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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

NAND FLASU在儲存測試系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 摘要：主要介紹了三星公司的NANDFIJASH存儲器K9K8G08UOM、以FPGA為核心模塊控制K9K8G08UOM的讀操作、寫操作...
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NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

  • NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì),閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個(gè)NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個(gè)塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
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研究顯示智能手機(jī)性能瓶頸在于閃存而非網(wǎng)絡(luò)

  • 　　佐治亞理工學(xué)院和 NEC 合作的一項(xiàng)研究顯示, 盡管大部分專家和普通用戶都認(rèn)為 CPU 和糟糕的無線網(wǎng)絡(luò)是智能手機(jī)性能問題的主要原因, 但事實(shí)上對于大部分現(xiàn)代智能手機(jī), 存儲設(shè)備速度的落后才是手機(jī)性能低下的罪魁禍?zhǔn)? 糟糕的閃存而非 CPU 速度或網(wǎng)絡(luò)連接導(dǎo)致了瀏覽網(wǎng)頁和閱讀文檔時(shí)的手機(jī)卡頓. 　　在對數(shù)款銷量最好的 16GB 存儲卡的測試中, 研究人員使用了最常見的幾種安卓手機(jī), 結(jié)果發(fā)現(xiàn)在大部分手機(jī)上 NAND 閃存會導(dǎo)致移動(dòng)應(yīng)用的性能下降兩到三倍. 唯一例外是金士頓的嵌入式存儲卡 - 它導(dǎo)致的
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閃存時(shí)代來臨：傳統(tǒng)機(jī)械硬盤難滿足云計(jì)算需求

  • 　　閃存存儲器將成為云計(jì)算和虛擬化的重要組成部分，現(xiàn)在是時(shí)候拋棄傳統(tǒng)硬盤了。云計(jì)算和虛擬化已經(jīng)極大地改變了服務(wù)器基礎(chǔ)架構(gòu)，但真正推動(dòng)存儲行業(yè)復(fù)興則是固態(tài)硬盤和閃存的崛起。 　　閃存將繼續(xù)為企業(yè)領(lǐng)域帶來亟需的推動(dòng)作用。從Fusion-io去年的IPO(首次公開招股)，到Nutanix和Tintri等最近出現(xiàn)的一系列風(fēng)險(xiǎn)投資支持的創(chuàng)業(yè)公司，閃存的作用正在越來越大。 　　隨著通過虛擬化和云計(jì)算部署的應(yīng)用和數(shù)據(jù)庫數(shù)量的增多，傳統(tǒng)硬盤存儲序列正在成為嚴(yán)重的性能瓶頸，逐漸被市場邊緣化。虛擬化和云計(jì)算基礎(chǔ)架構(gòu)可以減
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基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn)

  • 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個(gè)單元塊相互獨(dú)
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MAX16065/MAX16066閃存可配置系統(tǒng)管理器

  • MAX16065/MAX16066閃存可配置系統(tǒng)管理器能夠?qū)Χ鄠€(gè)系統(tǒng)電壓進(jìn)行監(jiān)測、排序。MAX16065/MAX16066還可利用一個(gè) ...
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基于閃存的微控制器在代碼發(fā)布中的代碼保護(hù)

  • 包裝信息可能包含：指定目標(biāo)設(shè)備、代碼版本、大小、日期和其它對用戶有用的信息。這個(gè)信息可警告操作員正在使 ...
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全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達(dá)到48.9億美元

  • 　　據(jù)媒體報(bào)道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達(dá)到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭，市場份額達(dá)到了34.6%。 　　集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存出貨環(huán)比增長了大約5%，而平均銷售價(jià)格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出，雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢，但是智能手機(jī)和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強(qiáng)勁。 　　集邦科技指出，三星電子
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Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND

  • 　　外電報(bào)導(dǎo)，全球第二大內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財(cái)報(bào)：受內(nèi)存價(jià)格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達(dá)2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續(xù)第2季繳出虧損成績單;營收年減7.2%至2.55兆韓元;營損達(dá)1,675億韓元，遜于去年同期的營益2,940億韓元。根據(jù)彭博社調(diào)查，分析師平均預(yù)期Hynix Q4凈損將達(dá)1,617億韓元。根據(jù)Thomson Reuters調(diào)查，分析師原先預(yù)期Hynix Q4
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宏力半導(dǎo)體系列嵌入式閃存工藝全線量產(chǎn)

  • 　　上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，宣布其代工的0.18微米以下嵌入式閃存產(chǎn)品已突破100,000 片8英寸晶圓。 　　目前，宏力半導(dǎo)體擁有0.25/ 0.18/ 0.13微米一系列嵌入式閃存技術(shù)平臺，均已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。2005年，0.25微米嵌入式閃存工藝投產(chǎn)，應(yīng)用于國外知名企業(yè)的汽車引擎控制和安全氣囊芯片，已出貨1400萬顆，至今仍保持現(xiàn)場應(yīng)用零退貨的記錄。 　　2007年，宏力半導(dǎo)體0.18微米嵌入式閃存產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)，成功實(shí)現(xiàn)了當(dāng)時(shí)業(yè)界最小的單
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蘋果證實(shí)已收購閃存半導(dǎo)體公司Anobit

  • 　　據(jù)悉，蘋果(APPLEInc.AAPL)已經(jīng)成功收購以色列半導(dǎo)體公司Anobit。Anobit是Anobit是NAND閃存控制器開發(fā)商，是iphone和ipad閃存控制器的提供商。 　　Anobit作為NAND閃存控制器開發(fā)商，號稱可提升閃存的耐久度(最大讀寫次數(shù))，蘋果是全球該商品最大買家。根據(jù)SanfordC.Bernstein&Co.1月6日的數(shù)據(jù)顯示，2011年第四季度蘋果占了NAND閃存控制器全球總銷量23%的比重。 　　蘋果發(fā)言人史蒂夫道林(SteveDowling)11日證實(shí)
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蘋果去年買進(jìn)了全球NAND閃存的1/4

  • 　　根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報(bào)告指出，蘋果公司在上一季買了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ，憑借著這么大的采購量，蘋果拿到的成本價(jià)格可說是出乎意料之外的低。 　　Sacconaghi 報(bào)告指出，蘋果產(chǎn)品在2011 年第四季消耗了容量總數(shù)高達(dá)14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% ， iPad 為30% 。這么大的量，自然讓蘋果購買NAND 快閃記憶體有很大的折扣，大約是每GB 價(jià)格為0.6
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LSI完成對SandForce公司的收購

  • 新年的第一個(gè)工作日，LSI宣布已完成對 SandForce 公司的收購。SandForce 是一家面向企業(yè)級和客戶端閃存解決方案以及固態(tài)驅(qū)動(dòng)器 (SSD) 的閃存處理器領(lǐng)先供應(yīng)商。在引入能夠提升應(yīng)用性能的創(chuàng)新型閃存解決方案后，LSI 將在高速發(fā)展的閃存處理器市場上處于領(lǐng)先地位，可滿足超級本、筆記本電腦以及企業(yè)級 SSD 和閃存解決方案的要求。 　　LSI執(zhí)行副總裁兼首席運(yùn)營官 Jeff Richardson 表示：“客戶對本次收購反應(yīng)非常積極，我們很高興能將 LSI 和 SandForce
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韓國周三批準(zhǔn)三星在華投建40億美元閃存廠

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，周三，韓國政府宣布，已經(jīng)批準(zhǔn)三星電子在中國建設(shè)一座閃存芯片工廠。這家工廠計(jì)劃投資40億美元，是三星在海外的第二座芯片工廠。工廠將使用20納米或以下半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝，大規(guī)模的量產(chǎn)將會在在2013年啟動(dòng)，該工廠每月處理的晶圓個(gè)數(shù)將達(dá)到十萬個(gè)。據(jù)報(bào)道，三星電子目前尚未確定工廠的選址。 　　根據(jù)韓國政府規(guī)定，本國企業(yè)要在海外設(shè)立高科技生產(chǎn)基地，必須向政府提交申請，以避免高端技術(shù)的外泄。韓國知識和經(jīng)濟(jì)部官員周三表示，三星電子將會成立一個(gè)委員會，專門防止中國工廠閃存芯片技術(shù)被泄露。 　　三星是全
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nand 閃存介紹

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