nand 閃存 文章 進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
閃存技術(shù)商Violin Memory完成D輪融資5千萬美元
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，利用閃存技術(shù)建立儲(chǔ)存陣列的科技公司ViolinMemory，計(jì)劃于周一宣布完成規(guī)模達(dá)5000萬美元的D輪融資。該公司迄今為止已累積獲得投資資金8億美元。 參與此輪融資的投資者包括有：出于戰(zhàn)略考量的日本芯片和電子產(chǎn)品制造商?hào)|芝、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備生產(chǎn)商Juniper、德國商務(wù)軟件巨頭SAP，以及投資機(jī)構(gòu)Highland資本。 此外，Violin首席執(zhí)行官唐·巴斯勒(DonBasile)還透露，公司正在為今年底的IPO計(jì)劃尋找合適的銀行家。 “上周我們進(jìn)行
- 關(guān)鍵字： ViolinMemory 閃存
淡季效應(yīng)持續(xù)發(fā)酵 NANDFlash合約價(jià)下跌
- 根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，受第一季淡季效應(yīng)的影響，零售市場的記憶卡與隨身碟需求持續(xù)疲軟，再加上OEM客戶的新機(jī)種上市時(shí)間點(diǎn)，最快也會(huì)落于2Q12，使得NANDFlash下游客戶端皆持續(xù)采取保守的庫存策略，以降低營運(yùn)風(fēng)險(xiǎn)。在買方購買意愿不強(qiáng)的情況下，賣方過去采取的降價(jià)促銷策略效果有限，價(jià)格若繼續(xù)下跌，恐將侵蝕自身的獲利水平，使得部分賣方降價(jià)意愿已大幅降低。上述因素乃是造成3月下旬NANDFlash合約價(jià)呈現(xiàn)微幅走跌的原因。集邦科技表示，2012年上半
- 關(guān)鍵字： 集邦科技 NAND 平板
Spansion批量生產(chǎn)業(yè)界最高密度單芯片512 Mb串行閃存
- 行業(yè)領(lǐng)先的并行和串行NOR閃存芯片供應(yīng)商Spansion公司(紐約證交所代碼：CODE)，日前宣布已經(jīng)開始批量生產(chǎn)512 Mb Spansion FL-S串行(SPI) NOR閃存，該芯片是業(yè)界單顆裸片最高容量的串行閃存方案。Spansion FL-S系列產(chǎn)品容量涵蓋128Mb至1Gb，具有比同類競爭產(chǎn)品快三倍的業(yè)界領(lǐng)先編程速度和快20%的雙倍數(shù)據(jù)讀取速率(DDR)。速度的提升在諸多的嵌入式應(yīng)用中極大地提高了用戶體驗(yàn)，例如汽車組合儀表盤和信息娛樂系統(tǒng)、工業(yè)和醫(yī)療圖形顯示以及家用網(wǎng)關(guān)和機(jī)頂盒。 S
- 關(guān)鍵字： Spansion 閃存
盡管UFS出現(xiàn)，但eMMC NAND閃存仍然具有活力
- 雖然符合新的通用閃存卡(UFS)規(guī)范的產(chǎn)品出現(xiàn)，2013年將在移動(dòng)NAND閃存市場引發(fā)新的技術(shù)競爭，但較舊的嵌入多媒體存儲(chǔ)卡(eMMC)標(biāo)準(zhǔn)在許多手機(jī)和平板電腦中仍將保持統(tǒng)治地位，屆時(shí)出貨量將強(qiáng)勁增長37%。 據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)與嵌入存儲(chǔ)市場簡報(bào)，2013年eMMC解決方案的出貨量預(yù)計(jì)達(dá)到7.111億個(gè)，高于2012年的5.203億個(gè)。 尚沒有關(guān)于UFS的預(yù)測，但eMMC憑借其增強(qiáng)的安全性與出色性能，預(yù)計(jì)繼續(xù)強(qiáng)勁增長，這種勢頭至少能保持到2015年，屆時(shí)在手機(jī)和其它消費(fèi)電子
- 關(guān)鍵字： NAND UFS
存儲(chǔ)技術(shù)變局為中國制造帶來了什么機(jī)遇？
- 縱觀半導(dǎo)體發(fā)展歷史，一種新興技術(shù)的出現(xiàn)，影響的不只是個(gè)別公司的興衰，更是推動(dòng)了某個(gè)產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型，新技術(shù)是變革者趕超傳統(tǒng)技術(shù)列強(qiáng)的利器，也是產(chǎn)業(yè)升級(jí)的動(dòng)力源，當(dāng)年的光盤存儲(chǔ)技術(shù)興起，就帶動(dòng)了中國整體光盤機(jī)產(chǎn)業(yè)，現(xiàn)在，我們又將迎來新一輪的存儲(chǔ)技術(shù)變局---以NAND FLASH為代表的半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)會(huì)給我們的本土企業(yè)帶來了什么機(jī)遇?這里結(jié)合自己的體會(huì)聊做分析。
- 關(guān)鍵字： 泰勝微 存儲(chǔ) NAND FLASH
TDK開發(fā)eSSD系列 NAND閃存和閃存控制器一體化
- TDK株式會(huì)社成功開發(fā)出Single Chip固態(tài)硬盤eSSD系列，并從4月起開始銷售。eSSD系列是通過多芯片封裝技術(shù)(MCP)、把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型閃存一芯化的Serial ATA(SATA) 3Gbps SSD。 該產(chǎn)品在尺寸僅為17mm×17mm的208-ball BGA封裝(球柵陣列封裝)面積上實(shí)現(xiàn)了1GByte~4GByte的閃存容量，與將閃存和SSD控制器分別進(jìn)行安裝的情況相比，不僅可以縮小基板的尺寸，而且還可以降低安裝成本。因此，
- 關(guān)鍵字： TDK NAND
NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊
- 日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對(duì)于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲(chǔ)的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長。 受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
- 關(guān)鍵字： NAND 晶圓
NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊
- 日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對(duì)于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲(chǔ)的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長。 受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%
- 據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)市場存儲(chǔ)報(bào)告，由于經(jīng)濟(jì)形勢糟糕和泰國洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量下降，2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%。 2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入從第三季度的10.5億美元降至9.53億美元。第二季度NOR營業(yè)收入略有增長，從11.6億美元上升到11.7億美元，如圖2所示。 第四季度NOR營業(yè)收入下降的主要原因，是10月泰國發(fā)生洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量減少。洪水破壞了泰國的硬盤工廠，造成硬盤短缺，導(dǎo)致PC銷量下降。NOR營業(yè)收入減少的其它原因包括：在全球經(jīng)濟(jì)黯
- 關(guān)鍵字： NOR NAND
蘋果轉(zhuǎn)單海力士 三星NAND營收比重略減
- 市場研究機(jī)構(gòu)DIGITIMESResearch專桉經(jīng)理徐康沛分析指出，全球最大記憶體製造商三星電子(SamsungElectronics)受主要客戶蘋果(Apple)將NANDFlash大部分訂單轉(zhuǎn)予海力士(Hynix)的影響，2011年第四季NANDFlash營收較前季約減少5%，DRAM營收則微增，使NANDFlash佔(zhàn)該公司記憶體營收比重降至38%，佔(zhàn)全球NANDFlash營收比重亦續(xù)降至34.6%。 反觀海力士，其NANDFlash佔(zhàn)公司營收比重則維持在30%，佔(zhàn)全球NANDFlash營
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新
- 利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新,引言
嵌入式系統(tǒng)在各個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)的維護(hù)與升級(jí)也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對(duì)系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高，開發(fā)者必須能夠針對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行升級(jí)和維護(hù)，以延長系統(tǒng)的使用周期， - 關(guān)鍵字： 系統(tǒng) 遠(yuǎn)程 更新 嵌入式 實(shí)現(xiàn) NAND Flash 利用
固態(tài)硬盤每GB容量價(jià)格將跌破1美元
- 1GB 1美元——這很久以來就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻，而根據(jù)DRAMeXchange的最新報(bào)告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的價(jià)格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn)，閃存芯片的成本也會(huì)進(jìn)一步降低，每 GB將會(huì)不足1美元。DRAMeXchange預(yù)計(jì)，在那之后超極本、超輕薄本都會(huì)從混合硬盤過渡到純粹的固態(tài)硬盤，而后者的主流容量也將升至 128GB。 隨著Intel Ivy Bridge處
- 關(guān)鍵字： 固態(tài)硬盤 NAND
nand 閃存介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條nand 閃存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)nand 閃存的理解，并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)nand 閃存的理解，并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
nand 閃存電路
nand 閃存相關(guān)帖子
nand 閃存資料下載
nand 閃存專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473