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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

采用閃存的微控制器在代碼發(fā)布中的代碼保護(hù)

  • 包裝信息可能包含：指定目標(biāo)設(shè)備、代碼版本、大小、日期和其它對用戶有用的信息。這個信息可警告操作員正在使用一個較低版本的固件，從而會使設(shè)備的部分性能降低，或者正在裝載一個不支持的指定設(shè)備。在如今競爭激烈
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三星2010年NAND Flash市占直逼40%　產(chǎn)業(yè)成長率達(dá)58%

  • 　　2010年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)由平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)及智能型手機(jī)(Smartphone)稱霸應(yīng)用端，傳統(tǒng)的快閃記憶卡和優(yōu)盤一直等到2010年第4季都沒有表現(xiàn)的舞臺，整體2010年NAND Flash市場營收成長達(dá)58.7%，為191.7億美元，其中三星電子(Samsung Electronics)持續(xù)稱王，美光(Micron)在第4季市占率持續(xù)超越海力士(Hynix)，但差距相當(dāng)少，雙方持續(xù)纏斗意味濃厚。 　　2010年快閃記憶卡和優(yōu)盤等NAND Flash應(yīng)用風(fēng)光不再，取而代之的
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SanDisk聯(lián)手東芝進(jìn)軍10nm級別閃存工藝

  • 　　2010年閃存芯片的制造工藝普遍都是30nm級別，2011年則將成為20nm級別普及的開端，同時10nm級別工藝的投資和研發(fā)也即將陸續(xù)開始。 　　SanDisk近日就表示：“2011年我們的首要營業(yè)費(fèi)用投資就是研發(fā)，包括Fab 5晶圓廠上線投產(chǎn)，以及(10nm級別)和更先進(jìn)NAND閃存制造工藝的技術(shù)投資?！? 　　
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2011年NAND閃存銷售額將進(jìn)一步增長

  • 　　據(jù)iSuppli公司，作為多種消費(fèi)電子產(chǎn)品的事實(shí)性存儲媒介，NAND閃存2011年將再度實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長。 　　2010年NAND閃存銷售額創(chuàng)下最高紀(jì)錄，增長38%。預(yù)計(jì)今年銷售額將達(dá)到220億美元，比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大，預(yù)計(jì)2011年增長72%，達(dá)到193億GB。 　　盡管增長勢頭強(qiáng)勁，但2011年底市場形勢可能發(fā)生變化?？紤]到目前市場中樂觀氣氛彌漫，而且供應(yīng)商可能過度投資擴(kuò)大生產(chǎn)，風(fēng)險可能在2011年底浮現(xiàn)，屆時供應(yīng)可能超過需求。預(yù)計(jì)201
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2011年NAND閃存銷售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長

  • 　　據(jù)iSuppli公司，作為多種消費(fèi)電子產(chǎn)品的事實(shí)性存儲媒介，NAND閃存2011年將再度實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長。 　　2010年NAND閃存銷售額創(chuàng)下最高紀(jì)錄，增長38%。預(yù)計(jì)今年銷售額將達(dá)到220億美元，比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大，預(yù)計(jì)2011年增長72%，達(dá)到193億GB。 　
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英特爾亞太NAND Flash操盤手離職引發(fā)業(yè)者嘩然

  • 　　英特爾(Intel)跨足NAND Flash產(chǎn)業(yè)邁入第5年，但近期在策略上有諸多調(diào)整，引發(fā)存儲器業(yè)界高度關(guān)注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn)，卻不見英特爾投資身影，近期英特爾在亞太區(qū)NAND Flash操盤手、亦是嵌入式產(chǎn)品事業(yè)群暨微型移動裝置事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)陳武宏閃電離職，更引發(fā)存儲器業(yè)者一陣嘩然，目前該職務(wù)由英特爾亞太區(qū)技術(shù)營銷服務(wù)事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)黃逸松暫代，而相關(guān)模塊廠對此表示，雙方合作關(guān)系不會受影響。 　　
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美ITC裁定三星及其客戶未侵犯飛索閃存專利

  • 　　據(jù)國外媒體報道，美國國際貿(mào)易委員會(以下簡稱“ITC”)當(dāng)?shù)貢r間周四裁定，三星及其客戶沒有侵犯飛索半導(dǎo)體(以下簡稱“飛索”)的兩項(xiàng)芯片專利。 　　如果三星及其客戶侵犯了飛索的專利，蘋果、RIM等公司的多項(xiàng)產(chǎn)品將被禁止進(jìn)入美國市場。飛索曾經(jīng)是NOR閃存領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊。 　　
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平板計(jì)算機(jī)起飛帶動NAND Flash需求

  • 　　集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，在Android可望逐漸成熟，市場接受度提高，預(yù)期2011年平板計(jì)算機(jī)出貨量由今年的1500萬臺大增至5000萬臺的規(guī)模，可說是平板計(jì)算機(jī)起飛年，將帶動內(nèi)建式NAND Flash應(yīng)用，預(yù)估2011年平板計(jì)算機(jī)占整體NAND Flash的消耗量比重將從今年的5%提升至10%以上。 　　
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NAND芯片漲價15% 或引iPad漲價

  • 　　亞洲最大半導(dǎo)體交易市場Dramexchange分析師西恩·楊15號(周三)表示，東芝旗下一家芯片工廠突發(fā)短時電力故障，以致NAND芯片出現(xiàn)停產(chǎn)。該分析師還表示，到2011年1月中旬之前，包括iPad在內(nèi)等多款產(chǎn)品均在使用的這款NAND閃存芯片價格或?qū)⑸蠞q15%。 　　
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產(chǎn)業(yè)聯(lián)手支持JEDEC統(tǒng)一閃存標(biāo)準(zhǔn)

  • 　　JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會, 微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)日前宣布，將于近期發(fā)布下一代閃存存儲器標(biāo)準(zhǔn) - 。在近期所舉辦的JEDEC委員會上，該標(biāo)準(zhǔn)制定取得的重大進(jìn)展。該標(biāo)準(zhǔn)旨在成為智能手機(jī)與平板電腦等移動電子設(shè)備所使用的基于閃存的最先進(jìn)的存儲規(guī)范。UFS標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)宗旨是為了滿足不斷提高的設(shè)備性能需求。其最初所支持的數(shù)據(jù)吞吐速率是每秒300兆字節(jié)，并支持指令排隊(duì)功能，以便提高隨機(jī)讀寫速度。該標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計(jì)將在未來3個月內(nèi)完成。 　　
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Gartner下調(diào)2011年度半導(dǎo)體設(shè)備市場預(yù)測

  • 　　根據(jù)Gartner發(fā)布的報告，該公司下調(diào)對于明(2011)年度半導(dǎo)體設(shè)備市場的預(yù)測;原先該公司預(yù)期將成長4.9%，現(xiàn)在預(yù)期將縮減1%。另外，Gartner原先預(yù)估今年成長113%，現(xiàn)在估計(jì)可達(dá)131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出，今年產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了有史以來最強(qiáng)勁的成長，不過2011年度的市場將比較疲軟，屆時設(shè)備采購主要的重點(diǎn)將在于產(chǎn)能的擴(kuò)充而不是在技術(shù)設(shè)備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬，NAND將是記憶體領(lǐng)域中資本投資最多者。
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2011年半導(dǎo)體市場回歸正常軌道

  • 　　2010年全球半導(dǎo)體市場成長幅度超過30%，這是在歷經(jīng)過去幾年全球不景氣之后，經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇所展現(xiàn)出的成果。而據(jù)Semico預(yù)測，2011年全球半導(dǎo)體銷售額年成長幅度大約小于10%。乍看之下，這比2010年成長率要低得多，它代表壞消息嗎?事實(shí)上，這個溫和的成長數(shù)據(jù)代表著半導(dǎo)體市場正在回歸正常軌道。 　　
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基于SPIFI外設(shè)的Cortex-M MCU嵌入式閃存選型解決方案

  • 基于SPIFI外設(shè)的Cortex-M MCU嵌入式閃存選型解決方案,新型恩智浦ARM Cortex-M3微控制器首次采用的SPI閃存接口技術(shù)(SPIFI，已申請專利)可以幫助32位嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員以小尺寸、低成本的串行閃存替代大尺寸、高成本的并行閃存。利用SPIFI (讀音與spiffy諧音，意為ldquo
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美光新加坡廠明年投產(chǎn)

  • 　　美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進(jìn)，已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座，在擴(kuò)產(chǎn)速度上，美光在2011年也不會缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產(chǎn)，對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，美光表示不擔(dān)心供過于求，在產(chǎn)能增加的同時，平板計(jì)算機(jī)等應(yīng)用也大幅崛起，預(yù)計(jì)2011年NAND Flash市場供需可維持健康的狀態(tài)。 　　
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臺灣加入NAND Flash戰(zhàn)局

  • 　　臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術(shù)，近期國家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器，計(jì)劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲器廠及晶圓代工廠加入，首波會先洽談臺系存儲器廠，目標(biāo)5~10年內(nèi)將此技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，讓臺灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。
  • 關(guān)鍵字： NAND  9納米  
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nand 閃存介紹

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