- 臺灣新竹，常憶科技于2011年7月29日正式宣布推出全球第一顆256Kbit序列閃存產(chǎn)品─PM25LD256C。
市場上既有的序列閃存廠商之技術(shù), 由于在小容量產(chǎn)品上已無法有效降低die size及成本, 因此序列閃存產(chǎn)品在業(yè)界之最小容量一般只做到512Kbit, 惟常憶科技以pFlash的專利設(shè)計才能有效降低512Kbit以下容量的Flash die size, 故決定推出該項業(yè)界獨有之產(chǎn)品。
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常憶科技 閃存
- 受到諸多全球總體經(jīng)濟復蘇的不確定變數(shù)干擾，2011部份的NAND Flash終端應用產(chǎn)品出貨量將不如預期，及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NANDFlash芯片市場買氣依然疲弱，但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對于記憶卡及UFD通路市場需求仍相對地穩(wěn)定，因此，MLCNAND Flash芯片合約均價小跌約1-2%，而TLCNAND Flash芯片合約均價則下跌約4-7%。
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閃存芯片 NAND
- 在日前的一場閃存高峰會中，SanDisk公司的技術(shù)長Yoram Cedar指出，下一代光刻技術(shù)的延遲，將導致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當樂觀，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲，閃存的成長可能需要再評估。
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SanDisk NAND
- 來自以色列的閃存廠商Anobit近日宣布推出新款高性能超低功耗嵌入式閃存控制器“MSP2025”，主要面向平板機、智能手機等便攜設(shè)備，數(shù)據(jù)傳輸率可達空前的666MB/s，成為迄今為止性能最高的嵌入式閃存控制器。
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智能手機 閃存
- 全球第二大閃存制造商東芝公司(Toshiba Corp)周三警告說，由于PC市場不景氣，美國和歐洲等經(jīng)濟體持續(xù)動蕩以及日元強勢等原因，該公司芯片業(yè)務的利潤可能達不到預期。
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東芝 芯片 NAND
- 全球領(lǐng)先的閃存存儲解決方案供應商SanDisk公司（NASDAQ：SNDK）今日宣布，在其郵票大小的嵌入式固態(tài)硬盤系列SanDisk iSSD產(chǎn)品線中采用全新的SATA μSSD標準。 一直致力于維護串行ATA （SATA） 技術(shù)的質(zhì)量和完整性以及推廣工作的國際標準組織SATA-IO也于今日發(fā)布了此項標準。
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SanDisk 閃存
- 據(jù)韓國電子新聞報導，計算機用DRAM芯片價格快速下跌，NAND Flash合約價也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅，2個月內(nèi)出現(xiàn)2011年來最低價2美元紀錄。下半年則因智能型手機(Smartphone)與平板計算機 (Tablet PC)新品陸續(xù)問世，可望帶動NAND Flash價格回升。
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NAND DRAM芯片
- 隨著存儲器容量越來越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
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三星 存儲器 NAND
- 隨著存儲器容量越來越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
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爾必達 NAND
- 內(nèi)存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主機和手持設(shè)備上的密集度仍將提高 40% 以上，而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。
今年家用游戲主機的 NAND 平均密度預計達 923MB，較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設(shè)備的 NAND 平均密度則預計自去年的 87MB 增長 41.4%，達 123MB。
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Sony NAND
- LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術(shù)，用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存，能夠在電源發(fā)生故障的時候自動將高速緩存中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到閃存中，從而為存儲在 RAID 控制器緩存中的數(shù)據(jù)提供強大的保護。CacheVault 技術(shù)避免了采用鋰離子電池的麻煩，并可節(jié)約相關(guān)的硬件維護成本，從而實現(xiàn)更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護解決方案。
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LSI NAND
- 據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報告，盡管NAND閃存成本較高妨礙其進入游戲硬件，但2011年家庭游戲機與手持游戲機中的NAND密度將增長40%以上。
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索尼 NAND
- 很多評論家，包括ESG的分析師都已經(jīng)開始預測，在未來短短幾年內(nèi)，閃存將在主存儲中完全取代磁盤，使閃存成為一種新型的磁盤。他們的基本論點是，因為固態(tài)盤(SSD)是基于集成電路的，所以他們的價格遵循摩爾定律，然而作為一種不可靠的機械裝置的硬盤卻并非如此。
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閃存 磁盤
- 很多評論家，包括ESG的分析師都已經(jīng)開始預測，在未來短短幾年內(nèi)，閃存將在主存儲中完全取代磁盤，使閃存成為一種新型的磁盤，磁盤成為新型的磁帶，而磁帶變成老舊的磁帶，甚至是死亡。雖然沒有什么比不再用聽到磁頭劃過盤片的聲音更好的事了，但是我認為這些評論者可能有點樂觀了，就像是時尚人士預測深褐色會成為一種新的黑顏色一樣。
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閃存 磁盤
- 三星電子一家新的存儲半導體制造廠將于9月投入運營。消息人士說，新廠編號為“Line-16”，主要生產(chǎn)NAND芯片。
2010年5月時，三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動工，建立新的工廠。此前三星曾透露說，Line-16工廠月產(chǎn)20萬片12寸圓晶。
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三星 NAND
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