海力士加入美國芯片三維互連研究計劃
—— 解決存儲器技術(shù)難題
韓國海力士半導(dǎo)體日前正式加入美國SEMATECH的一項有關(guān)芯片三維互連研究計劃,這一研究主要由美國Albany大學(xué)的實驗室承擔(dān),SEMATECH提供組織和協(xié)調(diào)。海力士半導(dǎo)體研發(fā)部門主管Sung Joo博士表示,三維互連是高性能芯片實現(xiàn)高密度、小型化封裝的一個方向、而且還有可能降低制造成本。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/117547.htm三維互連研究計劃還希望解決一系列相關(guān)的產(chǎn)業(yè)布局問題,如這一技術(shù)涉及的材料、設(shè)備的研發(fā)等。由于新一代存儲器將包含大量的輸入-輸出信號,采用現(xiàn)有技術(shù)實現(xiàn)高密度封裝將越來越困難,這可能是存儲器海力士加入SEMATECH這一研究項目的原因之一。
評論