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美光發(fā)布25nm閃存芯片

—— 未來5年閃存處理將面臨納米技術(shù)瓶頸
作者: 時間:2010-12-07 來源:存儲時代 收藏

  正當(dāng)涉足NAND業(yè)務(wù)整整一年之際,于12月2日新推出一種功能強大且封裝緊密的25nm MLC處理器,這可使在當(dāng)前的市場處于更加有利的地位。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/115248.htm

  這款命名為的芯片分為標(biāo)準(zhǔn)型和增強型兩個版本,標(biāo)準(zhǔn)版的存儲容量為8GB和32GB, 增強版的存儲容量為16GB和64GB。

  這款新芯片將可被嵌入式應(yīng)用設(shè)備和系統(tǒng)制造商用于手持設(shè)備、企業(yè)級服務(wù)器、平板電腦、MP3播放器、數(shù)碼相機、監(jiān)視攝像機和其他諸多應(yīng)用。

  生產(chǎn)的NAND用于由其半導(dǎo)體廠商合作伙伴設(shè)計的主機處理器,其合作伙伴包括英特爾這樣的全球最大的芯片制造商。隨著每一次芯片的迭代,美光都增加更多的容量,使產(chǎn)品和應(yīng)用能擁有更多的功能。

  NAND閃存市場在芯片尺寸方面繼續(xù)呈現(xiàn)不斷縮小的趨勢。美光與三星、西部數(shù)據(jù)、SanDisk、東芝、希捷等公司相競爭,已經(jīng)將其芯片的尺寸從3年前的72 nm減少到25 nm。

  最終所有納米技術(shù)都不得不面臨瓶頸,美光以及其他公司紛紛表示,NAND閃存處理將在未來5年內(nèi)遇到這種情況。



關(guān)鍵詞: 美光 閃存 ClearNAND

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