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Diodes芯片級雙向MOSFET節(jié)省空間 有效提高鋰電池容量

  • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護。DMN2023UCB4的低導通電阻可降低功耗，纖薄的芯片級封裝則使設計人員能夠利用省下來的空間來提高電池容量。新產(chǎn)品的目標終端市場包括智能手機、平板電腦、照相機、便攜式媒體播放器，以及對其尺寸丶重量和電池壽命都至關(guān)重要的同類型消費性產(chǎn)品。 　　DMN2023UCB4的RSS(on) 少於26mΩ，旨在以最低的導通電阻來減低功耗。此外，其雙N通
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哪一個更簡單，選擇熱插拔控制器，還是功率MOSFET？

  • 　　我曾經(jīng)遇到過節(jié)假日有客人上門，必須跑到商店，在關(guān)門前挑選幾件物品的情況。我當時就意識到“跑”這個單詞會有多少種意思呢。我聽說單單作為動詞，他就有645個意思，并且還在不斷增加!表面上看起來很簡單的事情實際上會很復雜。想一想，功率MOSFET只有三個引腳(柵極、源極、漏極)。長假過后，當回到辦公室開始設計全新的電源管理熱插拔應用時，我想到看起來簡單的功率MOSFET會有多么復雜，還有就是在為熱插拔應用和功率轉(zhuǎn)換分別選擇一款MOSFET時會有什么不同。 　　熱插拔電路使用一個功率
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德州儀器推出NexFET? N溝道功率MOSFET 可實現(xiàn)業(yè)界最低電阻

  • 　　日前，德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應用于熱插拔和ORing應用。此外，TI面向低電壓電池供電型應用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實現(xiàn)了比同類競爭器件低84% 的極低電阻。如需獲取更多信息、樣片或參考設計，敬請訪問：www.ti.co
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Diodes全新MOSFET柵極驅(qū)動器提升轉(zhuǎn)換效率

  • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對1A額定值的40V緊湊型柵極驅(qū)動器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式電源以及電機驅(qū)動電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采用SOT26封裝) 和 ZXGD3009DY (采用SOT363封裝) 可縮減MOSFET的開關(guān)時間，有助于盡量降低開關(guān)損耗、改善功率密度，以及提升整體轉(zhuǎn)換效率。 　　新驅(qū)動器作為低功率控制IC的高增益緩沖級，能夠從僅10mA的輸入電流提供500mA的典型驅(qū)動電流
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Exar推出通用PMIC輸入電壓高達40V,適合任何FPGA，SoC或DSP

  • 　　領先的高性能集成電路和系統(tǒng)解決方案提供商Exar公司，即日宣布發(fā)布一款6V至40V的工作電壓范圍，四路輸出可編程通用PMIC-XR77129。其專利性的控制架構(gòu)，采用17-bit寬PID電壓型輸入前饋方式，非常適合40V輸入電壓范圍。該控制器提供單輸入電壓，四路輸出電壓軌，降壓式控制器內(nèi)部集成MOSFET門極驅(qū)動和雙LDO輸出該產(chǎn)品還可以通過I2C總線實時監(jiān)測電源狀態(tài)，動態(tài)控制輸出電壓參數(shù)。五個可配置GPIO可以用于狀態(tài)指示和時序控制，以加速電源系統(tǒng)設計。 　　XRP77129使用Exar設計工具P
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LED襯底第三代半導體SiC技術(shù)的崛起

  • 　　第一代半導體材料Si點燃了信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產(chǎn)業(yè)群，促使英特爾等世界半導體巨頭的誕生，95%以上的半導體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。 　　   　　目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉(zhuǎn)換最大耗散是半導體功率器件。曾經(jīng)的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發(fā)展的材料極限，難以滿足當今社會發(fā)展對于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型
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封裝寄生電感是否會影響MOSFET性能？

  • 　　I.引言 　　高效率已成為開關(guān)電源(SMPS)設計的必需要求。為了達成這一要求，越來越多許多功率半導體研究人員開發(fā)了快速開關(guān)器件，舉例來說，降低器件的寄生電容，并實現(xiàn)低導通電阻，以降低開關(guān)損耗和導通損耗。這些快速開關(guān)器件容易觸發(fā)開關(guān)瞬態(tài)過沖。這對SMPS設計中電路板布局帶來了困難，并且容易引起了柵極信號振蕩。為了克服開關(guān)瞬態(tài)過沖，設計人員通常采取的做法是借助緩沖電路提高柵極電阻阻值，以減慢器件開關(guān)速度，抑制過沖，但這會造成相對較高的開關(guān)損耗。對于采用標準通孔封裝的快速開關(guān)器件，總是存在效率與易用性的
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Diodes OR'ing控制器提升不間斷電源可靠性

  • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V額定值的動態(tài)OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升電信系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心及服務器不間斷電源的可靠性。新產(chǎn)品旨在全面改善超低導通電阻功率MOSFET，從而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻斷二極管，有效降低工作溫度并加強不間斷電源系統(tǒng)的完整性。 　　新控制器通過以這種方式驅(qū)動MOSFET，同時提升標準12V和24V共軌系統(tǒng)的整體系統(tǒng)效率。與其它同類型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的關(guān)斷電壓閾值。器件的電壓少于-
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東芝推出40V電壓功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列

  • 　　東芝公司旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比東芝傳統(tǒng)的U-MOS VI-H系列，新系列減少了76%的導通電阻，實現(xiàn)業(yè)界頂級的低導通電阻[1]。此外，它還減少了Qoss[2]的增加，從而提高開關(guān)電源的效率。樣品出貨即日起啟動。 　　注： 　　·[1]截至2014年11月4日。東芝調(diào)查。 　　·[2]Qoss：輸出電荷。 　　主要特性 　　&m
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IR 推出4×5 PQFN功率模塊封裝的25V IRFH4257D FastIRFET雙功率MOSFET

  • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能，使其可用于更低功率的緊湊型設計，適合12V輸入DC-DC同步降壓應用，包括先進的電信和網(wǎng)絡通信設備、服務器、顯示適配器、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應用。 　　   　
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聯(lián)電明年產(chǎn)能 搶購一空

  • 　　8寸晶圓代工產(chǎn)能卡位戰(zhàn)提前啟動，法人指出，聯(lián)電8寸廠能已被指紋辨識芯片、LCD驅(qū)動IC，以及電源管理IC客戶搶購一空，明年將成為8寸晶圓代工大贏家。 　　過往8寸晶圓廠主要生產(chǎn)LCD驅(qū)動IC、電源管理芯片等產(chǎn)品，隨著蘋果新機導入指紋辨識芯片，非蘋陣營明年全面跟進，相關(guān)芯片廠也開始卡位8寸晶圓產(chǎn)能，造就市場榮景。 　　此外，原以6寸生產(chǎn)金屬化合物半導體場效晶體管(MOSFET)也為了提升競爭力，相繼轉(zhuǎn)入8寸廠生產(chǎn)，讓8寸晶圓廠產(chǎn)能更為吃緊。 　　包括指紋辨識芯片、LCD驅(qū)動IC及電源管理芯片三大半
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42V、5A (IOUT)、同步降壓型 Silent Switcher 在 2MHz 提供 95% 效率

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5A、42V 輸入同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 LT8640。該器件采用獨特的 Silent Switcher® 架構(gòu)，整合了擴展頻譜調(diào)制，即使開關(guān)頻率超過 2MHz 時，依然能夠?qū)?EMI / EMC 輻射降低超過 25dB，從而使該器件能夠輕松地滿足汽車 CISPR25 Class 5 峰值限制要求。同步整流在開關(guān)頻率為 2MHz 時可提供高達 95% 的效率。其 3.4V 至 42V 輸入電壓范圍使該器件非常適合
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易于符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案，并展示在評估電路板 DC2150A 上。MIL-STD-1275D 是美國國防部制定的標準，規(guī)定了地面軍用車輛所用 28V DC 電源的穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)電壓特性。當面對 MIL-STD-1275D 中嚴格規(guī)定的浪涌、尖峰和紋波波形時，DC2150A 可將輸出電壓限制到安全的 44V。就大多數(shù)應用而言，要滿足該標準就是簡單地將 DC2150A 電路放置到容限為 44V
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ROHM：國際半導體巨頭的“小”追求和“低”要求

  • 　　近年來，隨著柔性屏幕、觸控技術(shù)和全息技術(shù)在消費電子領域的應用日益廣泛，智能手機、平板電腦等智能終端功能越來越多樣化。加上可穿戴設備的興起、汽車電子的發(fā)展、通信設備的微型化，設備內(nèi)部印制電路板所需搭載的半導體器件數(shù)大幅提升，而在性能不斷提升的同時，質(zhì)量和厚度卻要求輕便、超薄。有限的物理空間加上大量的器件需求，對電子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求，各個領域元器件小型化的需求日益高漲。小型化不僅是過去幾年的發(fā)展方向，也是將來的趨勢。 　　談到元器件的小型化，我們就不得不提為此作
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