美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應(yīng)用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列 繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位

　　致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)用于效率至關(guān)重要的大功率工業(yè)應(yīng)用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫(yī)療設(shè)備的解決方案。

　　美高森美擁有利用SiC半導(dǎo)體市場增長的良好條件，據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Yole Développement預(yù)計(jì)，從2015年至2020年，SiC功率半導(dǎo)體市場的同比增長率將達(dá)到39%，而且Market Research預(yù)計(jì)SiC半導(dǎo)體市場將于2022年達(dá)到53億美元，同比增長率38%。

　　新型SiC MOSFET器件

　　全新SiC MOSFET器件采用來自美高森美的專利技術(shù)，特別設(shè)計(jì)以幫助客戶開發(fā)在更高頻率下運(yùn)行并提升系統(tǒng)效率的解決方案。

　　美高森美的專利 SiC MOSFET技術(shù)特性包括 ：

　　- 同級最佳的RDS(on)對比溫度

　　- 超低柵極電阻，最大限度減小開關(guān)能耗

　　- 出色的最大開關(guān)頻率

　　- 卓越的穩(wěn)定性和出色的短路耐受性

　　美高森美功率產(chǎn)品組總經(jīng)理Marc Vandenberg表示：“美高森美的1200V SiC MOSFET建立了全新的性能基準(zhǔn)，我們利用公司內(nèi)部的SiC制造能力，繼續(xù)擴(kuò)大SiC產(chǎn)品組合，為客戶提供創(chuàng)新的大功率解決方案。”

　　美高森美的1200V SiC MOSFET器件的額定電阻為 80mΩ和 50mΩ，通過同時提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-247和SOT-227封裝，可為客戶提供更多的開發(fā)靈活性 ：

　　- APT40SM120B 1200V、80mΩ、40A、TO-247 封裝

　　- APT40SM120J 1200V、80mΩ、40A、SOT-227封裝

　　- APT50SM120B 1200V、50mΩ、50A、TO-247封裝

　　- APT50SM120J 1200V、50mΩ、50A、SOT-227封裝

　　新型SiC MOSFET功率模塊

　　美高森美SiC MOSFET還可以集成進(jìn)公司擴(kuò)展的MOSFET功率模塊中，用于電池充電、航空航天、太陽能、焊接和其它大功率工業(yè)應(yīng)用。新的功率模塊具有更高的工作頻率并提升了系統(tǒng)效率。

　　新型1700V肖特基二極管

　　美高森美的 SiC MOSFET器件也與公司完整的SiC肖特基二極管產(chǎn)品系列相輔相成，全新的1700V SiC肖特基二極管將產(chǎn)品線擴(kuò)展至1200V和650V以上，這些產(chǎn)品設(shè)計(jì)使用出色的鈍化技術(shù)，在室外和潮濕應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健性。

　　供貨

　　美高森美現(xiàn)已提供采用TO-247封裝的新型1200V SiC MOSFET器件，并將于2014年7月提供SOT-227封裝型款，另外，現(xiàn)在也提供SiC MOSFET功率模塊和1700V肖特基二極管產(chǎn)品。