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為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠

作者: 時(shí)間:2016-12-22 來源:閃存市場 收藏

  宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲器晶圓廠,滿足市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。下個(gè)月開始設(shè)計(jì)外部的建設(shè),2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備,總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/201612/341952.htm
為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠

 

  表示,公司決定額外的新建一座Fab工廠,主要是為了確保能夠滿足市場需求的增長,以及引導(dǎo)向3D NAND發(fā)展。加之,考慮到通常建立一個(gè)半導(dǎo)體工廠需要超過2年,所以提前做好準(zhǔn)備。

  SK海力士曾在2015年表示,未來十年內(nèi)將斥資46兆韓元在利川、清州等地區(qū)建設(shè)3個(gè)新的工廠。本次建設(shè)項(xiàng)目也是公司中長期投資計(jì)劃的一部分,其中還包括在2015年8月竣工的利川M14工廠。本次新工廠建設(shè)項(xiàng)目的設(shè)備安裝會根據(jù)市場情況和公司遷移計(jì)劃而定。

為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠

 

  韓國忠清北道清州市是SK海力士重要生產(chǎn)基地,已分別在2007年新建M11和2012年新建M12工廠,再加上將在2017年新建的工廠,一共是3座NAND Flash工廠。另外,SK海力士還計(jì)劃在2017年將M14二樓用于生產(chǎn)3D NAND。

  SK海力士NAND Flash工廠產(chǎn)能分析及詳細(xì)數(shù)據(jù),敬請關(guān)注中國閃存市場ChinaFlashMarket 2016年年度報(bào)告

  另外,SK海力士計(jì)劃加碼投資中國無錫DRAM晶圓廠,從2017年7月到2019年4月將總投資9500億韓元(7.9億美元),以保持生產(chǎn)競爭力。

  SK海力士無錫工廠自從2006開始運(yùn)營以來,目前生產(chǎn)量已占公司DRAM總產(chǎn)量的一半。但由于越來越多的生產(chǎn)流程和技術(shù)發(fā)展,空間不足導(dǎo)致生產(chǎn)效率降低也是無法避免,SK海力士為了彌補(bǔ)晶圓產(chǎn)能可能的損失,決定加碼投資用于無錫工廠內(nèi)的潔凈室,提高生產(chǎn)力,確保其DRAM生產(chǎn)能力在產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位。



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