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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> nand 閃存

常憶科技推出全球第一顆256Kbit序列閃存產(chǎn)品

  • 　　臺(tái)灣新竹，常憶科技于2011年7月29日正式宣布推出全球第一顆256Kbit序列閃存產(chǎn)品─PM25LD256C。 　　市場(chǎng)上既有的序列閃存廠商之技術(shù), 由于在小容量產(chǎn)品上已無(wú)法有效降低die size及成本, 因此序列閃存產(chǎn)品在業(yè)界之最小容量一般只做到512Kbit, 惟常憶科技以pFlash的專利設(shè)計(jì)才能有效降低512Kbit以下容量的Flash die size, 故決定推出該項(xiàng)業(yè)界獨(dú)有之產(chǎn)品。 　　
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出貨不如預(yù)期 閃存芯片價(jià)格小幅下跌

  • 　　受到諸多全球總體經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的不確定變數(shù)干擾，2011部份的NAND Flash終端應(yīng)用產(chǎn)品出貨量將不如預(yù)期，及3Q11受過(guò)剩庫(kù)存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應(yīng)遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NANDFlash芯片市場(chǎng)買氣依然疲弱，但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對(duì)于記憶卡及UFD通路市場(chǎng)需求仍相對(duì)地穩(wěn)定，因此，MLCNAND Flash芯片合約均價(jià)小跌約1-2%，而TLCNAND Flash芯片合約均價(jià)則下跌約4-7%。 　
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下一代光刻技術(shù)延遲 NAND成長(zhǎng)或趨緩

  • 　　在日前的一場(chǎng)閃存高峰會(huì)中，SanDisk公司的技術(shù)長(zhǎng)Yoram Cedar指出，下一代光刻技術(shù)的延遲，將導(dǎo)致NAND閃存的成長(zhǎng)趨緩。市場(chǎng)原先對(duì)閃存的展望都相當(dāng)樂(lè)觀，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲，閃存的成長(zhǎng)可能需要再評(píng)估。 　
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Anobit推出高性能超低功耗閃存控制器MSP2025

  • 　　來(lái)自以色列的閃存廠商Anobit近日宣布推出新款高性能超低功耗嵌入式閃存控制器“MSP2025”，主要面向平板機(jī)、智能手機(jī)等便攜設(shè)備，數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)空前的666MB/s，成為迄今為止性能最高的嵌入式閃存控制器。
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東芝芯片業(yè)務(wù)業(yè)績(jī)可能達(dá)不到預(yù)期

  • 　　全球第二大閃存制造商?hào)|芝公司(Toshiba Corp)周三警告說(shuō)，由于PC市場(chǎng)不景氣，美國(guó)和歐洲等經(jīng)濟(jì)體持續(xù)動(dòng)蕩以及日元強(qiáng)勢(shì)等原因，該公司芯片業(yè)務(wù)的利潤(rùn)可能達(dá)不到預(yù)期。
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SANDISK嵌入式固態(tài)硬盤采用全新SATA μSSD標(biāo)準(zhǔn)

  • 全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商SanDisk公司（NASDAQ：SNDK）今日宣布，在其郵票大小的嵌入式固態(tài)硬盤系列SanDisk iSSD產(chǎn)品線中采用全新的SATA μSSD標(biāo)準(zhǔn)。 一直致力于維護(hù)串行ATA （SATA） 技術(shù)的質(zhì)量和完整性以及推廣工作的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)組織SATA-IO也于今日發(fā)布了此項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)。
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NAND Flash合約價(jià)續(xù)跌

  • 　　據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，計(jì)算機(jī)用DRAM芯片價(jià)格快速下跌，NAND Flash合約價(jià)也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅，2個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)2011年來(lái)最低價(jià)2美元紀(jì)錄。下半年則因智能型手機(jī)(Smartphone)與平板計(jì)算機(jī) (Tablet PC)新品陸續(xù)問(wèn)世，可望帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格回升。
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存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)群雄割據(jù)時(shí)代將再度來(lái)臨

  • 　　隨著存儲(chǔ)器容量越來(lái)越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開(kāi)始遇到瓶頸，業(yè)界在未來(lái)制作更大容量存儲(chǔ)器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手公司韓國(guó)三星電子(SamsungElectronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)。
  • 關(guān)鍵字： 三星  存儲(chǔ)器  NAND  

納米制程遇瓶頸 業(yè)者紛紛投入3D存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)

  • 　　隨著存儲(chǔ)器容量越來(lái)越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開(kāi)始遇到瓶頸，業(yè)界在未來(lái)制作更大容量存儲(chǔ)器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手公司韓國(guó)三星電子(Samsung Electronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)。 　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  NAND  

今年游戲主機(jī)NAND flash內(nèi)存密度提高40%

  • 　　內(nèi)存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主機(jī)和手持設(shè)備上的密集度仍將提高 40% 以上，而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。 　　今年家用游戲主機(jī)的 NAND 平均密度預(yù)計(jì)達(dá) 923MB，較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設(shè)備的 NAND 平均密度則預(yù)計(jì)自去年的 87MB 增長(zhǎng) 41.4%，達(dá) 123MB。 　　
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LSI推出CacheVault Flash高速緩存保護(hù)技術(shù)

  • 　　LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術(shù)，用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護(hù)功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存，能夠在電源發(fā)生故障的時(shí)候自動(dòng)將高速緩存中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到閃存中，從而為存儲(chǔ)在 RAID 控制器緩存中的數(shù)據(jù)提供強(qiáng)大的保護(hù)。CacheVault 技術(shù)避免了采用鋰離子電池的麻煩，并可節(jié)約相關(guān)的硬件維護(hù)成本，從而實(shí)現(xiàn)更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護(hù)解決方案。
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2011年NAND閃存密度將增長(zhǎng)40%以上

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報(bào)告，盡管NAND閃存成本較高妨礙其進(jìn)入游戲硬件，但2011年家庭游戲機(jī)與手持游戲機(jī)中的NAND密度將增長(zhǎng)40%以上。 　　
  • 關(guān)鍵字： 索尼  NAND  

閃存將取代磁盤成為新型存儲(chǔ)嗎

  • 　　很多評(píng)論家，包括ESG的分析師都已經(jīng)開(kāi)始預(yù)測(cè)，在未來(lái)短短幾年內(nèi)，閃存將在主存儲(chǔ)中完全取代磁盤，使閃存成為一種新型的磁盤。他們的基本論點(diǎn)是，因?yàn)楣虘B(tài)盤(SSD)是基于集成電路的，所以他們的價(jià)格遵循摩爾定律，然而作為一種不可靠的機(jī)械裝置的硬盤卻并非如此。
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閃存將取代磁盤成為新型存儲(chǔ)嗎？

  • 　　很多評(píng)論家，包括ESG的分析師都已經(jīng)開(kāi)始預(yù)測(cè)，在未來(lái)短短幾年內(nèi)，閃存將在主存儲(chǔ)中完全取代磁盤，使閃存成為一種新型的磁盤，磁盤成為新型的磁帶，而磁帶變成老舊的磁帶，甚至是死亡。雖然沒(méi)有什么比不再用聽(tīng)到磁頭劃過(guò)盤片的聲音更好的事了，但是我認(rèn)為這些評(píng)論者可能有點(diǎn)樂(lè)觀了，就像是時(shí)尚人士預(yù)測(cè)深褐色會(huì)成為一種新的黑顏色一樣。
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三星電子韓國(guó)新NAND廠預(yù)計(jì)9月投產(chǎn)

  • 　　三星電子一家新的存儲(chǔ)半導(dǎo)體制造廠將于9月投入運(yùn)營(yíng)。消息人士說(shuō)，新廠編號(hào)為“Line-16”，主要生產(chǎn)NAND芯片。 　　2010年5月時(shí)，三星在韓國(guó)京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動(dòng)工，建立新的工廠。此前三星曾透露說(shuō)，Line-16工廠月產(chǎn)20萬(wàn)片12寸圓晶。
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nand 閃存介紹

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