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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

東芝停電事故或?qū)⒁I(lǐng)NAND閃存漲價(jià)

  • 　　亞洲最大的半導(dǎo)體交易市場Dramexchange分析師周三表示，由于東芝一家芯片工廠因短時(shí)電力故障而停產(chǎn)的影響，到2011年1月中旬之前，NAND閃存芯片的價(jià)格可能會(huì)上漲15%。 　　
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東芝日本廠跳電 受影響產(chǎn)能恐達(dá)20%

  • 　　華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會(huì)影響接下來的產(chǎn)能，普遍使用于智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價(jià)格將因此跟漲。 　　東芝表示，這次的跳電事件可能影響未來2個(gè)月的產(chǎn)能，減少20%的產(chǎn)出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產(chǎn)，總產(chǎn)出約占市場產(chǎn)能的3分之1，出貨量僅次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。 　　接下來幾個(gè)月，全球的快閃存儲(chǔ)器市場的供
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半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廠商恢復(fù)大型設(shè)備投資

  • 　　2010年在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器業(yè)界，各廠商紛紛恢復(fù)了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結(jié)狀態(tài)的大型設(shè)備投資。由此，市場上的份額競爭再次變得激烈起來。 2008～2009年導(dǎo)致各廠商收益惡化的價(jià)格下跌在2010年上半年僅出現(xiàn)了小幅下跌。然而，進(jìn)入2010年下半年后，以DRAM為中心、價(jià)格呈現(xiàn)出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進(jìn)入殘酷的實(shí)力消耗戰(zhàn)。技術(shù)方面，微細(xì)化競爭愈演愈烈，以突破現(xiàn)有存儲(chǔ)器極限為目標(biāo)的新存儲(chǔ)器的開發(fā)也越來越活躍。 　　
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美光發(fā)布25nm閃存芯片

  • 　　正當(dāng)涉足NAND閃存業(yè)務(wù)整整一年之際，美光于12月2日新推出一種功能強(qiáng)大且封裝緊密的25nm MLC處理器，這可使美光在當(dāng)前的閃存市場處于更加有利的地位。 　　這款命名為ClearNAND的芯片分為標(biāo)準(zhǔn)型和增強(qiáng)型兩個(gè)版本，標(biāo)準(zhǔn)版的存儲(chǔ)容量為8GB和32GB， ClearNAND增強(qiáng)版的存儲(chǔ)容量為16GB和64GB。 　　
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應(yīng)用材料預(yù)估半導(dǎo)體設(shè)備市場將保持5%的成長率

  • 　　針對(duì)2011年半導(dǎo)體資本支出的趨勢，設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長，幅度將勝過DRAM產(chǎn)業(yè)，晶圓代工也仍然相當(dāng)強(qiáng)勁，預(yù)估整體半導(dǎo)體設(shè)備市場將有持平至5%的成長幅度。 　　
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預(yù)計(jì)明年NAND閃存銷售量漲價(jià)跌

  • 　　集邦科技發(fā)布近日?qǐng)?bào)告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達(dá)到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價(jià)格將同比下降35%。 　　集邦科技稱，新款智能機(jī)、平板機(jī)的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節(jié)性銷售因素影響。到二季度時(shí)，閃存市場的供需就會(huì)更加平衡，價(jià)格下降幅度不會(huì)太大。 　　
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全球IC市場喜憂參半

  • 　　根據(jù)VLSIResearch發(fā)布的報(bào)告，該公司預(yù)測2010年度全球IC市場將成長32%，2011年度將成長8%;2010年度設(shè)備市場將成長103%，2011年度將成長10.6%。該公司認(rèn)為目前的全球IC市場呈現(xiàn)出一些正面與負(fù)面的跡象;　
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海力士M8產(chǎn)線將以代工為重心

  • 　　海力士半導(dǎo)體(Hynix)M8產(chǎn)線未來將以代工事業(yè)為重心。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，近期海力士以部分IC設(shè)計(jì)公司為對(duì)象，提出運(yùn)用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導(dǎo)體、發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)芯片、顯示器用驅(qū)動(dòng)芯片(DDI)、傳感器專門IC設(shè)計(jì)等企業(yè)皆為協(xié)商對(duì)象。 　　
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應(yīng)用于閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)

  • 應(yīng)用于閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù),　　簡介　　嵌入式微控制器越來越多樣化，可以滿足嵌入式系統(tǒng)市場的應(yīng)用需求，而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉(zhuǎn)向了內(nèi)置閃存(可擦寫的非易失性只讀存儲(chǔ)器)的閃存微控制器?！　￠W存微控制器目前有兩種主要應(yīng)用：
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用于SD卡的NAND flash控制芯片的設(shè)計(jì)

  • 　　O 引言　　Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持?jǐn)?shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點(diǎn)，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。本文給出了
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未來幾年NAND閃存將面臨過剩隱憂

  • 　　據(jù)iSuppli公司，由于智能手機(jī)以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到最高紀(jì)錄。 　　預(yù)計(jì)2010年NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到187億美元，比去年的135億美元?jiǎng)旁?8%，部分利益于智能手機(jī)和蘋果iPad等消費(fèi)電子產(chǎn)品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長，2011年NAND閃存市場將繼續(xù)增長，盡管不及今年強(qiáng)勁。iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)明年NAND閃存市場上升25%至225億美元。 　　
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2011年全球DRAM經(jīng)營慘淡

  • 　　2010年對(duì)于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，可說是值得紀(jì)念的一年，拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年成長率將高達(dá)30%，創(chuàng)下10年以來新高紀(jì)錄。然而，受到PC產(chǎn)業(yè)成長趨緩影響，2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅將成長5%，移動(dòng)通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長的重要?jiǎng)幽?。預(yù)估2011年移動(dòng)通訊用產(chǎn)品占總體半導(dǎo)體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機(jī)等移動(dòng)通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。 　　
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NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì)

  • NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì),摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)方案，詳細(xì)闡述了壞塊映射表的建立、維護(hù)及其相關(guān)算法，同時(shí)分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應(yīng)用。測試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
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NAND Flash管理算法的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)

  • 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設(shè)計(jì)方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級(jí)和頁級(jí)兩級(jí)地址映射機(jī)制以及映射信息在flash的存儲(chǔ)定義，同時(shí)還提出了對(duì)flash的分區(qū)方法。
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nand 閃存介紹

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