拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買(mǎi)設(shè)備

　　記憶體大廠整軍經(jīng)武，準(zhǔn)備展開(kāi)新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買(mǎi)設(shè)備，積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉(zhuǎn)進(jìn)新制程，拉高戰(zhàn)力。

　　韓媒etnews 6日?qǐng)?bào)導(dǎo)，記憶體大廠爭(zhēng)相量產(chǎn)3D NAND Flash，新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比，差別在于從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據(jù)了解，由2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash，顯影制程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要采購(gòu)不少新設(shè)備。據(jù)了解，三星最早量產(chǎn)3D NAND Flash，目前正在擴(kuò)充西安3D NAND Flash廠產(chǎn)線，盼將堆疊層數(shù)從32層提高到48層。與此同時(shí)，SK海力士也增加投資，預(yù)定今年下半量產(chǎn)3D NAND Flash，將打造36層的3D NAND Flash產(chǎn)線。

　　DRAM方面，今年下半，三星擬把20 奈米 DRAM制程比重提高到20%，SK海力士則要將25奈米DRAM制程比重提高至60%。為了轉(zhuǎn)進(jìn)新制程，兩家公司都將大肆采購(gòu)。

　　南韓媒體中央日?qǐng)?bào)日文版甫于6月19日?qǐng)?bào)導(dǎo)，因固態(tài)硬碟(SSD)需求提振3D架構(gòu)的NAND型快閃記憶體 (Flash Memory)需求呈現(xiàn)急速增長(zhǎng)，故三星計(jì)畫(huà)把生產(chǎn) 3D NAND的中國(guó)西安半導(dǎo)體工廠產(chǎn)量較現(xiàn)行擴(kuò)增50%。報(bào)導(dǎo)指出，據(jù)熟知 三星事務(wù)的關(guān)系人士透露，目前三星西安工廠晶圓月產(chǎn)量為4-5萬(wàn)片，而三星計(jì)畫(huà)于今(2015)年底前將其產(chǎn)量提高5成(增加2萬(wàn)片)至6-7萬(wàn)片。

　　barron`s.com 6月23日?qǐng)?bào)導(dǎo)，雖然美光與英特爾(Intel Corp.)已在3月發(fā)表最新3D NAND技術(shù)，還宣稱廠房已開(kāi)始投產(chǎn)、預(yù)計(jì)今年底就會(huì)產(chǎn)能全開(kāi)，但瑞士信貸分析師Keon Han與團(tuán)隊(duì)發(fā)表研究報(bào)告指出，三星在3D NAND領(lǐng)域擁有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，因?yàn)樵摴究蓪?D NAND直接賣(mài)回給自己，而在客戶需求前景較為穩(wěn)定下，三星能夠直接打造全新的3D NAND廠房，不需要像競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手那樣把舊有廠房升級(jí)來(lái)節(jié)省成本。瑞信認(rèn)為，三星未來(lái)2年在3D NAND市場(chǎng)都不會(huì)面臨太多競(jìng)爭(zhēng)。

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