǎn)，他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規(guī)范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無(wú)法提高，只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來(lái)!
  • 關(guān)鍵字： 燒錄  SmartPRO 6000  Nand Flash  

東芝跑第一，64 層 3D Flash 開始試產(chǎn)送樣

  • 　　據(jù)海外媒體報(bào)道，韓國(guó)三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構(gòu) NAND 型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)的廠商，不過其NAND Flash 最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領(lǐng)先全球同業(yè)，研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見首圖)，且開始進(jìn)行送樣。 　　東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù)，并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開始進(jìn)行樣品出貨，且預(yù)計(jì)將透過甫于 7 月完工的四日市工廠“新第 2 廠房”進(jìn)行生
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全快閃儲(chǔ)存導(dǎo)入新型Flash存儲(chǔ)器以降低成本、生態(tài)大洗牌

  • 　　許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲(chǔ)存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭(zhēng)相發(fā)展全快閃儲(chǔ)存陣列，也改變了既有的全快閃儲(chǔ)存市場(chǎng)消長(zhǎng) 　　在全快閃儲(chǔ)存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點(diǎn)便是高效能，應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境，后來(lái)的全快閃儲(chǔ)存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 　　我們可以把全快閃儲(chǔ)存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段： 　　第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能，是全快閃儲(chǔ)存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲(chǔ)存陣列
  • 關(guān)鍵字： Flash  存儲(chǔ)器  

全快閃儲(chǔ)存導(dǎo)入新型Flash存儲(chǔ)器以降低成本、生態(tài)大洗牌

  • 　　許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲(chǔ)存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭(zhēng)相發(fā)展全快閃儲(chǔ)存陣列，也改變了既有的全快閃儲(chǔ)存市場(chǎng)消長(zhǎng) 　　在全快閃儲(chǔ)存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點(diǎn)便是高效能，應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境，后來(lái)的全快閃儲(chǔ)存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 　　我們可以把全快閃儲(chǔ)存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段： 　　第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能，是全快閃儲(chǔ)存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲(chǔ)存陣
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中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)前景

  • 本文介紹了存儲(chǔ)器芯片分類，國(guó)際存儲(chǔ)芯片廠商的發(fā)展情況，及我國(guó)存儲(chǔ)芯片供需情況。
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  市場(chǎng)  DRAM  Flash  201607  
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spi nor flash介紹

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