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基于NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2012-05-09 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

引言
傳統(tǒng)的設(shè)備雖然具有價(jià)格低廉的優(yōu)勢(shì),但是在高溫、高速、高沖擊的測(cè)試環(huán)境中,往往存在設(shè)備存放空間有限、測(cè)試參數(shù)較多、采集速率高、環(huán)境復(fù)雜等因素。為了得到準(zhǔn)確的測(cè)試,對(duì)設(shè)備的性能也提出了較高的要求,如高速度、大存儲(chǔ)容量、小巧輕便、抗沖擊等。此時(shí)傳統(tǒng)的存儲(chǔ)設(shè)備便無法完成復(fù)雜環(huán)境測(cè)試的存儲(chǔ)任務(wù)。為解決這個(gè)問題,本文 存儲(chǔ),該采用Xilinx公司提出的靈活、高效、低成本的解決方案SOPC,把通用的RISC處理器MicroBlaze與用戶的特定功能邏輯電路集成到FPGA上,在FPGA的控制下將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到 存儲(chǔ)設(shè)備中,實(shí)現(xiàn)了一個(gè)SOPC方案的嵌入式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
存儲(chǔ)設(shè)備是Flash內(nèi)存的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND Flash存儲(chǔ)器具有體積小、功耗低、讀寫速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),被廣泛應(yīng)用到數(shù)碼相機(jī)、MP3、U盤等嵌入式產(chǎn)品中。

1 系統(tǒng)整體方案
NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/149111.htm

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本文采用Samsung公司的NAND Flash芯片K9F4GOSUOA作為主要存儲(chǔ)器件,控制器件使用Atmel公司的ATmega162和Xilinx公司Spartan-3E系列的XC3S500E,結(jié)合對(duì)NAND Flash的讀、寫、擦除等操作進(jìn)行時(shí)序配置。A/D轉(zhuǎn)換芯片使用Maxim公司的MAX1308。另外,為實(shí)現(xiàn)通過USB總線將數(shù)據(jù)從采集設(shè)備傳送至PC,采用FTDI公司的FT245R芯片作為USB2.0接口控制器;并以LabVIEW為平臺(tái)設(shè)計(jì)開發(fā)了專用“多通道數(shù)據(jù)分析軟件”,用于對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)中數(shù)據(jù)后期的分析與處理。

2 NAND Flash陣列式存儲(chǔ)原理
Flash存儲(chǔ)器編程是以頁為單位,單片NAND Flash的單頁編程操作時(shí),命令鎖存信號(hào)CLE向端口寫入編程操作命令,地址鎖存信號(hào)ALE寫入操作塊地址,并傳輸2 KB數(shù)據(jù)到數(shù)據(jù)寄存器后,F(xiàn)lash進(jìn)入編程階段。此時(shí)其端口R/B信號(hào)被拉低,顯示Flash正處于忙工作狀態(tài),直到編程結(jié)束,這段時(shí)間系統(tǒng)不能對(duì)該Flash再進(jìn)行任何操作,一般該階段典型的時(shí)間為200μs。如果使用單片F(xiàn)lash存儲(chǔ)器進(jìn)行存儲(chǔ),則需等待編程結(jié)束后才能再寫入數(shù)據(jù)。這樣大量的時(shí)間耗費(fèi)在編程過程中,極大限制了系統(tǒng)存儲(chǔ)速度的提高。
為提高系統(tǒng)的存儲(chǔ)容量和存儲(chǔ)速度,系統(tǒng)使用8片NAND Flash存儲(chǔ)器,每4片為一組構(gòu)成一個(gè)總線寬度為8位的存儲(chǔ)陣列??刂菩盘?hào)中除設(shè)置獨(dú)立的片選信號(hào)CE外,其他的控制信號(hào)為8片共用;兩組Flash共用數(shù)據(jù)總線,存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)先對(duì)第一組Flash進(jìn)行存儲(chǔ)操作,待第一組存儲(chǔ)完畢后再對(duì)第二組進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)操作。Flash陣列式存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)圖如圖2所示。

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