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SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計(jì)分析

  • 引言　　隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)
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SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計(jì)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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MOS-FET與電子管OTL功放的制作

MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類(lèi)6瓦功率放大器

  • MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類(lèi)6瓦功率放大器
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MOS—FET甲乙類(lèi)功率放大器

TI 小貼士：圖例理FET知識(shí)

  • 您可以通過(guò)周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來(lái)生成FFT圖。一般而言，ADC廠(chǎng)商們將一種單音、滿(mǎn)量程模擬...
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手把手教你讀懂FET選取合適器件

  • 現(xiàn)在；一臺(tái)臺(tái)電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過(guò)這東西，或用來(lái)逆變；或用來(lái)整流；或就當(dāng)個(gè)開(kāi)關(guān)...
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利用SiC大幅實(shí)現(xiàn)小型化 安川電機(jī)試制新型EV行駛系統(tǒng)

  • 安川電機(jī)試制出了利用SiC功率元件的電動(dòng)汽車(chē)（EV）行駛系統(tǒng)（圖1）。該系統(tǒng)由行駛馬達(dá)及馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)部構(gòu)成。通過(guò)...
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CISSOID推出高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管

  • 　　CISSOID，在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開(kāi)關(guān))的新成員.火星是一個(gè)高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護(hù)放大器. 　　
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市調(diào)公司Semico調(diào)整ASIC市場(chǎng)

  • 　　在由Xilinx主辦的會(huì)議上市調(diào)公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關(guān)全球ASIC市場(chǎng)的報(bào)告。Semico對(duì)于傳統(tǒng)的ASIC市場(chǎng)將只有低增長(zhǎng)的預(yù)測(cè),而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動(dòng)聯(lián)結(jié)等日益增長(zhǎng)的需求推動(dòng)下將有大的發(fā)展?！　?/li>
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如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

  • 　　圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級(jí)繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì)使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
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MOS-FET開(kāi)關(guān)電路

  • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡(jiǎn)單，如釁5.4-100所示短路開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
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J-FET開(kāi)關(guān)電路工作原理

  • 1、簡(jiǎn)單開(kāi)關(guān)控制電路圖5.4-97為簡(jiǎn)單J-FET開(kāi)關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時(shí)，VGS=0，J-FET導(dǎo)通，傳輸信號(hào)至VO；當(dāng)VC比V1足夠負(fù)，VD導(dǎo)通而J-FET截止，VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開(kāi)關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
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與萬(wàn)用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器

  • 電路的功能場(chǎng)效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠(chǎng)已分了幾種等級(jí)，但一個(gè)等級(jí)內(nèi)仍有差別，如果在組裝電路之前測(cè)量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測(cè)量時(shí)，
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使用FET輸入型OP放大器的長(zhǎng)時(shí)間模擬定時(shí)電路

  • 電路的功能定時(shí)器專(zhuān)用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個(gè)來(lái)組成定時(shí)器，這樣可以減少I(mǎi)C的數(shù)量，事先了
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