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十年磨一劍：三星引入長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利技術(shù)

近日，三星與長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關(guān)專利許可協(xié)議。不過(guò)，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開(kāi)始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨(dú)立的硅片上制造，因此需要長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù)W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)?——?通過(guò)直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點(diǎn)連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
關(guān)鍵字：三星長(zhǎng)江存儲(chǔ) NAND 混合鍵合晶棧 Xtacking 閃存

近段時(shí)間以來(lái)，致態(tài)TiPro7000的問(wèn)世，再次引發(fā)了全行業(yè)關(guān)注，作為一家2016年堪堪成立，不到6年，卻實(shí)現(xiàn)了從SATA到PCIe3.0，再到如今消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)巔峰PCIe4.0 SSD，全領(lǐng)域的產(chǎn)品布局，長(zhǎng)江存儲(chǔ)·致態(tài)背后的Xtacking?為何如此神奇？Xtacking?技術(shù)究竟又有多少魔力？根據(jù)官方解釋，Xtacking? 是長(zhǎng)江存儲(chǔ)核心專利和技術(shù)品牌，代表著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新進(jìn)取和卓越貢獻(xiàn)，同時(shí)它也是長(zhǎng)江存儲(chǔ)面向企業(yè)客戶、消費(fèi)者推廣3D NAND產(chǎn)品的關(guān)鍵所在，
關(guān)鍵字： Xtacking 致態(tài)TiPro7000

隨著NAND Flash工藝逐漸從2D向3D過(guò)渡，技術(shù)和產(chǎn)能齊升的態(tài)勢(shì)下，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以Xtacking技術(shù)切入3D NAND市場(chǎng)，為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展點(diǎn)燃了希望。
關(guān)鍵字： NAND Xtacking

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