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海力士與ST為合資存儲器芯片制造廠舉行落成典禮

　　意法半導(dǎo)體公司和另一家大型半導(dǎo)體廠商海力士半導(dǎo)體為在中國江蘇省無錫市合資建立的存儲器芯片前端制造廠舉行了正式的開業(yè)典禮。中國地方及國家領(lǐng)導(dǎo)參加了開業(yè)典禮。這個技術(shù)先進的新工廠將負(fù)責(zé)制造NAND閃存和DRAM存儲器芯片，該合資公司是海力士與意法半導(dǎo)體成功合作的結(jié)晶。合資雙方將獲得規(guī)模經(jīng)濟帶來的巨大的經(jīng)濟效益，將能提前進入飛速增長的中國市場，在制造工藝和產(chǎn)品開發(fā)上實現(xiàn)優(yōu)勢互補。無錫晶圓制造廠將加快
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海力士與意法半導(dǎo)體合資興建的江蘇無錫半導(dǎo)體廠，將在明年4月著手量產(chǎn)。韓國業(yè)界相關(guān)人員近日指出，據(jù)傳海力士最快將在明年第一季底，最遲將在明年第二季初啟用無錫廠。無錫廠將以生產(chǎn)DRAM為主，NAND型閃存則將視市場需求彈性生產(chǎn)。無錫廠區(qū)達16萬平方米，海力士計劃投入2兆韓元以上興建一座八吋晶圓廠與一座12吋晶圓廠。明年4月將啟用的為8吋晶圓廠，將采用9
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