- 全球領先的整合單片機、混合信號、模擬器件和閃存專利解決方案的供應商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布,推出全球第一款數字增強型電源模擬控制器MCP19111,它擴展了Microchip多元化的智能DC/DC電源轉換解決方案。此外,Microchip還宣布推出全新MCP87018、MCP87030、MCP87090和MCP87130,擴展其高速MOSFET系列。
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Microchip 控制器 MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列,可為各種高效工業(yè)應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ,這些工業(yè)應用包括110V-120V交流電壓線性調節(jié)器和110V-120V交流電壓電源,以及直流-交流逆變器,如太陽能逆變器、不間斷電源 (UPS)等。
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IR MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商–國際整流器公司(InternationalRectifier,簡稱IR)近日推出配備IR最新...
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基準導通 300V功率 MOSFET
- 汽車應用MOSFET半導體制造商在金屬氧化物半導體(MOS)技術領域取得了重大進步,并繼續(xù)積極發(fā)展。先進的功率MOS...
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汽車應用 MOSFET 電機控制
- 1 引言
scale-2芯片組是專門為適應當今igbt與功率mosfet柵驅動器的功能需求而設計的。這些需求包括:可擴展的分離式開通與關斷門級電流通路;功率半導體器件在關斷時的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
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MOSFET IGBT 驅動器 芯片
- 11、請問:HCPl-316產品如何做到短路時軟關斷?謝謝! HCPL-316J 飽和閾值的頂點設置在7V,這是對通過一個比較 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- 功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保護,以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- 進入21世紀以來,隨著摩爾定律的失效大限日益臨近,尋找半導體硅材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后,有兩位脫穎而出,它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導體材料的雙雄。
SiC早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了,但直到1955年,才有生長高品質碳化硅的方法出現(xiàn);到了1987年,商業(yè)化生產的SiC進入市場;進入21世紀后,SiC的商業(yè)應用才算全面鋪開。相對于Si,SiC的優(yōu)點很多:有10倍的電場強度,高3倍的熱導率,寬3倍禁帶寬度,高一倍的飽和漂
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ROHM SiC 半導體
- 服務器、電信、計算等高端的AC-DC開關模式電源(SMPS)應用以及工業(yè)電源應用需要較高的功率密度,因此要獲得成功,設計人員需要采用占據更小電路板空間并能提高穩(wěn)定性的高性價比解決方案。
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飛兆 MOSFET SuperFET
- 如何提升數字控制電源性能?MOSFET驅動器有辦法,UCD9110或UCD9501等新上市的數字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅動器的支持。電源設計人員仍然對數字電源控制技術心存疑慮。他們經常將PC的藍屏現(xiàn)象歸咎于軟件沖突。當然,這種爭議會阻礙數字控制電源以
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MOSFET 驅動器 辦法 性能 電源 提升 數字 控制 如何
- 在這篇《電源設計小貼士》中,我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理,而其與占空比和F...
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同步降壓 MOSFET 電阻比
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