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IEGT與SiC降低損耗

  • 　　東芝在工業(yè)領域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關產品。這些產品可以廣泛用到電氣機車牽引、可再生能源、電力傳輸、工業(yè)變頻、電動汽車等工業(yè)領域，這些領域對減小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來越高?！　|芝是全球第一個商業(yè)化生產IGBT器件的廠家，率先導入了“門級注入增強”技術以降低IGBT靜態(tài)損耗，用該技術注冊了東芝大功率IGBT的專用商標---“IEGT”?！　|芝電子(中國)公司副董事長野村尚司　　目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產品系列。通過使用高耐壓、高結溫的IEGT及SiC材料
  • 關鍵字： IEGT  SiC  

SiC功率半導體接合部的自我修復現(xiàn)象，有望改善產品壽命

  • 　　大阪大學和電裝2016年3月28日宣布，在日本新能源及產業(yè)技術綜合開發(fā)機構(NEDO)的項目下，發(fā)現(xiàn)了有望提高碳化硅(SiC)功率半導體長期可靠性的接合材料自我修復現(xiàn)象。研究人員發(fā)現(xiàn)，在高溫的設備工作環(huán)境下，用作接合材料的銀燒結材料自行修復了龜裂，這大大提高了SiC半導體在汽車等領域的應用可能性。 　　此次的SiC接合使用銀膏燒結粘接法，該方法使用微米級和亞微米級的混合銀顆粒膏，以250℃低溫在空氣環(huán)境實施30分鐘接合工藝，獲得了裸片粘接構造。與常見的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優(yōu)點，包
  • 關鍵字： SiC  功率半導體  

功率MOSFET在正激式驅動電路中的應用簡析

  • 　　功率MOSFET在目前一些大功率電源的產品設計中得到了廣泛的應用，此前本文曾經就幾種常見的MOSFET電路設計類型進行了簡單總結和介紹。在今天的文章中，本文將會就這一功率器件的另一種應用方式，即有隔離變壓器存在的互補驅動電路，進行簡要分析?！　∮懈綦x變壓器的互補驅動電路作為一種比較常見的驅動電路形式，在目前的家電產品設計中應用較多，其典型電路結構如圖1(a)所示。在圖1(a)所給出的電路結構中，V1、V2為互補工作，電容C起隔離直流的作用，T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐。　　  
  • 關鍵字： MOSFET  驅動電路  

入門必看的MOSFET小功率驅動電路知識分享

  • 　　功率器件MOSFET是目前應用頻率最高的電子元件之一，也是很多電子工程師在入門學習時的重點方向。如果設計得當，MOSFET驅動電路可以幫助工程師快速、高效、節(jié)能的完成電路系統(tǒng)的驅動設計，本文在這里將會分享一種比較常見的MOSFET驅動電路設計方案，該方案尤其適用于小功率電路系統(tǒng)的采用?！　∠聢D中，圖1(a)所展示的是一種目前業(yè)內比較常用的小功率MOSFET驅動電路，這一電路系統(tǒng)的特點是簡單可靠，且設計成本比較低，尤其適用于不要求隔離的小功率開關設備。圖1(b)所示驅動電路開關速度很快，驅動能力強，為防
  • 關鍵字： MOSFET  驅動電路  

電源的六大酷領域及動向

  • 節(jié)能環(huán)保離不開高能效、高密度的功率器件、模塊，以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。在此，本文選取了六大熱門領域：電力電子器件、汽車電源、USB Type-C供受電、無線充電、能量收集、數據中心電源，邀請部分領軍企業(yè)介紹了技術市場動向及新產品。
  • 關鍵字： SiC  IGBT  汽車  電池  USB Type-C  無線充電  能量收集  數據中心  201604  

Diodes 40V車用MOSFET適用于電機控制應用

  • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的兩款40V車用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達+175°C，非常適合在高溫環(huán)境下工作。DMTH4004SPSQ旨在滿足水泵和燃油泵等超過750W的高功率無刷直流電機應用的要求;DMTH4005SPSQ則適用于低功率無刷直流應用，包括備用泵和暖通空調系統(tǒng)?！　MTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ為滿足三相無刷直流電機控制應用的嚴格要求，
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  

ROHM亮相"2016慕尼黑上海電子展" 豐富產品與技術吸引觀眾駐足

  • 　　全球知名半導體制造商ROHM現(xiàn)身在上海新國際博覽中心舉辦的“2016慕尼黑上海電子展(electronica China 2016)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業(yè)界領先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產品、以及能夠為IoT(物聯(lián)網)的發(fā)展做出貢獻的傳感器網絡技術和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術的產品。這些高新領先的技術、強勢多元化的產品、多種熱門應用解決方案，吸引了眾多業(yè)內外人士駐足及交流?！　?nbsp; 
  • 關鍵字： ROHM  SiC  

Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能

  • 　　全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上發(fā)布了新一代100V N溝道Power MOSFET旗艦產品——FDMS86181 100V屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET。 FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件，能夠使需要100V MOSFET的電源、電機驅動和其他應用
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  

怎樣降低MOSFET損耗并提升EMI性能

  • 　　一、引言　　MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴重的EMI問題，導致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗的同時需要兼顧模塊電源的EMI性能?！　《㈤_關管MOSFET的功耗分析　　    　　MOSFET的損耗主要有以下部分組成：1.通態(tài)損耗;2.導通損耗;3.關斷損耗;4.驅動
  • 關鍵字： MOSFET  EMI  

【E課堂】MOSFET管驅動電路基礎總結

  • 　　關于MOSFET很多人都不甚理解，這次小編再帶大家仔細梳理一下，也許對于您的知識系統(tǒng)更加全面。下面是對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料。　　在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。　　1、MOS管種類和結構　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N
  • 關鍵字： MOSFET  驅動電路  

同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇

  • 　　進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設計過程的一個組成部分，你會有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規(guī)范，并且需要選擇一些 FET。另外，如果你是一名 IC 設計人員，你還會有一定的預算，其規(guī)定了 FET 成本或者封裝尺寸。這兩種輸入會幫助您選擇總 MOSFET 芯片面積。之后，這些輸入可用于對各個 FET 面積進行效率方面的優(yōu)化。 　　   　　圖 1 傳導損耗與 FET 電阻比和占空比相關 　　首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關系。
  • 關鍵字： MOSFET   

看懂MOSFET數據表，第5部分—開關參數

  • 　　最后，我們來到了這個試圖破解功率MOSFET數據表的“看懂MOSFET數據表”博客系列的收尾部分。在這個博客中，我們將花時間看一看MOSFET數據表中出現(xiàn)的某些其它混合開關參數，并且檢查它們對于總體器件性能的相關性(或者與器件性能沒什么關系)。 　　另一方面，諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復電荷(Qrr) 等開關參數是造成很多高頻電源應用中大部分FET開關損耗的關鍵因素。不好意思，我說的這些聽起來有點兒前言不搭后語，不過設計人員在根據這些參數比較不同
  • 關鍵字： MOSFET  二極管  

估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 2 部分

  • 　　在《估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分》中，我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據系統(tǒng)組件的物理屬性，計算得到熱阻和熱容。遍及整個網絡的各種電壓代表各個溫度?！　”疚闹?，我們把圖 1 所示模型的瞬態(tài)響應與圖 3 所示公開刊發(fā)的安全工作區(qū)域(SOA 曲線)部分進行了對比?！　?nbsp;   　　圖 1 將散熱容加到&nb
  • 關鍵字： MOSFET  電路板  

估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分

  • 　　在本文中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法?！　岵灏坞娐酚糜趯㈦娙葺斎朐O備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。通過使用一個串聯(lián)組件逐漸延長新連接電容負載的充電時間，熱插拔器件可以完成這項工作。結果，該串聯(lián)組件具有巨大的損耗，并在充電事件發(fā)生期間產生溫升。大多數熱插拔設備的制造廠商都建議您查閱安全工作區(qū)域 (SOA) 曲線，以便設備免受過應力損害。圖 1 所示 
  • 關鍵字： MOSFET  

看懂MOSFET數據表，第2部分—連續(xù)電流額定值

  • 　　今天我們來談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實的。好，也許一個比較好的解釋就是這些額定值不是用確定RDS(ON)?和柵極電荷等參數的方法測量出來的，而是被計算出來的，并且有很多種不同的方法可以獲得這些值?！　±?，大多數部件中都有FET“封裝電流額定值”，這個值同與周圍環(huán)境無關，并且是硅芯片與塑料封裝之間內在連接線的一個函數。超過這個值不會立即對FET造成損壞，而在這個限值以上長時間使用將開始減少器件的使用壽命。高于這個限值的故障機制包括但不限于線路融合、成型復合材料的熱降
  • 關鍵字： MOSFET  
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