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sk 海力士 文章 最新資訊

SK投資2500億韓元建汽車用鋰離子電池廠

  • 　　6月1日消息，新能源汽車在全球的火熱程度也讓電池業(yè)著實火了一把，由于電池是電動汽車軟肋，使得企業(yè)都把電池的研發(fā)放在首位，欲先攻破電池難關。 　　
  • 關鍵字： SK  鋰離子電池  

海力士半導體工廠蒸鍍設備氣體外泄

  • 　　據(jù)韓國電子新聞報導，韓國半導體大廠海力士(Hynix)位于京畿道利川的工廠發(fā)生氣體外泄事故。19日晚間約10點50分，在維修DRAM半導體產(chǎn)線蒸鍍設備過程中，海力士合作廠2位員工因操作不當，使設備內(nèi)殘留的液化氣體外泄。 　　
  • 關鍵字： 海力士  蒸鍍設備  

韓國ipad 2銷售一空

  • 　　韓國前兩大電信運營商SK Telecom、韓國電信(KT)周二宣布，由于供貨吃緊，他們已經(jīng)暫停蘋果iPad 2在線銷售業(yè)務。iPad 2在韓國的上市時間還不到一周。 　　
  • 關鍵字： ipad  SK Telecom  

海力士一季度凈利潤2.54億美元

  • 　　據(jù)國外媒體報道，全球第二大電腦內(nèi)存芯片生產(chǎn)商海力士周四發(fā)布了2011年第一季度財報。財報顯示，今年第一季度海力士實現(xiàn)凈利潤2735.4億韓元(約合2.538億美元)，比去年同期大幅下降66%，這主要是受到個人電腦需求低迷導致芯片價格下滑影響。 　　
  • 關鍵字： 海力士  內(nèi)存芯片  

2010韓國電子制造設備業(yè)發(fā)展迅速

  • 　　2010年韓國半導體、顯示器設備業(yè)者中，有10間企業(yè)年度銷售突破2,000億韓元(約1.8億美元)。至2009年為止，韓國僅2間企業(yè)年度銷售逾2,000億韓元，過去韓國半導體及顯示器設備國產(chǎn)業(yè)者積極推動事業(yè)多元化及擴大出口，形成規(guī)模經(jīng)濟以建構可永續(xù)發(fā)展的基礎，目前正快速成長中。根據(jù)韓國電子公示系統(tǒng)(Data Analysis, Retrieval and Transfer System;DART)及相關業(yè)者表示，2010年銷售突破2,000億韓元的設備業(yè)者包含Semes、Jusung Engineer
  • 關鍵字： 海力士  電子制造設備  

海力士背負54.46億美元債務

  • 　　2001年海力士(Hynix)受景氣波及，遭債權銀行團接手并進行債務重整，時隔10年，海力士已成為全球第2大計算機內(nèi)存芯片供貨商。即使如此，海力士仍背負5.9兆韓元(約54.46億美元)債務，該公司現(xiàn)任執(zhí)行長權五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times訪問時，目前海力士首要目標是盡力還款，并同時確保有足夠資金擴產(chǎn)以及研發(fā)新技術。　
  • 關鍵字： 海力士  內(nèi)存芯片  NAND  

海力士：DRAM市況可望進入恢復期

  • 　　海力士(Hynix)30日召開定期股東大會，社長權五哲表示，DRAM價格已觸底，市況可望進入恢復期，而權五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出現(xiàn)反彈。 　
  • 關鍵字： 海力士  DRAM  

海力士宣布下一代DDR4內(nèi)存開發(fā)完畢

  • 　　三星電子搶先行動整整三個月之后，另一家半導體大廠海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4內(nèi)存顆粒、內(nèi)存條開發(fā)完畢。海力士已經(jīng)開發(fā)出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM內(nèi)存條，支持錯誤校驗功能，均采用先進的30nm級別工藝制造，完全符合JEDEC組織制定的相關標準規(guī)范?！?/li>
  • 關鍵字： 海力士  內(nèi)存  

海力士：DRAM市況可望進入恢復期

  • 　　海力士(Hynix)30日召開定期股東大會，社長權五哲表示，DRAM價格已觸底，市況可望進入恢復期，而權五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出現(xiàn)反彈。 　　
  • 關鍵字： 海力士  DRAM  

海力士開發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存

  • 　　全球第二大計算機內(nèi)存芯片廠商海力士半導體周三稱，它已經(jīng)開發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存芯片。 　　海力士在聲明中稱，通過使用一種名為TSV(硅通孔技術)的新技術，海力士成功地在一個芯片封裝中堆疊了8個2GB DDR3 DRAM內(nèi)存芯片。TSV技術與以前的技術相比具有速度更快和耗電量更少的優(yōu)勢。 　　
  • 關鍵字： 海力士  DRAM  

海力士加入美國芯片三維互連研究計劃

  • 　　韓國海力士半導體日前正式加入美國SEMATECH的一項有關芯片三維互連研究計劃，這一研究主要由美國Albany大學的實驗室承擔，SEMATECH提供組織和協(xié)調(diào)。海力士半導體研發(fā)部門主管Sung Joo博士表示，三維互連是高性能芯片實現(xiàn)高密度、小型化封裝的一個方向、而且還有可能降低制造成本?！?/li>
  • 關鍵字： 海力士  半導體  

海力士擬將于3月前注資5.67億美元擴廠

  • 　　據(jù)路透(Reuters)報導，全球第2大存儲器芯片廠海力士(Hynix)發(fā)布，將于3月前挹注6,370億韓元(約5.67億美元)進行資本投資。 　　據(jù)海力士計劃，該筆資金將用于擴張既有廠房、設備升級與研究開發(fā)工作。該公司公開說明指出，本次投資規(guī)畫旨在因應市場需求與成本競爭壓力加劇。
  • 關鍵字： 海力士  半導體  

海力士將投資5.68億美元擴建工廠和支持研發(fā)

  • 　　據(jù)國外媒體報道，韓國半導體制造商海力士周三表示，將在3月份之前投資6370億韓元(約合5.677億美元)，用于擴大和升級現(xiàn)有工廠，以及開展研發(fā)工作。 　　
  • 關鍵字： 海力士  半導體  

全球NAND Flash擴產(chǎn)競賽3缺1

  • 　　存儲器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報價下跌影響而驟降，除了積極布局非標準型DRAM相關的應用領域之外，市場認為目前全球4大NAND Flash陣營中，唯一沒有宣布要擴產(chǎn)的只剩下海力士，2011年平板計算機和智能型手機等應用都是NAND Flash當?shù)溃Ａκ窟€有1座空著的12寸晶圓廠M12，未來若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!　　
  • 關鍵字： 海力士  NAND  

海力士無錫項目三期融資4.5億美元

  • 　　1月30日，海力士半導體(中國)有限公司12英寸集成電路三期項目4.5億美元銀團貸款簽約儀式在湖濱飯店舉行。本次簽約的海力士三期項目，由國家開發(fā)銀行江蘇省分行、中國農(nóng)業(yè)銀行江蘇省分行為聯(lián)合牽頭行，中國銀行、工商銀行、建設銀行、中信銀行共同參與組建銀團，融資總額4.5億美元。這次銀團簽約，是銀企各方繼海力士一、二期超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線項目銀團后的又一次成功合作。
  • 關鍵字： 海力士  集成電路  
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