SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存

IT之家 5 月 14 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報道，兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動時表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。

相較于通用 DRAM，HBM 內(nèi)存坐擁更高單價，不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內(nèi)存的兩倍乃至三倍。內(nèi)存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。

正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預計，不僅 HBM 內(nèi)存，通用 DRAM（如標準 DDR5）的價格年內(nèi)也不會下降。

SK 海力士再次確認，根據(jù)截至今年底的生產(chǎn)能力，目前該企業(yè)已經(jīng)完成了對 2025 年 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能的分配；

三星電子方面則稱自身 HBM 訂單情況和對手大致相同，也已售罄，并預估明年不會出現(xiàn) HBM 內(nèi)存供過于求的情況。

三星電子代表確認該公司 HBM4 內(nèi)存計劃于明年完成開發(fā)，2026 年實現(xiàn)量產(chǎn)，并表示三星電子計劃在 HBM4 內(nèi)存中開始應用混合鍵合。

IT之家稍早前的報道中提到，SK 海力士認為其在 HBM4 上就應用混合鍵合的可能性不大，持有同三星電子不一致的觀點。

此外，兩家企業(yè)均對企業(yè)級固態(tài)硬盤市場持樂觀態(tài)度，三星電子方面的代表認為相關需求的增長將是長期趨勢。