首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> sic-mosfet

sic-mosfet 文章 最新資訊

貿(mào)澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

  • 2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子  (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在更高速度下提升效率，同時提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車載充電器、軟開關DC/DC
  • 關鍵字： 貿(mào)澤  D2PAK-7L  UnitedSiC  SiC FET  

測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法

  • SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。本文的關鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進行測量，在開關速度較快時
  • 關鍵字： 羅姆半導體，MOSFET  

東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第三代SiC MOSFET

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開始出貨。  新產(chǎn)品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約
  • 關鍵字： 東芝  SiC MOSFET  

安森美慶祝在新罕布什爾州擴張?zhí)蓟韫S

  • 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，昨天美國時間舉行了剪彩儀式，慶祝其位于新罕布什爾州哈德遜 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工廠的落成。該基地將使安森美到2022年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加五倍，在哈德遜的員工人數(shù)幾乎翻兩番。此擴張使安森美能完全控制其SiC制造供應鏈，從SiC粉末和石墨原料的采購，到封裝好的SiC器件的交付。這使安森美能為其客戶提供必要的供應保證，以滿足對基于SiC的方案迅速增長的需求。SiC對于提高電
  • 關鍵字： 安森美  碳化硅工廠  SiC  

UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購）為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合

  • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務器電源應用實現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強型封裝，為需求最大效率、低傳導損失和高性價比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
  • 關鍵字： UnitedSiC  Qorvo  750V  SiC FET  

Nexperia發(fā)布具備市場領先效率的晶圓級12和30V MOSFET

  • 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續(xù)航運行至關重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開關
  • 關鍵字： Nexperia  晶圓級  MOSFET  

單片驅(qū)動器+ MOSFET (DrMOS)技術如何改善電源系統(tǒng)設計

  • 本文介紹最新的驅(qū)動器+ MOSFET (DrMOS)技術及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能。引言隨著技術的進步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩(wěn)壓器模塊(VRM)提供。在該領域，推動穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個參數(shù)。首先是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個參數(shù)是功率轉換效率
  • 關鍵字： ADI  MOSFET  電源系統(tǒng)設計  

UnitedSiC（現(xiàn)為 Qorvo）針對電源設計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合

  • Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項，Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務器電源等快速增長的應用量身定制，能夠為在熱增強型封裝中實現(xiàn)更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
  • 關鍵字： UnitedSiC  Qorvo  電源  SiC FET  

安森美: 打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商

  • 由于 SiC 具有更快的開關速度，因此對于某些拓撲結構，可縮減無源元器件如電感器的尺寸以降低系統(tǒng)尺寸和成本。光伏發(fā)電和大規(guī)模儲能變得越來越重要，最終將取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前僅占全球總發(fā)電量的一小部分，因此 SiC 將有長遠的發(fā)展路向。隨著電動車采用率的增加，充電樁將大規(guī)模部署，另外，SiC 最終還將成為電動車主驅(qū)逆變器的首選材料，因為它可減少車輛的整體尺寸和重量，且能效更高，可延長電池使用壽命。安森美首席碳化硅專家，中國汽車OEM技術負責人 吳桐 博士安森美 (onsemi) 在收購上游
  • 關鍵字： 202207  安森美  SiC  

安森美：打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商

  • 受訪人：安森美首席碳化硅專家，中國汽車OEM技術負責人吳桐博士1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)具有較高的電子遷移率和較高的能帶隙，用它們制成的晶體管具有比硅基晶體管更高的擊穿電壓和更耐受高溫，可以突破硅基器件的應用極限，開關速度更快，導通電阻更低，損耗更小，能效更高?！　aN的開關頻率比SiC高得多，而SiC的可靠
  • 關鍵字： 安森美  SiC  

第三代半導體市場的“互補共生”

  • 　　受訪人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統(tǒng)工程營銷組的應用經(jīng)理，負責工業(yè)和個人電子市場的定制電源設計。他的團隊每年負責500項設計，并在過去20年中設計了15000個電源。Robert于2002年加入TI，大部分時間都在擔任各種應用的電源設計師。Robert擁有佛羅里達大學的電氣工程學士學位和碩士學位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　
  • 關鍵字： TI  第三代半導體  GaN  SiC  

TrendForce：估今年車用SiC功率組件市場破10億

  • 為進一步提升電動車動力性能，全球各大車企已將目光鎖定在新一代SiC（碳化硅）功率組件，并陸續(xù)推出了多款搭載相應產(chǎn)品的高性能車型。依TrendForce研究，隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導入SiC技術，預估2022年車用SiC功率組件市場規(guī)模將達到10.7億美元，2026年將攀升至39.4 億美元。 隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導入SiC技術，預估2022年車用SiC功率組件市場規(guī)模將達到10.7億美元。TrendForce指出，目前車用SiC功率組件市場主要由歐美IDM大廠掌控，關鍵供貨
  • 關鍵字： TrendForce  SiC  功率組件  

ROHM SiC技術助力SEMIKRON功率模塊 打造次世代電動車

  • SEMIKRON和半導體制造商ROHM在開發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運用于SEMIKRON車規(guī)級功率模塊「eMPack」，開啟了雙方合作的全新里程碑。 合作儀式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德國公司社長 Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已與德國一家大型汽車制造商簽
  • 關鍵字： ROHM  SiC  SEMIKRON  功率模塊  

賽米控與羅姆就碳化硅功率元器件展開新的合作

  • 賽米控（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)開展了十多年的合作。合作儀式剪影：賽米控CEO兼CTO? Karl-Heinz Gaubatz先生（左）羅姆德國公司社長?Wolfram Harnack（中）賽米控CSO Peter Sontheimer先生（右） 此次，羅姆的第4代SiC MOSFET正式被用于賽米控的車規(guī)級功率模塊“eMPack?”，開啟了雙方合作的新征程。此外，賽米控宣布已與德國一家大型汽車制造商簽署
  • 關鍵字： 羅姆  碳化硅  SiC  無線寬帶  

Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET

  • 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護器件，如今更進一步，Nexperia成功地將該封裝技術運用到MOSFET產(chǎn)品組合中，成為行業(yè)競爭的領跑者。該系列小型MOSFET包括： ?新一代可穿戴設備和可聽戴設備正在融入新的人工智能(AI)和機器學習(ML)技術，這為產(chǎn)品設計帶來了若干挑戰(zhàn)。首先，隨著功能的增加，可供使用的電路板空間變得十分寶貴，另外，隨著
  • 關鍵字： Nexperia  MOSFET  
共1690條 26/113 |‹ « 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 » ›|

sic-mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic-mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic-mosfet的理解，并與今后在此搜索sic-mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473