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惠普宣布與海力士合作開發(fā)新型內(nèi)存
- 據(jù)國外媒體報道,惠普周二宣布與韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor)達成合作協(xié)議,共同研發(fā)下一代內(nèi)存技術電阻式內(nèi)存并將其推向市場。 據(jù)一份聲明顯示,兩家公司將合作開發(fā)新型材料和技術,實現(xiàn)電阻式內(nèi)存(ReRAM)技術的商業(yè)化。海力士將會采用由惠普實驗室研發(fā)出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現(xiàn)有的固態(tài)存儲技術能耗更低,速度更快,而且能在斷電時存儲數(shù)據(jù)?;萜战衲甏杭痉Q表示,憶阻器也能夠執(zhí)行邏輯。 ReRAM技術的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM
- 關鍵字: 海力士 內(nèi)存 ReRAM
海力士第二季度營收27.2億美元 同比增96%
- 據(jù)國外媒體報道,全球第二大計算機內(nèi)存芯片制造商海力士周四發(fā)布了該公司2010年第二季度財報。財報顯示,受內(nèi)存芯片價格上漲及PC銷量增長的推動,海力士第二季度業(yè)績超過了市場預期。 在截至6月30日的第二季度,海力士凈利潤為6648億韓元(約合5.502億美元)。這一業(yè)績好于上年同期,2009年第二季度,海力士凈虧損為580億韓元。海力士第二季度營收同比增長96%,達到創(chuàng)紀錄的3.28萬億韓元(約合27.2億美元)。海力士第二季度運營利潤為7465億韓元,高于去年同期的運營虧損6525億韓元。海力士
- 關鍵字: 海力士 內(nèi)存芯片
第三季度DRAM價格或下滑
- 據(jù)韓國ET NEWS報導,過去1年2個月期間呈現(xiàn)上升趨勢的DRAM價格,可能將再度下滑。預期第3季DRAM價格將小幅下滑后止跌,但第4季將會有大幅的下滑趨勢。雖韓國企業(yè)的凈利也將減少,但對臺灣企業(yè)打擊可能更大。 據(jù)相關業(yè)者及證券師指出,自2009年4月持續(xù)上升的DRAM價格進入第3季后可能會有 5%的價格下滑。業(yè)界相關人員表示,第3季DRAM價格依據(jù)PC業(yè)者的調(diào)降要求,可能會有5%的下滑,但DRAM供貨貨量有限制,因此下滑幅度應不大。 摩根大通(JP Morgan Chase &
- 關鍵字: 海力士 DRAM 40納米
海力士增資11億美元實施44納米技術升級
- 在全球集成電路存儲器領域處于領先地位的無錫海力士—恒億半導體有限公司迎來了又一次產(chǎn)品技術升級的契機。6月18日,韓國海力士株式會社與無錫新區(qū)在南京簽約,將增資11億美元用于擴大44納米產(chǎn)品的產(chǎn)能。省委書記梁保華、省長羅志軍會見了韓國海力士株式會社社長權五哲一行,并出席項目簽約儀式。 梁保華在會見時對無錫海力士半導體封裝項目剛剛實現(xiàn)竣工投產(chǎn)表示祝賀。他說,無錫海力士封裝項目順利投產(chǎn)和44納米技術升級項目簽約,標志著我們雙方的合作達到了一個新的水平。當前信息產(chǎn)業(yè)面臨著新的發(fā)展機遇,海力士
- 關鍵字: 海力士 封裝
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