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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

東芝和SanDisk日本建第3個(gè)NAND半導(dǎo)體工廠

  • 　　日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導(dǎo)體工廠，以應(yīng)對(duì)智能手機(jī)和平板電腦的快速發(fā)展而帶來的對(duì)閃存芯片的大量需求。該工廠主要生產(chǎn)300毫米晶片NAND半導(dǎo)體，工廠名稱為“Fab 5”。
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東芝與Sandisk共慶NAND閃存工廠Fab5正式投產(chǎn)

  • 　　東芝株式會(huì)社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。
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數(shù)碼產(chǎn)品普及 閃存將引領(lǐng)存儲(chǔ)潮流

  • 　　隨著數(shù)碼產(chǎn)品，如智能手機(jī)和單反數(shù)碼相機(jī)等的高速發(fā)展和普及，人們對(duì)體積小容量大的閃存類產(chǎn)品需求越來越大。在很多時(shí)候，閃存品質(zhì)的好壞甚至直接影響到了數(shù)碼產(chǎn)品性能的發(fā)揮和數(shù)據(jù)的安全。近日，全球閃存領(lǐng)導(dǎo)品牌SanDisk閃迪中國(guó)區(qū)銷售總監(jiān)郭文利先生造訪昆明，記者對(duì)其進(jìn)行了采訪，就閃存市場(chǎng)的發(fā)展和閃迪中國(guó)市場(chǎng)策略進(jìn)行了溝通。
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基于FPGA的NAND Flash ECC校驗(yàn)

  • 摘要 基于Flash存儲(chǔ)器的Hamming編碼原理，在Altera QuartusⅡ7．0開發(fā)環(huán)境下，實(shí)現(xiàn)ECC校驗(yàn)功能。測(cè)試結(jié)果表明，該程序可實(shí)現(xiàn)每256 Byte數(shù)據(jù)生成3 Byte的ECC校驗(yàn)數(shù)據(jù)，能夠檢測(cè)出1 bit錯(cuò)誤和2 bit錯(cuò)誤，對(duì)于1 bit錯(cuò)誤
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蘋果三星風(fēng)波引發(fā)四大半導(dǎo)體廠商主演四角戀大戲

  • 　　最近舉辦的Semicon West2011半導(dǎo)體業(yè)界大會(huì)上，三星與蘋果之間的知識(shí)產(chǎn)權(quán)爭(zhēng)端事件顯然會(huì)是一個(gè)有趣的話題。目前，三星正準(zhǔn)備于8月份開始量產(chǎn)蘋果手機(jī)/平板電腦用 A5 SoC芯片。而且他們最近花費(fèi)36億美元對(duì)奧斯汀芯片廠進(jìn)行了升級(jí)，使其產(chǎn)能能夠在NAND或邏輯芯片產(chǎn)品之間自由切換，不過三星顯然希望能夠在保住蘋果 芯片訂單的前提下繼續(xù)拓展自己的代工業(yè)務(wù)。
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東芝縮小與三星在NAND閃存差距

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，東芝在2011年第一季度NAND閃存市場(chǎng)大有要超過三星之兆，這兩家廠商的市場(chǎng)份額差距從2010年第四季度的1.1個(gè)百分點(diǎn)縮小到只有0.3個(gè)百分點(diǎn)。長(zhǎng)期以來，三星一直是最大的NAND閃存廠商?！　?/li>
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第一季度NAND閃存領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)加劇

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2011年第一季度NAND閃存領(lǐng)域爭(zhēng)奪頭號(hào)排名的競(jìng)爭(zhēng)加劇，排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長(zhǎng)期以來，三星一直是最大的NAND閃存廠商。　
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武漢力源代理銷售Greenliant產(chǎn)品

  • 　　武漢力源信息技術(shù)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱武漢力源)，日前與節(jié)能、高可靠性和安全性存儲(chǔ)器和固態(tài)存儲(chǔ)產(chǎn)品領(lǐng)域首屈一指供應(yīng)商Greenliant簽署了代理協(xié)議。根據(jù)雙方的協(xié)定,作為Greenliant的授權(quán)目錄分銷商, 武漢力源將在中國(guó)地區(qū)推廣和銷售Greenliant全部的NANDrive嵌入式固態(tài)存儲(chǔ)器(SSD)、NAND閃存控制器和特殊閃存產(chǎn)品。
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Q2平板出貨恐拖累NAND Flash價(jià)格走勢(shì)

  • 　　根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，截自六月十六日6:00pm為止，由于大部分買方與賣方就六月上旬NAND Flash合約價(jià)格的談判尚未告一段落，因此六月份NAND Flash合約價(jià)將等到各家廠商價(jià)格談定后DRAMeXchange才會(huì)公布。
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三星因?qū)＠謾?quán)向飛索賠償1.5億美元

  • 　　飛索半導(dǎo)體(Spansion)與三星電子就專利訴訟達(dá)成和解，未來5年三星將向飛索半導(dǎo)體支付1.5億美元。根據(jù)雙方的協(xié)議，飛索半導(dǎo)體和三星簽訂了7年交叉專利授權(quán)。飛索同意以3000萬美元收購三星的破產(chǎn)債權(quán)，如果被法院批準(zhǔn)，飛索將被允許撤銷165-185萬股股票。 　　
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Mobile RAM防線恐失守

  • 　　行動(dòng)裝置風(fēng)潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等，儼然已成為DRAM廠最佳避風(fēng)港，然在各家存儲(chǔ)器大廠一窩蜂搶進(jìn)下，Mobile RAM已率先發(fā)難，出現(xiàn)供過于求警訊，日廠爾必達(dá)(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產(chǎn)能將轉(zhuǎn)回作PC DRAM，加上近日PC DRAM價(jià)格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn)，DRAM廠12寸廠產(chǎn)能陷入苦尋不到避風(fēng)港困境。 　　存儲(chǔ)器業(yè)者表示，PC市場(chǎng)成長(zhǎng)趨緩是 DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷，而平板計(jì)算機(jī)崛起讓每臺(tái)系統(tǒng)DRAM
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Hynix成功開發(fā)出20nm制程64Gbit密度MLC NAND閃存芯片

  • 　　Hynix半導(dǎo)體公司在近日舉辦的2011VLSI研討上宣布成功研發(fā)出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片，Hynix稱這款產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首款基于20nm制程的大容量MLC NAND閃存芯片。 　　
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海力士半導(dǎo)體放緩NAND Flash工藝轉(zhuǎn)換速度

  • 　　南韓半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群，近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級(jí)制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量，以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。 　　海力士相關(guān)人員表示，26納米制程N(yùn)AND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品，成為海力士主力產(chǎn)品。 　　NAND Flash為非揮發(fā)性內(nèi)存芯片，即使中斷供電也能儲(chǔ)存信息，是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動(dòng)裝
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臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)集成是唯一之道

  • 　　存儲(chǔ)器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲(chǔ)器景氣波動(dòng)，2010年全球獨(dú)立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關(guān)，NAND Flash市場(chǎng)布局也成功跨足固態(tài)硬盤(SSD)市場(chǎng)，面對(duì)臺(tái)灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當(dāng)下，金士頓創(chuàng)辦人之一的杜紀(jì)川表示，認(rèn)同孫大衛(wèi)認(rèn)為臺(tái)灣 DRAM產(chǎn)業(yè)要集成才有活路的策略，唯有計(jì)畫性地將各方力量做結(jié)合，才能讓臺(tái)灣DRAM廠免受全球經(jīng)濟(jì)、市場(chǎng)波動(dòng)沖擊。　
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需求趨緩致NAND閃存芯片價(jià)格下降

  • 　　由于蘋果等大型企業(yè)的需求不夠強(qiáng)勁，導(dǎo)致5月的NAND閃存芯片合約價(jià)格“快速”降低。 　　今年5月的NAND芯片價(jià)格的降幅已經(jīng)超過15%，現(xiàn)貨市場(chǎng)的降幅則在20%左右。蘋果仍是NAND閃存芯片的最大買家，但需求提升不像往年的第二季度那么強(qiáng)勁?！　?/li>
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nand 閃存介紹

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