首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

nand 閃存 文章 最新資訊

NAND FLASU在儲存測試系統(tǒng)中的應用

  • 摘要：主要介紹了三星公司的NANDFIJASH存儲器K9K8G08UOM、以FPGA為核心模塊控制K9K8G08UOM的讀操作、寫操作...
  • 關鍵字： 閃存  儲存測試  讀操作  

NAND閃存存儲器的自適應閃存映射層設計

  • NAND閃存存儲器的自適應閃存映射層設計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
  • 關鍵字： 閃存  設計  映射  存儲器  NAND  適應  

研究顯示智能手機性能瓶頸在于閃存而非網(wǎng)絡

  • 　　佐治亞理工學院和 NEC 合作的一項研究顯示, 盡管大部分專家和普通用戶都認為 CPU 和糟糕的無線網(wǎng)絡是智能手機性能問題的主要原因, 但事實上對于大部分現(xiàn)代智能手機, 存儲設備速度的落后才是手機性能低下的罪魁禍首. 糟糕的閃存而非 CPU 速度或網(wǎng)絡連接導致了瀏覽網(wǎng)頁和閱讀文檔時的手機卡頓. 　　在對數(shù)款銷量最好的 16GB 存儲卡的測試中, 研究人員使用了最常見的幾種安卓手機, 結(jié)果發(fā)現(xiàn)在大部分手機上 NAND 閃存會導致移動應用的性能下降兩到三倍. 唯一例外是金士頓的嵌入式存儲卡 - 它導致的
  • 關鍵字： NEC   閃存  

閃存時代來臨：傳統(tǒng)機械硬盤難滿足云計算需求

  • 　　閃存存儲器將成為云計算和虛擬化的重要組成部分，現(xiàn)在是時候拋棄傳統(tǒng)硬盤了。云計算和虛擬化已經(jīng)極大地改變了服務器基礎架構(gòu)，但真正推動存儲行業(yè)復興則是固態(tài)硬盤和閃存的崛起。 　　閃存將繼續(xù)為企業(yè)領域帶來亟需的推動作用。從Fusion-io去年的IPO(首次公開招股)，到Nutanix和Tintri等最近出現(xiàn)的一系列風險投資支持的創(chuàng)業(yè)公司，閃存的作用正在越來越大。 　　隨著通過虛擬化和云計算部署的應用和數(shù)據(jù)庫數(shù)量的增多，傳統(tǒng)硬盤存儲序列正在成為嚴重的性能瓶頸，逐漸被市場邊緣化。虛擬化和云計算基礎架構(gòu)可以減
  • 關鍵字： 閃存  云計算  

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn)

  • 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已逐步取代其它半導體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
  • 關鍵字： 存儲  管理  TMS320F28x  實現(xiàn)  Flash  Nand  磨損  均衡  思想  

MAX16065/MAX16066閃存可配置系統(tǒng)管理器

  • MAX16065/MAX16066閃存可配置系統(tǒng)管理器能夠?qū)Χ鄠€系統(tǒng)電壓進行監(jiān)測、排序。MAX16065/MAX16066還可利用一個 ...
  • 關鍵字： MAX16065  MAX16066  閃存  管理器  

基于閃存的微控制器在代碼發(fā)布中的代碼保護

  • 包裝信息可能包含：指定目標設備、代碼版本、大小、日期和其它對用戶有用的信息。這個信息可警告操作員正在使 ...
  • 關鍵字： 閃存  微控制器  代碼發(fā)布  代碼保護  

全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元

  • 　　據(jù)媒體報道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭，市場份額達到了34.6%。 　　集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存出貨環(huán)比增長了大約5%，而平均銷售價格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出，雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢，但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。 　　集邦科技指出，三星電子
  • 關鍵字： 海力士  NAND  

Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND

  • 　　外電報導，全球第二大內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財報：受內(nèi)存價格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續(xù)第2季繳出虧損成績單;營收年減7.2%至2.55兆韓元;營損達1,675億韓元，遜于去年同期的營益2,940億韓元。根據(jù)彭博社調(diào)查，分析師平均預期Hynix Q4凈損將達1,617億韓元。根據(jù)Thomson Reuters調(diào)查，分析師原先預期Hynix Q4
  • 關鍵字： Hynix  NAND  

宏力半導體系列嵌入式閃存工藝全線量產(chǎn)

  • 　　上海宏力半導體制造有限公司(宏力半導體)，專注于差異化技術的半導體制造業(yè)領先企業(yè)之一，宣布其代工的0.18微米以下嵌入式閃存產(chǎn)品已突破100,000 片8英寸晶圓。 　　目前，宏力半導體擁有0.25/ 0.18/ 0.13微米一系列嵌入式閃存技術平臺，均已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。2005年，0.25微米嵌入式閃存工藝投產(chǎn)，應用于國外知名企業(yè)的汽車引擎控制和安全氣囊芯片，已出貨1400萬顆，至今仍保持現(xiàn)場應用零退貨的記錄。 　　2007年，宏力半導體0.18微米嵌入式閃存產(chǎn)品進入量產(chǎn)，成功實現(xiàn)了當時業(yè)界最小的單
  • 關鍵字： 宏力半導體  閃存  

蘋果證實已收購閃存半導體公司Anobit

  • 　　據(jù)悉，蘋果(APPLEInc.AAPL)已經(jīng)成功收購以色列半導體公司Anobit。Anobit是Anobit是NAND閃存控制器開發(fā)商，是iphone和ipad閃存控制器的提供商。 　　Anobit作為NAND閃存控制器開發(fā)商，號稱可提升閃存的耐久度(最大讀寫次數(shù))，蘋果是全球該商品最大買家。根據(jù)SanfordC.Bernstein&Co.1月6日的數(shù)據(jù)顯示，2011年第四季度蘋果占了NAND閃存控制器全球總銷量23%的比重。 　　蘋果發(fā)言人史蒂夫道林(SteveDowling)11日證實
  • 關鍵字： 蘋果  閃存  

蘋果去年買進了全球NAND閃存的1/4

  • 　　根據(jù)市場研究機構(gòu)Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報告指出，蘋果公司在上一季買了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ，憑借著這么大的采購量，蘋果拿到的成本價格可說是出乎意料之外的低。 　　Sacconaghi 報告指出，蘋果產(chǎn)品在2011 年第四季消耗了容量總數(shù)高達14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% ， iPad 為30% 。這么大的量，自然讓蘋果購買NAND 快閃記憶體有很大的折扣，大約是每GB 價格為0.6
  • 關鍵字： 蘋果  NAND  

LSI完成對SandForce公司的收購

  • 新年的第一個工作日，LSI宣布已完成對 SandForce 公司的收購。SandForce 是一家面向企業(yè)級和客戶端閃存解決方案以及固態(tài)驅(qū)動器 (SSD) 的閃存處理器領先供應商。在引入能夠提升應用性能的創(chuàng)新型閃存解決方案后，LSI 將在高速發(fā)展的閃存處理器市場上處于領先地位，可滿足超級本、筆記本電腦以及企業(yè)級 SSD 和閃存解決方案的要求。 　　LSI執(zhí)行副總裁兼首席運營官 Jeff Richardson 表示：“客戶對本次收購反應非常積極，我們很高興能將 LSI 和 SandForce
  • 關鍵字： LSI  閃存  

韓國周三批準三星在華投建40億美元閃存廠

  • 　　據(jù)國外媒體報道，周三，韓國政府宣布，已經(jīng)批準三星電子在中國建設一座閃存芯片工廠。這家工廠計劃投資40億美元，是三星在海外的第二座芯片工廠。工廠將使用20納米或以下半導體生產(chǎn)工藝，大規(guī)模的量產(chǎn)將會在在2013年啟動，該工廠每月處理的晶圓個數(shù)將達到十萬個。據(jù)報道，三星電子目前尚未確定工廠的選址。 　　根據(jù)韓國政府規(guī)定，本國企業(yè)要在海外設立高科技生產(chǎn)基地，必須向政府提交申請，以避免高端技術的外泄。韓國知識和經(jīng)濟部官員周三表示，三星電子將會成立一個委員會，專門防止中國工廠閃存芯片技術被泄露。 　　三星是全
  • 關鍵字： 韓國  閃存  

東芝、爾必達再談整合

  • 　　日系DRAM廠爾必達(Elpida)身陷財務風暴，近期傳出在日本官方作媒下，正與同為日系NAND Flash大廠東芝(Toshiba)洽談整合事宜。對此東芝和爾必達高層都不予置評。 　　近期再度傳出爾必達與東芝高層就合并及整合密談協(xié)商，且日本政府扮演關鍵要角。內(nèi)存業(yè)者透露，東芝在發(fā)展行動裝置上，需要與爾必達Mobile RAM結(jié)合，才能打敗美韓陣營，雙方確實有接觸洽談整合事宜，但東芝對于重返DRAM領域意愿不高，另外，日本政府亦認為，DRAM市場雖萎縮，但技術必須傳承，有意促使兩大半導體廠整合。
  • 關鍵字： 東芝  NAND  
共1596條 63/107 |‹ « 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 » ›|

nand 閃存介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條nand 閃存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand 閃存的理解，并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473