摘要:傳統(tǒng)高功率LED驅動電源大多采用直流并聯(lián)LED的方式工作,成本低,容易實現(xiàn),但目前高亮度LED消耗的電流可達350mA甚至更高,因此傳統(tǒng)方法的損耗極大,效率低;本文提出了一種串聯(lián)輸入多并聯(lián)驅動電源的實現(xiàn)方法,具有高性價比,輸出電流大,失真度低,且具有優(yōu)異的串電流調節(jié)功能等優(yōu)點。
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LED 照明驅動 DC/DC SIMPLE MOSFET 201312
2013年11月22日,日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布,在第十五屆中國國際高新技術成果交易會(簡稱高交會)電子展上圍繞“智慧與科技的雙贏,盡在東芝智能社區(qū)”這一主題,重點展示了面向移動終端、家用電器、汽車電子、工業(yè)電子以及存儲等五大應用領域的創(chuàng)新技術與解決方案。
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東芝 存儲卡 MOSFET
引言對電能轉換而言,可再生能源電子細分市場是一個復雜且多樣化的競技場。在一些負載點應用中,開關型功率轉換...
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IGBT MOSFET
通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產品中最為突出。其背景在于,越是低耐壓產品,基片上層積的漂移層就越薄,因此在SiC二極管的導通電阻中,基片的電阻成分所占比例就越大。
目前,SiC基片的厚度以350μm為主流,超薄產品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度,許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發(fā)。
比如,羅姆通過研磨等工序將SiC基片減薄至50μm,并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
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三菱電機 SiC
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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MOS管 驅動電路 MOSFET 導通特性 AN799
一、LED的出現(xiàn)打破了傳統(tǒng)光源的設計方法與思路,目前有兩種最新的設計理念。1.情景照明:是2008年由飛...
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LED MOSFET
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中,通常包括單脈沖雪崩能量EAS,雪崩電流IAR,重復脈沖雪崩能量EAR等參數(shù),而許多電子工...
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MOSFET 電源設計
通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產品中最為突出。其背景在于,越是低耐壓產品,基片上層積的漂移層就越薄,因此在SiC二極管的導通電阻中,基片的電阻成分所占比例就越大。
目前,SiC基片的厚度以350μm為主流,超薄產品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度,許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發(fā)。
比如,羅姆通過研磨等工序將SiC基片減薄至50μm,并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
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SiC 二極管
用于高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界的領導者 Power Integrations公司(納斯達克股票代號:POWI)日前宣布推出HiperTFS?-2系列IC - 一款同時集成了高壓MOSFET、雙管正激和反激電源控制器的IC。如此高的集成度可節(jié)省超過20個元件,從而減小外形尺寸并提高功率密度。
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Power MOSFET HiperTFS-2
在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務器和電信系統(tǒng)供電應用中,提高效率和功率密度是設計人員面臨的重大挑戰(zhàn)。
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飛兆 MOSFET SPS 驅動器
新日本無線的這款新MUSES音頻系列產品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode),粗銅線有利于降低損耗提高效率,SiC-SBD專長于高速開關動作,再加上注重最佳音質的制造工藝技術,能夠實現(xiàn)高音質音響效果。
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新日本無線 SiC-SBD MUSES
日前,德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業(yè)界最小型低導通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶體管采用超小型封裝,支持不足 100 毫歐的導通電阻。
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TI MOSFET 導通電阻
現(xiàn)在的專業(yè)軟件都是越做越大,功能成倍成倍地增加,而處理的對象也是越來越復雜,特別是使用一些仿真軟件在高精度下建模仿真的時候,因為PC上硬件的發(fā)展速度慢于軟件功能復雜化的速度,就造成了我們的仿真看起來是越跑越慢了。
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Simulink 仿真速度 操作系統(tǒng) MOSFET
MOSFET,中文名金屬-氧化層-半導體-場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。
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MOSFET 晶體管 datasheet 漏極電流
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