SK海力士已量產(chǎn)HBM3E，并計(jì)劃2026年大規(guī)模量產(chǎn)HBM4

2月3日消息，據(jù)《韓國商報(bào)》報(bào)道，在近日的“SEMICON 韓國 2024”展會上，SK海力士副總裁Chun-hwan Kim透露，該公司HBM3E內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，并計(jì)劃在 2026 年開始大規(guī)模生產(chǎn) HBM4。

Chun-hwan Kim表示：“隨著AI計(jì)算時(shí)代的到來，生成式人工智能（AI）正在迅速發(fā)展，市場預(yù)計(jì)將以每年35%的速度增長?！倍墒紸I市場的快速增長則需要大量更高性能的AI芯片來支持，這也將進(jìn)一步推動對于更高帶寬的內(nèi)存芯片的需求。

早在去年8月21日，SK海力士就宣布其開發(fā)出的HBM3e DRAM已經(jīng)提供給英偉達(dá)（NVIDIA）和其他客戶評估，并計(jì)劃在2024年上半年量產(chǎn)，以鞏固其在 AI 內(nèi)存市場的領(lǐng)導(dǎo)地位?，F(xiàn)在，Chun-hwan Kim宣布，該公司HBM3E內(nèi)存已經(jīng)正式量產(chǎn)。

據(jù)介紹，SK海力士的HBM3e在 1024 位接口上擁有9.6 GT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率，單個(gè) HBM3E 內(nèi)存堆?？商峁?1.2 TB/s 的理論峰值帶寬，對于由六個(gè)堆棧組成的內(nèi)存子系統(tǒng)來說，帶寬可高達(dá) 7.2 TB/s。不過，該帶寬是理論上的。例如，英偉達(dá)（Nvidia）的 H200所集成的HBM3e內(nèi)存僅提供高達(dá) 4.8 TB/s的傳輸速率，可能是出于可靠性和功耗方面的考慮。

隨著人工智能和高性能計(jì)算（HPC）行業(yè)的需求持續(xù)增長，因此具有2048位接口的下一代HBM4內(nèi)存成為各家內(nèi)存大廠發(fā)力的重點(diǎn)。

Chun-hwan Kim明確表示，SK海力士將在 2026 年開始生產(chǎn)HBM4，并聲稱這將推動人工智能市場的巨大增長。他認(rèn)為，除了向下一代轉(zhuǎn)型之外，重要的是要認(rèn)識到HBM行業(yè)面臨著巨大的需求。因此，創(chuàng)建一個(gè)既具有無縫供應(yīng)又具有創(chuàng)新性的解決方案更為重要。Chun-hwan Kim認(rèn)為，到 2025 年，HBM 市場預(yù)計(jì)將增長 40%，SK海力士已盡早定位以充分利用這一市場。

同樣，美光和三星也計(jì)劃在2026年量產(chǎn)HBM4。

據(jù)美光介紹，HBM4 將使用 2048 位接口，可以將每個(gè)堆棧的理論峰值內(nèi)存帶寬提高到 1.5 TB/s 以上。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，HBM4 需要具有約 6 GT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率，這將有助于控制下一代 DRAM 的功耗。同時(shí)，2048 位內(nèi)存接口需要在內(nèi)插器上進(jìn)行非常復(fù)雜的布線，或者僅將 HBM4 堆棧放置在芯片頂部。在這兩種情況下，HBM4 都會比 HBM3 和 HBM3E 更昂貴。

三星內(nèi)存執(zhí)行副總裁 Jaejune Kim 在與分析師和投資者舉行的最新財(cái)報(bào)電話會議上也表示：“HBM4 正在開發(fā)中，預(yù)計(jì) 2025 年提供樣品，2026 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) 。 ” “在生成式 AI 的推動下，對定制 HBM 的需求不斷增長，因此我們不僅開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，而且還通過添加邏輯芯片為每個(gè)客戶開發(fā)性能優(yōu)化的定制 HBM。詳細(xì)規(guī)格正在與關(guān)鍵產(chǎn)品討論顧客?！?/p>

編輯：芯智訊-浪客劍