SanDisk聯(lián)手東芝進(jìn)軍10nm級(jí)別閃存工藝
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時(shí)間：2011-01-30
來(lái)源：驅(qū)動(dòng)之家
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2010年閃存芯片的制造工藝普遍都是30nm級(jí)別，2011年則將成為20nm級(jí)別普及的開(kāi)端，同時(shí)10nm級(jí)別工藝的投資和研發(fā)也即將陸續(xù)開(kāi)始。
本文引用地址：http://2s4d.com/article/116599.htmSanDisk近日就表示：“2011年我們的首要營(yíng)業(yè)費(fèi)用投資就是研發(fā)，包括Fab 5晶圓廠上線(xiàn)投產(chǎn)，以及(10nm級(jí)別)和更先進(jìn)NAND閃存制造工藝的技術(shù)投資。”
SanDisk指出，得益于移動(dòng)設(shè)備的全球浪潮，閃存的市場(chǎng)需求正在迅猛增加，因此SanDisk將與東芝合作，加速2bpc(每單元兩個(gè)比特)、3bpc等規(guī)格MLC NAND閃存芯片的生產(chǎn)。
截至2011年1月2日，SanDisk第四季度收入13.3億美元，同比增長(zhǎng)7%，環(huán)比增長(zhǎng)8%，去年總收入48.3億美元，相比2009年的 35.7億美元大幅增長(zhǎng)了35%;第四季度GAAP審計(jì)凈利潤(rùn)4.85億美元(每股收益2.01億美元)，同比增長(zhǎng)43%，環(huán)比增長(zhǎng)51%，全年凈利潤(rùn) 13.0億美元，同比增長(zhǎng)31%。
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