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更強(qiáng)勁、更簡(jiǎn)單：看電源模塊的未來(lái)趨勢(shì)

　　有線、無(wú)線網(wǎng)絡(luò)以及云計(jì)算的快速膨脹，這是擺在人們眼前的重要趨勢(shì)。這一上層的大趨勢(shì)，帶動(dòng)了下層的硬件及其組成部分的發(fā)展趨勢(shì)。網(wǎng)絡(luò)吞吐量的迅速攀升，需要強(qiáng)大而復(fù)雜的FPGA和處理器等來(lái)做性能支持。而這，需要高性能、高可靠的電源模塊來(lái)作保障。　　最近，Intersil發(fā)布了最新的50A密封式數(shù)字電源模塊ISL8272M，從它我們可以看出電源模塊領(lǐng)域的一些最新趨勢(shì)。　　Intersil公司高級(jí)應(yīng)用經(jīng)理梁志翔介紹說(shuō)，Intersil開(kāi)發(fā)電源模塊產(chǎn)品的歷史大概要從2008年開(kāi)始算起，ISL8272M可以說(shuō)
關(guān)鍵字： Intersil ISL8272M MOSFET 201504

8種噪聲測(cè)試技術(shù)的實(shí)現(xiàn)，包括模塊電源、MOSFET等

　　噪聲通常指任意的隨機(jī)干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲，是由處在一定溫度下的各種物質(zhì)內(nèi)部微粒作無(wú)規(guī)律的隨機(jī)熱運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的，常用統(tǒng)計(jì)數(shù)學(xué)的方法進(jìn)行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)中，因此噪聲測(cè)量主要指電子元件和器件、網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)的熱噪聲和特性的測(cè)量。　　附加相位噪聲測(cè)試技術(shù)及注意事項(xiàng) 　　本文簡(jiǎn)單介紹了相位噪聲的定義，詳細(xì)介紹了附加相位噪聲的測(cè)試過(guò)程，給出了實(shí)際的測(cè)試結(jié)果，指出了附加相位噪聲測(cè)試過(guò)程中的一些注意事項(xiàng)，希望對(duì)附加相位噪聲測(cè)試人員有一定的借鑒意義。　　用于4G-LTE
關(guān)鍵字：模塊電源 MOSFET

短溝道MOSFET散粒噪聲測(cè)試方法研究

　　近年來(lái)隨著介觀物理和納米電子學(xué)對(duì)散粒噪聲研究的不斷深入，人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內(nèi)部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會(huì)有介觀或者納米尺度的結(jié)構(gòu)，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會(huì)產(chǎn)生散粒噪聲，并且可能攜帶內(nèi)部結(jié)構(gòu)的信息。這使人們對(duì)宏觀電子元器件中散粒噪聲研究產(chǎn)生了極大的興趣。另一方面，隨著器件尺寸的不斷縮小，MOSFET器件中散粒噪聲成分也越來(lái)越顯著，已經(jīng)嚴(yán)重影響器件以及電路的噪聲水平，人們必須要了解電子元器件中散粒噪聲的產(chǎn)生機(jī)理和特性，以便更好的抑制器件的散粒噪聲，實(shí)現(xiàn)器件和電路的
關(guān)鍵字： MOSFET

CISSOID 公司推出 HADES v2

　　CISSOID公司推出第二代 HADES®，一款高度集成的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品。HADES® 旨在面向基于快速開(kāi)關(guān)碳化硅 (SiC) 晶體管、傳統(tǒng)功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和致動(dòng)器應(yīng)用。憑借 CISSOID 產(chǎn)品無(wú)與倫比的耐用性，柵極驅(qū)動(dòng)器 HADES® 在嚴(yán)酷的環(huán)境下可實(shí)現(xiàn)更高可靠性和更長(zhǎng)的使用壽命，從而滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)者對(duì)航空、汽車、工業(yè)、石油和天然氣市場(chǎng)的應(yīng)用需求。　　HADES®包括氣密性陶瓷封裝和塑料封裝兩種，前者可以在溫
關(guān)鍵字： CISSOID MOSFET

聯(lián)合收獲機(jī)凹板間隙調(diào)節(jié)系統(tǒng)研究

　　摘要：聯(lián)合收獲機(jī)凹板間隙的大小是影響聯(lián)合收獲機(jī)脫離質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一，本文設(shè)計(jì)了一款基于聯(lián)合收獲機(jī)的凹板結(jié)構(gòu)，通過(guò)控制線性驅(qū)動(dòng)器對(duì)凹板間隙進(jìn)行自動(dòng)調(diào)節(jié)的系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了聯(lián)合收獲機(jī)凹板間隙自動(dòng)調(diào)節(jié)，通過(guò)試驗(yàn)研究結(jié)果表明：該系統(tǒng)調(diào)節(jié)方便實(shí)用，且調(diào)節(jié)精度在5%以內(nèi)。　　引言　　谷物聯(lián)合收獲機(jī)的作業(yè)性能指標(biāo)，主要包括總損失率、破損率和含雜率等。脫粒與分離滾筒是谷物聯(lián)合收獲機(jī)的重要工作部件。脫粒與分離滾筒由高速旋轉(zhuǎn)的滾筒和固定的弧型凹板配合，使谷物從滾筒與凹板之問(wèn)通過(guò)，經(jīng)脫粒元件的打擊、揉搓、碾壓和梳刷，通
關(guān)鍵字：凹板間隙 CAN PWM MOSFET BTS7960 201504

打造合作共贏面向世界的創(chuàng)新模式

　　摘要：本文通過(guò)對(duì)大唐恩智浦訪問(wèn)，分析國(guó)產(chǎn)汽車電子現(xiàn)狀以及分析未來(lái)汽車電子發(fā)展現(xiàn)狀。　　中國(guó)看世界，汽車電子是一個(gè)經(jīng)久不衰的市場(chǎng);而世界也在看中國(guó), 中國(guó)是否已準(zhǔn)備好在這個(gè)市場(chǎng)上大展宏圖?中國(guó)首個(gè)汽車半導(dǎo)體設(shè)計(jì)合資公司成立一年了，名稱為“大唐恩智浦半導(dǎo)體有限公司”(Datang NXP Semiconductors Co. Ltd.以下簡(jiǎn)稱：大唐恩智浦)，占盡著天時(shí)、地利、人和，如何通過(guò)建立起新型合作模式，用全球的視角去贏取市場(chǎng)呢?通過(guò)與總經(jīng)理張鵬崗的交流，使筆者對(duì)其創(chuàng)新理念
關(guān)鍵字：大唐恩智浦 MOSFET 汽車電子 201504

繼電器相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)及應(yīng)用電路設(shè)計(jì)匯總

　　繼電器是一種電控制器件，是當(dāng)輸入量(激勵(lì)量)的變化達(dá)到規(guī)定要求時(shí)，在電氣輸出電路中使被控量發(fā)生預(yù)定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統(tǒng)(又稱輸入回路)和被控制系統(tǒng)(又稱輸出回路)之間的互動(dòng)關(guān)系。通常應(yīng)用于自動(dòng)化的控制電路中，它實(shí)際上是用小電流去控制大電流運(yùn)作的一種“自動(dòng)開(kāi)關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。　　極限條件下的時(shí)間繼電器設(shè)計(jì)方案　　時(shí)間繼電器是一種使用在較低的電壓或較小電流的電路上，用來(lái)接通或切斷較高電壓、較大電流的電路的電氣元件，也許可
關(guān)鍵字： PIC18F6585 MOSFET

Fairchild新的擴(kuò)展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS)正在利用其擴(kuò)展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴(kuò)充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)值的MOSFET高三倍。　　這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標(biāo)準(zhǔn)，換言之，其最大結(jié)溫可高達(dá)150° C，超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)150° C MOSFET能達(dá)到的125°
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET

Fairchild新的擴(kuò)展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C 適合超高功率密度應(yīng)用

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild 正在利用其擴(kuò)展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴(kuò)充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)值的MOSFET高三倍。　　這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標(biāo)準(zhǔn)，換言之，其最大結(jié)溫可高達(dá)150° C，超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)150° C MOSFET能達(dá)到的125° C，使更大的設(shè)計(jì)裕量成
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET

Fairchild 的 800V SuperFET II MOSFET 系列提供最低的導(dǎo)通電阻和多種可選封裝

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列，該系列提供廣泛的可選封裝并擁有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻 (Rdson) 和輸出電容 (Coss)。新系列幫助設(shè)計(jì)師提高高性能解決方案(需要 600V/650V 以上的擊穿電壓)的效率、成本效益和可靠性，同時(shí)通過(guò)減少元件的使用從而減少這些設(shè)計(jì)的電路板空間。　　800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性，加上出色的效率和熱特性，使其成為各種應(yīng)用的理想之選
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET

一種軟啟動(dòng)與防反接保護(hù)電路

　　摘要：在很多消費(fèi)電子設(shè)備中用到了軟啟動(dòng)電路與防反接電路，其保護(hù)作用非常顯著。多數(shù)的設(shè)計(jì)中，這兩種電路獨(dú)立存在，或者僅有一種保護(hù)電路，導(dǎo)致部分保護(hù)功能缺失或者電路設(shè)計(jì)復(fù)雜。本設(shè)計(jì)提出一種設(shè)計(jì)方法，同時(shí)實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)與防反接保護(hù)功能，且電路簡(jiǎn)單。　　軟啟動(dòng)與防反接保護(hù)電路對(duì)電子設(shè)備有很好的保護(hù)作用，由于消費(fèi)電子客戶存在多次開(kāi)關(guān)機(jī)的應(yīng)用場(chǎng)景和輸入接反的可能性。但是由于成本與電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，很多設(shè)計(jì)中只提供了一種保護(hù)電路。本文基于提供全面保護(hù)與降低成本、降低設(shè)計(jì)復(fù)雜性的角度，提出一種電路，整合了軟啟動(dòng)與防反
關(guān)鍵字：保護(hù)電路軟啟動(dòng) 繼電器 MOSFET 反接電路二極管 201503

一種高性能可智能控制型LED路燈驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)

　　摘要：本文針對(duì)傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電源電能損耗大、效率和智能化程度低的缺點(diǎn)，設(shè)計(jì)了一款適用于大功率LED路燈的高性能可智能控制型驅(qū)動(dòng)電源。本文選擇了多級(jí)驅(qū)動(dòng)方案，即功率因數(shù)校正(PFC)電路、LLC諧振控制電路和多路恒流輸出的三級(jí)式結(jié)構(gòu)。本文采用合理的設(shè)計(jì)，優(yōu)化了功率校正因數(shù)，增大了輸入電壓范圍，提高了整機(jī)效率，使輸出電流在全負(fù)載范圍內(nèi)更加穩(wěn)定，同時(shí)增加了PWM調(diào)光控制功能，可根據(jù)外界環(huán)境的變化智能控制LED路燈的亮度，從而達(dá)到進(jìn)一步節(jié)能減排的效果。　　引言　　由于具有高光效、長(zhǎng)壽命、燈具效率高、環(huán)保和易
關(guān)鍵字： LED 驅(qū)動(dòng)電源 PFC LLC PWM MOSFET 201503

SiC功率器件的技術(shù)市場(chǎng)走勢(shì)

　　摘要：探討了SiC的技術(shù)特點(diǎn)及其市場(chǎng)與應(yīng)用。　　近期，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在清華大學(xué)內(nèi)舉辦了以“SiC功率元器件技術(shù)動(dòng)向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學(xué)習(xí)會(huì)。此次交流學(xué)習(xí)會(huì)上，ROHM在對(duì)比各種功率器件的基礎(chǔ)上，對(duì)SiC元器件的市場(chǎng)采用情況和發(fā)展趨勢(shì)做了分析，并對(duì)ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開(kāi)發(fā)以及市場(chǎng)情況做了詳盡的介紹。　　各種功率器件的比較　　功率元器件主要用于轉(zhuǎn)換電源，包括四大類：逆變器、轉(zhuǎn)換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉(zhuǎn)換器、矩陣
關(guān)鍵字： SiC 功率器件 ROHM IGBT 201503

意法半導(dǎo)體(ST)擴(kuò)大碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，為更多應(yīng)用帶來(lái)寬帶隙技術(shù)優(yōu)勢(shì)

　　意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管，其先進(jìn)的能效與卓越的可靠性將為更多節(jié)能應(yīng)用帶來(lái)技術(shù)優(yōu)勢(shì)，包括純電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的逆變器、太陽(yáng)能或風(fēng)力發(fā)電、高能效驅(qū)動(dòng)器、電源以及智能電網(wǎng)設(shè)備。　　意法半導(dǎo)體是業(yè)界少數(shù)具有高可靠性、高能效碳化硅功率半導(dǎo)體研發(fā)的領(lǐng)導(dǎo)廠商之一，并始終致力于技術(shù)的研發(fā)與升級(jí)。這次推出的1200V SCT20N120進(jìn)一步擴(kuò)大了碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，具有小于290m?的通態(tài)電阻 (RDS(ON
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 SCT20N120 MOSFET

LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的5大關(guān)鍵

　　要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術(shù)性的問(wèn)題。如何解決能效和可靠性這些難題，PowerIntegrations市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁DougBailey分享了高效高可靠LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的心得。　　一、不要使用雙極型功率器件　　DougBailey指出由于雙極型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一個(gè)，所以一些設(shè)計(jì)師為了降低LED驅(qū)動(dòng)成本而使用雙極型功率器件，這樣會(huì)嚴(yán)重影響電路的可靠性，因?yàn)殡S著LED驅(qū)動(dòng)電路板溫度的提升，雙極型器件的有效工作范圍會(huì)迅速縮小，這樣會(huì)導(dǎo)致器件在溫度
關(guān)鍵字： LED MOSFET