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sk 海力士 文章 最新資訊

拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買設(shè)備

  • 　　記憶體大廠整軍經(jīng)武，準(zhǔn)備展開新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買設(shè)備，積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉(zhuǎn)進新制程，拉高戰(zhàn)力。 　　韓媒etnews 6日報導(dǎo)，記憶體大廠爭相量產(chǎn)3D NAND Flash，新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比，差別在于從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據(jù)了解，由2D轉(zhuǎn)進3D NAND Flash，顯影制程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要采購不少新設(shè)備。據(jù)了解，三星最早量產(chǎn)3D
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三星移動DRAM市占破5成，臺廠邊緣化、海力士也挨打

  • 三星移動終端受挫，但是呢人家在DRAM領(lǐng)域悶聲發(fā)大財。
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突破細(xì)微化極限！東芝攜手海力士研發(fā)納米壓印技術(shù)

  • 　　全球第2大NAND型快閃存儲器 (Flash Memory)廠商東芝 ( Toshiba )5日發(fā)布新聞稿宣布，為加快次世代半導(dǎo)體露光技術(shù)「納米壓印技術(shù)(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研發(fā)腳步，已和南韓半導(dǎo)體大廠SK 海力士 (SK Hynix )正式簽署契約，雙方技術(shù)人員將自2015年4月起透過東芝橫濱事業(yè)所攜手研發(fā)NIL制程的關(guān)鍵技術(shù)，目標(biāo)為在2017年實用化。 　　東芝于去年12月和SK海力士(SK Hynix)就NAND Flash侵權(quán)案一事達成和解，海力士(
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DRAM樂觀 NAND有隱憂

  • 　　記憶體市況今年將不同調(diào);動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩(wěn)定獲利，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。 　　DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。 　　臺塑集團旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進超過1個股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。 　　NAND Flash市場競爭、變化相對激烈，且難以預(yù)料;去年下半
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研調(diào)預(yù)估：8寸晶圓 明年產(chǎn)能續(xù)滿載

  • 　　今年以來8寸產(chǎn)能滿載話題延燒，市場看好聯(lián)電、世界明年8寸產(chǎn)能可望持續(xù)吃緊。研調(diào)機構(gòu)IC Insights出具報告指出，韓國、臺灣在全球8寸廠中仍將扮演領(lǐng)導(dǎo)地位。其中韓國掌控全球8寸產(chǎn)能達35%，臺灣則占21%。 　　IC Insights指出，韓國的8寸產(chǎn)能主要來自三星與海力士兩大廠商，其中光是三星就占了全球8寸產(chǎn)能的24%。若是排除存儲器的部分、僅考量晶圓代工的 8寸產(chǎn)能，韓國則占全球的28%。IC Insights指出，三星、海力士在海外也都有8寸的產(chǎn)能，其中海力士最大的8寸廠就在中國大陸，三星
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研調(diào)：臺韓兩地合計掌控全球56%12吋晶圓產(chǎn)能

  • 　　研調(diào)機構(gòu)IC Insights表示，臺灣及韓國半導(dǎo)體廠持續(xù)積極擴產(chǎn)，合計已掌握全球56%的12吋晶圓產(chǎn)能。 　　IC Insights指出，三星(Samsung)與海力士 ( Hynix )合計掌握全球35%的12吋晶圓產(chǎn)能;其中，三星一家便掌握全球高達24%的12吋晶圓產(chǎn)能。臺灣廠商則掌握全球約21%的12吋晶圓產(chǎn)能;其中，有85%的產(chǎn)能主要投入晶圓代工，有15%產(chǎn)能生產(chǎn)記憶體產(chǎn)品。至于北美廠商則掌握全球28%的12吋晶圓產(chǎn)能，日本廠商則掌握全球14%的12吋晶圓產(chǎn)能。 　　另外，就全球晶圓產(chǎn)能
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三星半導(dǎo)體設(shè)備投資傳明年微幅加碼，擬加蓋 NAND 廠

  • 　　韓國時報(Korea Times)15 日報導(dǎo)，三星電子明年將投資半導(dǎo)體設(shè)備 13.5 兆韓圜，或相當(dāng)于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。 　　全球記憶體晶片市場目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠市占率合計來到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設(shè)備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價格穩(wěn)定與市場供需平衡。 　　據(jù)報導(dǎo)，三星看準(zhǔn)儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開設(shè)新廠房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩(wěn)，
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LPDDR4即將成為旗艦智能手機的首選

  • 　　在智能手機嚴(yán)重同質(zhì)化的今天，每一項新技術(shù)的出現(xiàn)都讓人們有所期待，從64位到八核，國內(nèi)外芯片設(shè)計廠商都在想方設(shè)法快速跟進，生怕錯過了又一個新市場。 　　在64位和八核均晚于友商的高通，在全新旗艦64位八核驍龍810處理器上，它首次支持了雙通道LPDDR4，內(nèi)存帶寬提升了一倍達到25.6Gps，功耗有所下降。在主流旗艦機均為2K屏幕的今天，對于內(nèi)存帶寬的提高是相當(dāng)必要的，更何況驍龍810支持4K屏幕，堅信4K UHD將成為2015年旗艦高端手機的選擇。 　　LPDDR4是JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會在今年8
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海太半導(dǎo)體與海力士簽署二期合作備忘錄

  • 　　   　　太湖明珠網(wǎng)消息：11月28日，海太半導(dǎo)體(無錫)有限公司與世界著名Dram制造商韓國SK海力士株式會社簽訂二期合作備忘錄。市委常委、常務(wù)副市長黃欽參加簽約儀式，并會見了韓國SK海力士株式會社專務(wù)宋炫宗。 　　   　　2009年，作為江蘇省重點工程項目，太極實業(yè)股份有限公司與SK海力士合資設(shè)立海太半導(dǎo)體公司，注資資本1.75億美元，總投資4億美元。目前，海太半導(dǎo)體與SK海力士的合作關(guān)系已經(jīng)持續(xù)了五年，從2009年成立至今，兩方風(fēng)雨同舟，攜手并進，雙方的合
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第三季DRAM產(chǎn)值120億美元、成長11%

  • 　　TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新研究報告顯示， 2014年第三季三大DRAM廠積極調(diào)配旗下產(chǎn)能，以因應(yīng)蘋果(Apple) iPhone 新機龐大行動式記憶體的需求，在排擠效應(yīng)下，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體產(chǎn)出減少，帶動第三季合約價格持續(xù)上漲，供貨吃緊下標(biāo)準(zhǔn)型記憶體蟬聯(lián)毛利最高的DRAM產(chǎn)品。DRAMeXchange表示，2014年第三季DRAM產(chǎn)值達120億美元，較上季成長11%，單季營收再度創(chuàng)下新高。 　　在各DRAM廠產(chǎn)品比重調(diào)配得宜與先進制程產(chǎn)出增加下，其獲利能力皆
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SK海力士搶攻CIS　引進SoC用12吋晶圓蒸鍍設(shè)備

  • 　　韓系半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)為量產(chǎn)CMOS影像傳感器(CIS)，將引進研究用途系統(tǒng)芯片(SoC)用12吋晶圓蒸鍍設(shè)備，吸引業(yè)界關(guān)注。CIS為智能型手機相機模塊、醫(yī)學(xué)用攝影設(shè)備等IT、數(shù)字裝置廣泛使用的非內(nèi)存芯片，近來使用范圍也擴大到車用半導(dǎo)體。 　　據(jù)南韓MT News報導(dǎo)，SK海力士近來向南韓一半導(dǎo)體設(shè)備制造廠采購非內(nèi)存用分區(qū)化學(xué)氣相沉積(Space Divided Plasma CVD;SDPCVD)設(shè)備。該設(shè)備將設(shè)置在SK海力士利川工廠研究園區(qū)中，進行CIS研究開發(fā)。 　　S
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SK海力士強化SSD市場　明年量產(chǎn)3D NAND

  • 　　SK海力士(SK Hynix)為加強攻略次世代儲存裝置固態(tài)硬盤(SSD)市場，將自2015年量產(chǎn)3D NAND Flash。據(jù)南韓每日經(jīng)濟報導(dǎo)，SK海力士已完成3D NAND研發(fā)作業(yè)，將于2015年正式展開銷售。 　　SK海力士將現(xiàn)有的部分NAND Flash產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為3D NAND產(chǎn)線投入量產(chǎn)，3D NAND將在南韓清州工廠生產(chǎn)。3D NAND不同于半導(dǎo)體Cell平面展開的傳統(tǒng)NAND Flash，而是將Cell垂直堆棧，提升信息處理速度和效能。因半導(dǎo)體微細(xì)化已達物理性上限，要如何堆棧并提升產(chǎn)品性
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海力士超車美光 躍居全球最大PC DRAM廠

  • 　　南韓第二大記憶體廠SK海力士(SKHynix)首季超越勁敵美光，成為全球PC用動態(tài)隨機記憶體(DRAM)第一大廠。 　　市調(diào)機構(gòu)iSuppli數(shù)據(jù)顯示，SK海力士PC用DRAM首季市占率33.2%，重新奪回全球排名首位，而原居領(lǐng)先位置的美光則自前季的36.4%下滑至32.1%。另外，三星電子拿下26.3%的市占率，位居第三。 　　在伺服器用DRAM的市占率排名上，遙遙領(lǐng)先的三星拿下43.5%、SK海力士34.1%居次、美光則為21%。 　　美光在行動裝置市場以29.8%的市占率上板回
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傳打入谷歌供應(yīng)鏈 聯(lián)發(fā)科品牌加分

  • 市場是非理性的，任何突發(fā)事件都有可能引起市場信心的波動，造成價格的波動。
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東芝訴海力士 因技術(shù)流失損失一千多億日元

  • 　　日前，東芝公司就有關(guān)閃存研究數(shù)據(jù)被非法泄露給韓國SK海力士公司一事，宣布已向東京地方法院提起民事訴訟，要求SK海力士賠償損失。 　　報道稱，東京警視廳警方以涉嫌違反不正競爭防止法(公開營業(yè)秘密)為理由逮捕了東芝的合作伙伴、美國半導(dǎo)體廠商“閃迪(Sandisk)”的日本子公司的前技術(shù)人員杉田吉隆(52歲，居住于北九州市)。警視廳認(rèn)為這名男子涉嫌向韓國半導(dǎo)體巨頭“海力士半導(dǎo)體(現(xiàn)為SK海力士)”泄露了作為東芝主力產(chǎn)品的半導(dǎo)體存儲器的研究數(shù)據(jù)。 　
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