首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

DRAM市場價格持續(xù)下跌

  • 　　隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達(dá)17.1%。威剛表示，預(yù)期11月營收將因?yàn)楫a(chǎn)業(yè)景氣進(jìn)入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應(yīng)策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。 　　
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

DRAM市場價格持續(xù)下跌

  • 　　隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達(dá)17.1%。威剛表示，預(yù)期11月營收將因?yàn)楫a(chǎn)業(yè)景氣進(jìn)入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應(yīng)策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  NAND  

3C大廠合力推動UFS實(shí)現(xiàn)NAND應(yīng)用接口標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一

  • 　　集邦科技旗下研究機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 指出，JEDEC Task group 中的一些主要成員如：三星 (Samsung)、諾基亞(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州儀器(TI)、意法半導(dǎo)體(ST)等國際大廠，近期正在積極推動新的 NAND Flash 應(yīng)用接口標(biāo)準(zhǔn) UFS (universal Flash storage)的規(guī)格制定事宜。 　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  UFS  

三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo)，三星預(yù)計(jì)于2011年初完工的半導(dǎo)體華城廠16產(chǎn)線，將于2011年下半開始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。 　　2010年5月在三星會長李健熙的參與下，華城廠16產(chǎn)線正式動工。包含建筑物費(fèi)用等將階段性投入12兆韓元進(jìn)行建設(shè)。三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線以12吋晶圓為基準(zhǔn)，每月最大產(chǎn)能可達(dá)20萬片以上。 　　三星將優(yōu)先在16產(chǎn)線進(jìn)行閃存生產(chǎn)
  • 關(guān)鍵字： 三星  閃存  

三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存

  • 　　三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo)，三星預(yù)計(jì)于2011年初完工的半導(dǎo)體華城廠16產(chǎn)線，將于2011年下半開始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星半導(dǎo)體  NAND  

固態(tài)硬盤備受關(guān)注

  • 　　DRAMeXchange 最新發(fā)表的研究報告指出，固態(tài)硬盤(SSD)一直以來為各家 NAND Flash 廠商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤對于 NAND Flash 的使用量來說是一般內(nèi)建式應(yīng)用產(chǎn)品、U盤與記憶卡的數(shù)倍之多，因此對于固態(tài)硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。 　　
  • 關(guān)鍵字： 固態(tài)硬盤  NAND  

固態(tài)硬盤備受NAND Flash廠商親賴

  • 　　固態(tài)硬盤一直以來為各家NAND Flash廠商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤對于NAND Flash的使用量來說是一般內(nèi)建式應(yīng)用產(chǎn)品、隨身碟與記憶卡的數(shù)倍之多，因此對于固態(tài)硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。而從消費(fèi)者的論點(diǎn)來看，固態(tài)硬盤的傳輸速度為傳統(tǒng)硬盤的兩倍以上，同時也兼具了省電與抗震動的特點(diǎn)，因此，DRAMeXchange認(rèn)為，在未來高畫質(zhì)影音與大容量檔案傳輸?shù)男枨髮⒋蠓嵘?，對于固態(tài)硬盤的需求若能在價格有效下降至可接受的范圍將會開始提升。 　　
  • 關(guān)鍵字： 固態(tài)硬盤  NAND  

美光 NAND 產(chǎn)品獲 HLDS 全球首款具有板載儲存的混合光驅(qū)采用

  • 　　美光科技 (Micron Technology Inc.) 宣布，美光獲獎的25nm NAND 已獲日立LG數(shù)據(jù)儲存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡稱 HLDS) 采用作為其新型混合光驅(qū) (ODD) 的閃存解決方案。此款采用美光 25nm NAND 技術(shù)的新型 HLDS Hybrid Drive 提供高容量儲存和可修改功能，是針對個人計(jì)算機(jī)、DVD 播放器和藍(lán)光產(chǎn)品的綜合解決方案。 　　美光的 25nm NAND 處理技術(shù)提供單一設(shè)備中8GB 儲存容量，滿足新應(yīng)用
  • 關(guān)鍵字： 美光  NAND  

Spansion能否卷土重來

  • 　　高調(diào)宣布走出破產(chǎn)保護(hù)陰影的Spansion公司日前公布了其2010財年第二季度財報，公司非GAAP調(diào)整后凈收入已經(jīng)從2009年同期的2240萬美元上升至2740萬美元;GAAP凈收入為3.418億美元，與2010 Q1財季相比，仍繼續(xù)保持著穩(wěn)定的財務(wù)態(tài)勢。Spansion是否能夠卷土重來?業(yè)界一直存在頗多爭議之聲。日前，該公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation就公司發(fā)展策略、核心業(yè)務(wù)、技術(shù)趨勢等話題接受了專訪。 　
  • 關(guān)鍵字： Spansion  NAND  

三星、東芝制程競賽不止

  • 　　NAND Flash大廠三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)制程競賽拼得火熱，在產(chǎn)出持續(xù)大幅增加下，10月上旬NAND Flash合約價再度下探，尤其是高容量64Gb芯片下修幅度高達(dá)5~7%，低容量芯片價格則是幾乎持平，市場預(yù)期日前平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī) (Smart Phone)都內(nèi)建高容量的NAND Flash存儲器，在年底圣誕節(jié)最后一波促銷熱潮之下，有機(jī)會提升NAND Flash市場的需求，彌補(bǔ)2010年快閃記憶卡和隨身碟都賣相不佳的缺憾。 　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  

基于浮柵技術(shù)的閃存

  • 基于浮柵技術(shù)的閃存,　　恒憶閃存基于浮柵技術(shù)。閃存晶體管的絕緣柵極(浮柵)捕獲(或排除)電子，因此，晶體管的閾值電壓被修改(偏離原始電壓值)。在附加的編程和閾壓感應(yīng)電路的輔助下，這種效應(yīng)可用保存和檢索數(shù)據(jù)。　　在寫操作期間，閃
  • 關(guān)鍵字： 閃存  技術(shù)  基于  

三星啟動64GB 3位元20納米NAND閃存批產(chǎn)

  • 　　就在啟動32GB 20nm閃存生產(chǎn)線四個月后，三星確認(rèn)目前已經(jīng)啟動64GB,3位元20納米NAND閃存的批量生產(chǎn)。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  20納米  

DRAM內(nèi)存芯片價格或迎來短期上漲

  • 　　存儲芯片市場調(diào)研公司inSpectrum表示，盡管下滑趨勢依舊，但內(nèi)存和閃存芯片價格有望在中國十一長假后迎來小幅回升。 　　來自交易市場的消息稱，在十一長假結(jié)束前市場對DRAM內(nèi)存和NAND閃存芯片的需求已經(jīng)出現(xiàn)回升跡象。很多廠商稱十一長假帶來的市場需求已經(jīng)耗掉其大部分存貨，下周將進(jìn)行新一輪的存貨補(bǔ)充。 　　不過inSpectrum也認(rèn)為，由于零售渠道的根本需求依舊很弱，所以這種價格反彈只能是短期行為，不會持續(xù)太長。而且一些廠商繼續(xù)在其零售渠道降低eTT芯片價格，這也影響了整個內(nèi)存芯片市場的價格走
  • 關(guān)鍵字： DRAM  閃存  

NAND Flash價格瀕臨成本線　靜待大廠減產(chǎn)

  • 　　全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)在高容量32Gb和64Gb芯片產(chǎn)能持續(xù)開出下，9月下旬合約價續(xù)跌，其中，32Gb芯片合約價下跌5~6%，64Gb芯片大跌 9~10%，模塊廠表示，NAND Flash芯片價格已跌到相當(dāng)接近各大廠成本線，若價格再跌，恐會讓NAND Flash廠產(chǎn)生虧損，接下來要看大陸十一長假后是否出現(xiàn)補(bǔ)貨需求，帶動NAND Flash價格止跌。 　　模塊廠表示，近期NAND Flash產(chǎn)品需求比DRAM模塊好一些，DRAM買氣受限于現(xiàn)貨價跌幅較深，通路商補(bǔ)貨意愿不高，但在NAND Flas
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

日元走強(qiáng) 東芝稱仍有望實(shí)現(xiàn)芯片業(yè)務(wù)獲利

  • 　　日本最大的芯片制造商——東芝周一表示，盡管日圓走強(qiáng)，但該公司有望實(shí)現(xiàn)其在截至明年3月的會計(jì)年度，芯片業(yè)務(wù)營業(yè)利潤達(dá)到12億美元的預(yù)估，因新的電子設(shè)備熱銷，提高了芯片需求。 　　東芝芯片業(yè)務(wù)主管小林清志表示，因低質(zhì)產(chǎn)品供應(yīng)過多，最近NAND芯片現(xiàn)貨價格下降，但這對東芝的影響極小。 　　NAND閃存芯片需求一直強(qiáng)勁，因受到智能手機(jī)和蘋果的iPad等移動設(shè)備暢銷所助。 　　“整體需求強(qiáng)勁成長情況一直符合我們對2010會計(jì)年度的預(yù)期，而且我們預(yù)計(jì)中國國慶節(jié)，黑色星期五
  • 關(guān)鍵字： 東芝  芯片  NAND  
共1581條 71/106 |‹ « 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 » ›|

nand 閃存介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條nand 閃存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand 閃存的理解，并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473